ZHCSX93 October   2024 ESD701

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - JEDEC 规范
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 应用和实施
    1. 6.1 应用信息
  8. 7 器件和文档支持
    1. 7.1 文档支持
      1. 7.1.1 相关文档
    2. 7.2 接收文档更新通知
    3. 7.3 支持资源
    4. 7.4 商标
    5. 7.5 静电放电警告
    6. 7.6 术语表
  9. 8 接收文档更新通知
  10. 9 支持资源
  11. 10商标
  12. 11静电放电警告
  13. 12术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

5.6 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VRWM 反向关断电压 IIO < 10nA -24 24 V
ILEAK VRWM 下的漏电流 VIO = ±24V，I/O 至 GND 2 10 nA
VBR 击穿电压，I/O 至 GND (1) IIO = ±10mA 25.5 35.5 V
VHOLD 保持电压 (2) TLP，IO 至 GND 或 GND 至 IO 31
VCLAMP 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (3) IPP = 3A，I/O 至 GND 37 V
VCLAMP 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (3) IPP = 3A，GND 至 I/O 37 V
VCLAMP TLP 钳位电压，tp = 100ns(4) IPP = 16A (100ns TLP)，I/O 至 GND 41 V
VCLAMP TLP 钳位电压，tp = 100ns(4) IPP = 16A (100ns TLP)，GND 至 I/O 41 V
RDYN 动态电阻 (5) I/O 至 GND 0.84 Ω
GND 至 I/O 0.84
CLINE 输入电容，IO 至 GND VIO = 0V，f = 1MHz 0.3 0.5 pF
(1) VBR 是指在器件锁存到快速复位状态之前，在逐步升高电压期间，在 1mA 时获得的电压
(2) VHOLD 定义为器件成功锁存到快速复位状态后，施加 1mA 时的电压。
(3) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力
(4) 非重复方波电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；ANSI/ESD STM5.5.1-2008
(5) 在 I = 10A 和 I = 20A 之间使用 TLP 特性的最小二乘拟合来提取 RDYN