ZHCSXI4 November 2024 BQ21088
PRODUCTION DATA
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容器是输入去耦电容器的理想选择,应尽可能靠近 IC 的电源引脚和接地引脚放置。由于电容器的电压降额,建议在 IN 引脚使用额定电压为 35V 的电容器。由于直流偏置降额,较高的 IN 电压可能会导致有效电容显著降低。为了确保输出稳定性,降额后的最小电容必须高于 1μF,以使输入电压正常工作。
为了尽可能降低由于接地板线路上的 IR 压降而导致的 TS 测量误差,NTC 的接地连接必须尽可能靠近器件的 GND 引脚或与其连接的开尔文检测点。
如果系统设计人员不希望使用 TS 功能进行充电控制,则必须在 TS 与地之间连接一个 10kΩ 电阻。
|
参数 |
最小值 |
标称值 |
最大值 |
单位 |
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|---|---|---|---|---|---|
|
CSYS |
SYS 引脚上的电容 |
1 |
10 |
100 |
μF |
|
CBAT |
BAT 引脚上的电容 |
1 |
1 |
- |
μF |
|
CIN |
IN 输入旁路电容(直流偏置降额后) |
1 |
1 |
10 |
μF |