MMBZ30VCL 双通道 ESD 保护
- ZHCSXC8 November 2024 MMBZ30VCL
  
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MMBZ30VCL 双通道 ESD 保护

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1 特性

4.5pF（典型值）的超低 I/O 电容
低漏电流 <25nA
双通道单向 ESD 保护或单通道双向 ESD 保护
IEC 61000-4-2 ESD 保护：
- ±30kV 接触放电
- ±30kV 气隙放电
温度范围：-55°C 至 +150°C
引线式封装，用于自动光学检测 (AOI)

2 应用

通用 IO 保护
工业控制网络：
- DeviceNet
- 智能配电系统
音频
电信

3 说明

MMBZ30VCL 是一款采用共阴极配置的双通道单向或单通道双向 ESD。该器件具有低电容和低漏电流特性，可用于高速应用。低动态电阻允许低钳位电压，有助于保护系统免受瞬态事件的影响。

MMBZ30VCL 采用 SOT-23 封装，可在节省空间的外形中提供可靠的双通道瞬态保护。

封装信息

器件型号	封装 ⁽¹⁾	封装尺寸⁽²⁾
MMBZ30VCL	DBZ（SOT-23，3）	2.92mm × 2.37mm

(1) 有关更多信息，请参阅节 8。

(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。

典型应用

4 引脚配置和功能

图 4-1 DBZ 封装，3 引脚 SOT-23（顶视图）

表 4-1 引脚功能

引脚		说明
名称	编号	说明
AN1	1	二极管 1 的阳极
AN2	2	二极管 2 的阳极
CC	3	共阴极

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

		最小值	最大值	单位
P_PP	25°C 时的 IEC 61643-321 功率 (t_p - 10/1000µs)		20	W
I_PP	25°C 时的 IEC 61643-321 电流 (t_p - 10/1000µs)		0.5	A
T_A	自然通风条件下的工作温度范围	-55	150	°C
T_J	结温	-55	150
T_stg	贮存温度	-65	155

(1) 超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出“建议运行条件”但在“绝对最大额定值”范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。

5.2 ESD 等级 - JEDEC 规格

			值	单位
V_(ESD)	静电放电	人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准⁽¹⁾	±2500	V
V_(ESD)	静电放电	充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JS-002⁽²⁾	±1000	V

(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下
安全生产。

(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下
安全生产。

5.3 ESD 等级 - IEC 规格

			值	单位
V_(ESD)	静电放电	IEC 61000-4-2 接触放电，所有引脚	±30000	V
V_(ESD)	静电放电	IEC 61000-4-2 空气间隙放电，所有引脚	±30000	V

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

		最小值	标称值	最大值	单位
T_A	自然通风条件下的工作温度范围	-55		150	°C

5.5 热性能信息

热指标 ⁽¹⁾		MMBZ30VCL	单位
		DBZ (SOT-23)
		3 引脚
R_θJA	结至环境热阻	262.6	°C/W
R_θJC(top)	结至外壳（顶部）热阻	147.0	°C/W
R_θJB	结至电路板热阻	96.1	°C/W
Ψ_JT	结至顶部特征参数	33.5	°C/W
Ψ_JB	结至电路板特征参数	95.4	°C/W
R_θJC(bot)	结至外壳（底部）热阻	不适用	°C/W

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。

5.6 电气特性

在 T_A = 25°C 条件下（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
V_F	正向电压	I_F = 10mA，T_A = 25°C			1.1	V
V_RWM	反向关断电压	T_A = 25°C			24	V
V_BR	击穿电压 ⁽¹⁾	I_T = 10mA，T_A = 25°C	24.8		34.8	V
V_CLAMP	钳位电压 ⁽²⁾	I_PPM = 0.5A，t_p = 10/1000µs		31	40	V
I_LEAK	漏电流	V_IO = ±24V		1	25	nA
S_Z	温度系数	I_Z = 10mA		13		mV/C
C_L	线路电容	V_IO = 0V，f = 1MHz，V_pp = 30mV		4.5		pF

(1) V_BR 定义为器件进入浅快速复位状态前，施加 10mA 时的电压

(2) 根据 IEC 61643-321，器件承受 10/1000μs 指数衰减波形的应力

5.7 典型特性

图 5-1 击穿电压与温度间的关系

图 5-3 峰值脉冲功率降额曲线

图 5-2 漏电流与温度间的关系

6 器件和文档支持

TI 提供广泛的开发工具。下面列出了用于评估器件性能、生成代码和开发解决方案的工具和软件。

6.1 文档支持

6.1.1 相关文档

请参阅以下相关文档：

6.2 接收文档更新通知

要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击通知进行注册，即可每周接收产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。

6.3 支持资源

TI E2E™ 中文支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家处获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解答或提出自己的问题，获得所需的快速设计帮助。

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6.4 商标

TI E2E™is a TM ofTI corporate name.

Other TMs

6.5 静电放电警告

	静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。
	ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。