DLPA3085 电源管理集成电路 (PMIC) 和高电流 LED 驱动器 IC

本资源的原文使用英文撰写。为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

高效、高电流 RGB LED 驱动器
外部降压 FET 驱动器，驱动电流高达 16A
外部 RGB 开关驱动器
每通道 10 位可编程电流
用于选择色彩时序 RGB LED 的输入
可生成 DMD 高电压电源
配有两个高效降压转换器，用于生成 DLPC843x 和 DMD 电源
配有一个高效 8 位可编程降压转换器，用于风扇驱动器应用或通用电源。当前支持通用 buck2 (PWR6)。
两个 LDO，用于提供辅助电压
模拟 MUX，用于测量内部和外部节点，例如热敏电阻和基准电平
监测/保护：热关断、热模和欠压锁定 (UVLO)

2 应用

DLP® Pico™ 便携式投影仪

3 说明

DLPA3085 是一款高度集成的电源管理 IC，针对 DLP® Pico™ 投影仪系统进行了优化。DLPA3085 采用集成式高效降压控制器，支持多个 LED 投影仪，每个 LED 的电流可高达 16A，串联 LED 的电流可高达 32A。此外，驱动器控制着 RGB 开关，支持红色、绿色和蓝色 LED 排序。DLPA3085 包含五个降压转换器，其中两个专用于 DLPC 低压电源。另有一个专用于稳压电源，为 DMD 生成三个时序关键型直流电源：VBIAS、VRST 和 VOFS。

DLPA3085 包含多个辅助块，可灵活使用。因此可以量身定制 Pico 投影仪系统。例如，一个 8 位可编程降压转换器可用于驱动 RGB 投影仪风扇，或用于提供辅助电源线。当前支持通用 buck2 (PWR6)。两个 LDO 可用于提供至多 200mA 的更低电流。这些 LDO 预先设定为 2.5V 和 3.3V。

DLPA3085 的所有块均可通过 SPI 寻址。此外，该器件还包含以下特性：系统复位生成、电源时序控制、用于顺序选择活动 LED 的输入信号、IC 自保护以及用于将模拟信息传送到外部 ADC 的模拟多路复用器。

