ZHCSWO8 August   2024 TLV1H103-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序图
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 输入
      2. 6.4.2 推挽（单端）输出
      3. 6.4.3 已知启动条件
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调迟滞
      2. 7.1.2 容性负载
      3. 7.1.3 锁存器功能
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 实现可调迟滞
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 光学接收器
      3. 7.2.3 过流锁存条件
      4. 7.2.4 外部触发功能
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 文档支持
    1. 8.1 相关文档
      1. 8.1.1 开发支持
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.4.2 推挽（单端）输出

TLV1H103-SEP 输出具有出色的驱动能力，设计用于直接连接到 CMOS 逻辑输入器件。同样，比较器输出级能够驱动容性负载。电气特性表和“典型特性”部分中的瞬态性能参数适用于 5pF 负载，对应于标准 CMOS 负载。更大容性负载的器件性能可在标题为“传播延迟与负载电容间的关系”的典型性能曲线中找到。为了实现出色的速度和性能，必须更大限度地减小输出负载电容。