器件信息

器件型号	封装	封装尺寸
DLPA3085⁽¹⁾	HTQFP (100)	14.00mm × 14.00mm

(1) 如需更多信息，请参阅机械、封装和可订购信息 附录。

典型简化版系统图

4 引脚配置和功能

图 4-1 PFD 封装100 引脚 HTQFP顶视图

表 4-1 引脚功能

引脚		I/O	说明
名称	编号	I/O	说明
N/C	1	—	无连接
DRST_LS_IND	2	I/O	用于 DMD SMPS 电感器（低侧开关）的连接
DRST_5P5V	3	O	LDO DMD 的滤波器引脚。内部 DMD 复位稳压器的电源，典型值 5.5V
DRST_PGND	4	GND	DMD SMPS 的电源地。连接接地层。
DRST_VIN	5	POWER	LDO DMD 的电源输入。连接到系统电源。
DRST_HS_IND	6	I/O	用于 DMD SMPS 电感器（高侧开关）的连接
ILLUM_5P5V	7	O	LDO ILLUM 的滤波器引脚。内部 ILLUM 块的电源，典型值 5.5V
ILLUM_VIN	8	POWER	LDO ILLUM 的电源输入。连接到系统电源。
CH1_SWITCH	9	I	LED 阴极的低侧 MOSFET 开关。连接到 RGB LED 组件。
CH1_SWITCH	10	I	LED 阴极的低侧 MOSFET 开关。连接到 RGB LED 组件。
RLIM_1	11	O	连接到 CH1 和 CH2 的 LED 电流检测电阻器
RLIM_BOT_K_2	12	I	与 LED 电流检测电阻接地侧的开尔文检测连接
RLIM_K_2	13	I	与电流检测电阻器顶部的开尔文检测连接
RLIM_BOT_K_1	14	I	与 LED 电流检测电阻接地侧的开尔文检测连接
RLIM_K_1	15	I	与电流检测电阻器顶部的开尔文检测连接
RLIM_1	16	O	连接到 CH1 和 CH2 的 LED 电流检测电阻器
CH2_SWITCH	17	I	LED 阴极的低侧 MOSFET 开关。连接到 RGB LED 组件。
CH2_SWITCH	18	I	LED 阴极的低侧 MOSFET 开关。连接到 RGB LED 组件。
CH1_GATE_CTRL	19	O	LED 阴极的 CH1 外部 MOSFET 开关的栅极控制
CH2_GATE_CTRL	20	O	LED 阴极的 CH2 外部 MOSFET 开关的栅极控制
CH3_GATE_CTRL	21	O	LED 阴极的 CH3 外部 MOSFET 开关的栅极控制
RLIM_2	22	O	连接到 CH3 的 LED 电流检测电阻器
RLIM_2	23	O	连接到 CH3 的 LED 电流检测电阻器
CH3_SWITCH	24	I	LED 阴极的低侧 MOSFET 开关。连接到 RGB LED 组件。
CH3_SWITCH	25	I	LED 阴极的低侧 MOSFET 开关。连接到 RGB LED 组件。
ILLUM_HSIDE_DRIVE	26	O	ILLUM 降压转换器的外部高侧 MOSFET 的栅极控制
ILLUM_LSIDE_DRIVE	27	O	ILLUM 降压转换器的外部低侧 MOSFET 的栅极控制
ILLUM_A_BOOST	28	I	高侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器的电源电压。必须在该引脚与 ILLUM_A_SW 之间连接一个 100nF 电容器（典型值）。
ILLUM_A_FB	29	I	控制 I_LED 的降压转换器环路的输入
ILLUM_A_VIN	30	POWER	ILLUM 驱动器 A 的电源输入
ILLUM_A_SW	31	I/O	高侧 NFET 和低侧 NFET 之间的开关节点连接。用作飞跨高侧 FET 驱动器的公共连接
ILLUM_A_PGND	32	GND	ILLUM 驱动器 A 的接地连接
ILLUM_B_BOOST	33	I	高侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器的电源电压
ILLUM_B_VIN	34	POWER	ILLUM 驱动器 B 的电源输入
ILLUM_B_FB	35	I	控制 I_LED 的降压转换器环路的输入
ILLUM_B_SW	36	I/O	高侧 NFET 和低侧 NFET 之间的开关节点连接。
ILLUM_B_PGND	37	GND	ILLUM 驱动器 B 的接地连接
ILLUM_A_COMP1	38	I/O	反馈环路元件的连接节点
ILLUM_A_COMP2	39	I/O	反馈环路元件的连接节点
ILLUM_B_COMP1	40	I/O	反馈环路元件的连接节点
ILLUM_B_COMP2	41	I/O	反馈环路元件的连接节点
THERMAL_PAD	42	GND	散热焊盘。连接至干净的系统地。
CLK_OUT	43	O	无连接。为色轮时钟输出保留
CW_SPEED_PWM_OUT	44	O	无连接。为色轮 PWM 输出保留
SPI_VIN	45	I	SPI 接口的电源
SPI_CLK	46	I	SPI 时钟输入
SPI_MISO	47	O	SPI 数据输出
SPI_SS_Z	48	I	SPI 片选（低电平有效）
SPI_MOSI	49	I	SPI 数据输入
PWR7_BOOST	50	I	无连接。保留用于通用降压转换器。高侧 FET 栅极驱动电路的电荷泵电源输入。在 PWR7_BOOST 和 PWR7_SWITCH 引脚之间连接一个 100nF 电容器。
PWR7_FB	51	I	无连接。保留用于通用降压转换器。转换器反馈输入。连接至转换器输出电压。
PWR7_VIN	52	POWER	无连接。保留用于通用降压转换器。转换器的电源输入
PWR7_SWITCH	53	I/O	无连接。保留用于通用降压转换器。高侧 NFET 和低侧 NFET 之间的开关节点连接。
PWR7_PGND	54	GND	无连接。保留用于通用降压转换器。接地引脚。开关电路的电源接地回路
PROJ_ON	55	I	用于启用和/或禁用 IC 和 DLP 投影仪的输入信号
ACMPR_LABB_SAMPLE	56	I	对 ACMPR_IN_LABB 上电压进行采样的控制信号。不使用该引脚时，需要使用一个 10kΩ 下拉电阻器接地。
RESET_Z	57	O	到 DLP 系统的复位输出（低电平有效）。该引脚保持低电平以复位 DLP 系统。
INT_Z	58	O	中断输出信号（开漏，低电平有效）。连接至上拉电阻器。
DGND	59	GND	数字地。连接接地层。
CH_SEL_0	60	I	用于启用 CH1、CH2、CH3 中任何一个的控制信号
CH_SEL_1	61	I	用于启用 CH1、CH2、CH3 中任何一个的控制信号
PWR6_PGND	62	GND	接地引脚。开关电路的电源接地回路
PWR6_SWITCH	63	I/O	高侧 NFET 和低侧 NFET 之间的开关节点连接。
PWR6_VIN	64	POWER	转换器的电源输入
PWR6_BOOST	65	I	高侧 FET 栅极驱动电路的电荷泵电源输入。在 PWR6_BOOST 和 PWR6_SWITCH 引脚之间连接一个 100nF 电容器。
PWR6_FB	66	I	转换器反馈输入。连接到输出电压。
PWR5_VIN	67	POWER	无连接。保留用于通用降压转换器。转换器的电源输入
PWR5_SWITCH	68	I/O	无连接。保留用于通用降压转换器。高侧 NFET 和低侧 NFET 之间的开关节点连接。
PWR5_BOOST	69	I	无连接。保留用于通用降压转换器。高侧 FET 栅极驱动电路的电荷泵电源输入。在 PWR5_BOOST 和 PWR5_SWITCH 引脚之间连接 100nF 电容器。
PWR5_PGND	70	GND	无连接。保留用于通用降压转换器。接地引脚。开关电路的电源接地回路
PWR5_FB	71	I	无连接。保留用于通用降压转换器。转换器反馈输入。连接到输出电压。
PWR2_FB	72	I	转换器反馈输入。连接到输出电压。
PWR2_PGND	73	GND	接地引脚。开关电路的电源接地回路
PWR2_SWITCH	74	I/O	高侧 NFET 和低侧 NFET 之间的开关节点连接。
PWR2_VIN	75	POWER	转换器的电源输入
PWR2_BOOST	76	I	高侧 FET 栅极驱动电路的电荷泵电源输入。在 PWR2_BOOST 和 PWR2_SWITCH 引脚之间连接一个 100nF 电容器。
ACMPR_IN_1	77	I	保留。用于模拟传感器信号的输入。未使用该引脚时无连接。
ACMPR_IN_2	78	I	用于模拟传感器信号的输入。未使用该引脚时无连接。
ACMPR_IN_3	79	I	用于模拟传感器信号的输入。未使用该引脚时无连接。
ACMPR_IN_LABB	80	I	环境光传感器的输入，采样输入。未使用该引脚时无连接。
ACMPR_OUT	81	O	模拟比较器输出。未使用该引脚时无连接。
ACMPR_REF	82	I	模拟比较器的基准电压输入。未使用该引脚时无连接。
PWR_VIN	83	POWER	LDO_Buck 的电源输入范围。连接到系统电源。
PWR_5P5V	84	O	LDO_BUCK 的滤波器引脚。降压转换器的内部模拟电源，典型值 5.5V
VINA	85	POWER	参考系统的输入电压电源引脚
AGND	86	GND	模拟接地引脚
PWR3_OUT	87	O	LDO_2 DMD DLPC/AUX 的滤波器引脚，典型值 2.5V
PWR3_VIN	88	POWER	LDO_2 的电源输入。连接到系统电源。
PWR4_OUT	89	O	LDO_1 DMD DLPC/AUX 的滤波器引脚，典型值 3.3V
PWR4_VIN	90	POWER	LDO_1 的电源输入。连接到系统电源。
SUP_2P5V	91	O	LDO_V2V5 的滤波器引脚。内部电源电压，典型值 2.5V
SUP_5P0V	92	O	LDO_V5V 的滤波器引脚。内部电源电压，典型值 5V
PWR1_PGND	93	GND	接地引脚。开关电路的电源接地回路
PWR1_FB	94	I	转换器反馈输入。连接到输出电压。
PWR1_SWITCH	95	I/O	高侧 NFET 和低侧 NFET 之间的开关节点连接。
PWR1_VIN	96	POWER	转换器的电源输入
PWR1_BOOST	97	I	高侧 FET 栅极驱动电路的电荷泵电源输入。在 PWR1_BOOST 和 PWR1_SWITCH 引脚之间连接一个 100nF 电容器。
DMD_VOFFSET	98	O	VOFS 输出轨。连接到陶瓷电容器。
DMD_VBIAS	99	O	VBIAS 输出轨。连接到陶瓷电容器。
DMD_VRESET	100	O	VRESET 输出轨。连接到陶瓷电容器。

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

		最小值	最大值	单位
电压	ILLUM_A,B_BOOST	-0.3	28	V
	ILLUM_A,B_BOOST（10ns 瞬态值）	-0.3	30
	ILLUM_A,B_BOOST 与 ILLUM_A,B_SWITCH	-0.3	7
	ILLUM_LSIDE_DRIVE	-0.3	7
	ILLUM_HSIDE_DRIVE	-2	28
	ILLUM_A_BOOST 与 ILLUM_HSIDE_DRIVE	-0.3	7
	ILLUM_A,B_SW	-2	22
	ILLUM_A,B_SW（10ns 瞬态值）	-3	27
	PWR_VIN、PWR1,2,3,4,6_VIN、VINA、ILLUM_VIN、ILLUM_A,B_VIN、DRST_VIN	-0.3	22
	PWR1,2,6_BOOST	-0.3	28
	PWR1,2,6_BOOST（10ns 瞬态值）	-0.3	30
	PWR1,2,6_SWITCH	-2	22
	PWR1,2,6_SWITCH（10ns 瞬态值）	-3	27
	PWR1,2,6_FB	-0.3	6.5
	PWR1,2,6_BOOST 与 PWR1,2,6_SWITCH	-0.3	6.5
	CH1,2,3_SWITCH、DRST_LS_IND、ILLUM_A,B_FB	-0.3	20
	ILLUM_A,B_COMP1,2、INT_Z、PROJ_ON	-0.3	7
	DRST_HS_IND	-18	7
	ACMPR_IN_1,2,3、ACMPR_REF、ACMPR_IN_LABB、ACMPR_LABB_SAMPLE、ACMPR_OUT	-0.3	3.6
	SPI_VIN、SPI_CLK、SPI_MOSI、SPI_SS_Z、SPI_MISO、CH_SEL_0,1、RESET_Z	-0.3	3.6
	RLIM_K_1,2、RLIM_1,2	-0.3	3.6
	DGND、AGND、DRST_PGND、ILLUM_A,B_PGND、PWR1,2,6_PGND、RLIM_BOT_K_1,2	-0.3	0.3
	DRST_5P5V、ILLUM_5P5V、PWR_5P5、PWR3,4_OUT、SUP_5P0V	-0.3	7
	CH1,2,3_GATE_CTRL	-0.3	7
	CLK_OUT	-0.3	3.6
	CW_SPEED_PWM	-0.3	7
	SUP_2P5V	-0.3	3.6
	DMD_VOFFSET	-0.3	12
	DMD_VBIAS	-0.3	20
	DMD_VRESET	-18	7
拉电流	RESET_Z、ACMPR_OUT		1	mA
拉电流	SPI_DOUT		5.5	mA
灌电流	RESET_Z、ACMPR_OUT		1	mA
灌电流	SPI_DOUT、INT_Z		5.5	mA
T_stg	贮存温度	-65	150	°C

(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能，并缩短器件寿命。

5.2 ESD 等级

			值		单位
V_(ESD)⁽¹⁾	静电放电	人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准，所有引脚⁽²⁾	±2000		V
V_(ESD)⁽¹⁾	静电放电	充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101，所有引脚⁽³⁾	±500		V

(1) 静电放电 (ESD) 衡量器件对装配线在其内部的静电放电所造成的损坏的敏感度和抵抗能力。

(2) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

(3) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

5.3 建议的工作条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

		最小值	最大值	单位
输入电压范围	PWR_VIN、PWR1,2,3,4,6_VIN、VINA、ILLUM_VIN、ILLUM_A,B_VIN、DRST_VIN	6	20	V
	CH1,2,3_SWITCH、ILLUM_A,B_FB、	-0.1	20
	PROJ_ON	-0.1	6
	PWR1,2,6_FB	-0.1	5
	ACMPR_REF、CH_SEL_0,1、SPI_CLK、SPI_MOSI、SPI_SS_Z	-0.1	3.6
	RLIM_BOT_K_1,2	-0.1	0.1
	ACMPR_IN_1,2,3、LABB_IN_LABB	-0.1	1.5
	SPI_VIN	1.7	3.6
	RLIM_K_1,2	-0.1	0.25
	ILLUM_A,B_COMP1,2	-0.1	5.7
环境温度范围		0	70	°C
工作结温		0	120	°C

5.4 热性能信息

热指标⁽¹⁾		DLPA3085	单位
		PFD (HTQFP)
		100 引脚
R_θJA	结至环境热阻⁽²⁾	7.0	°C/W
R_θJC(top)	结至外壳（顶部）热阻⁽³⁾	0.7	°C/W
R_θJB	结至电路板热阻	不适用	°C/W
ψ_JT	结到顶部的表征参数⁽⁴⁾	0.6	°C/W
ψ_JB	结到电路板的表征参数⁽⁵⁾	3.4	°C/W
R_θJC(bot)	结至外壳（底部）热阻	不适用	°C/W

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用报告。

(2) 自然对流条件下的结至环境热阻是在符合 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真而获得的，但由于该器件预计使用封装外壳顶部上的散热器进行冷却，因此仿真中包括连接到 DLPA3085 的风扇和散热器。散热器为 22mm× 22mm× 12mm 铝制针翅散热器，上面带有一个 12mm × 12mm × 3mm 螺柱。底座厚度为 2mm，针翅直径为 1.5mm，引脚阵列为 6 × 6。散热器与 DLPA3085 之间使用了厚度为 100μm 的导热油脂，其热导率为 3W/m-K。风扇尺寸为 20mm × 20mm × 8mm，开放流量为 1.6cfm，停滞状态下的水压为 0.22 英寸。

(3) 通过在封装顶部模拟一个冷板测试来获得结至芯片外壳（顶部）的热阻。不存在特定的 JEDEC 标准测试，但可在 ANSI SEMI 标准 G30-88 中找到内容接近的说明。

(4) 结点至顶部特性参数 ψ_JT 估算器件在实际系统中的结温，并可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍但经过修改以包含注释 2 中所述风扇和散热器的步骤从获得 R_θJA 的仿真数据中获取该温度。

(5) 结点至电路板特征参数 ψ_JB 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍但经过修改以包含注释 2 中所述风扇和散热器的步骤从获得 R_θJA 的仿真数据中获取该温度。

5.5 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内。V_IN = 12V、T_A = 0°C 至 +70°C；典型值在 T_A = 25°C 条件下测得；根据“典型特性”进行配置（V_IN = 12V、I_OUT = 16A、LED、外部 FET）（除非另有说明）。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源
输入电压
V_IN	输入电压范围	VINA– 引脚	6⁽⁶⁾	12	20	V
V_UVLO⁽⁷⁾	UVLO 阈值	VINA 下降（通过 5 位修整函数，0.5V 步长）	3.9	6.22	18.4	V
V_UVLO⁽⁷⁾	迟滞	VINA 上升		90		mV
V_STARTUP	启动电压	DMD_VBIAS、DMD_VOFFSET、DMD_VRESET，具有 10mA 负载电流	6			V
输入电流
I_IDLE	空闲电流	IDLE 模式，所有 VIN 引脚组合		15		µA
I_STD	待机电流	STANDBY 模式，模拟、内部电源和 LDO 启用，而 DMD、照明和降压转换器禁用。		3.7		mA
I_{Q_DMD}	静态电流 (DMD)	静态电流 DMD 块（除了 I_STD 外），VINA + DRST_VIN		0.49		mA
I_{Q_ILLUM}	静态电流 (ILLUM)	静态电流 ILLUM 块（除了 I_STD 外），V_openloop = 3V（ILLUM_OLV_SEL），VINA + ILLUM_VIN + ILLUM_A_VIN + ILLUM_B_VIN		21		mA
I_{Q_BUCK}	静态电流（每个降压转换器）	每个降压转换器的静态电流（除了 I_STD 外），正常模式，VINA + PWR_VIN + PWR1,2,6_VIN，PWR1,2,6_VOUT = 1V		4.3		mA
		每个降压转换器的静态电流（除了 I_STD 外），正常模式，VINA + PWR_VIN + PWR1,2,6_VIN，PWR1,2,6_VOUT = 5V		15
		每个降压转换器的静态电流（除了 I_STD 外），周期跳跃模式，VINA + PWR_VIN + PWR1,2,6_VIN = 1V		0.41
		每个降压转换器的静态电流（除了 I_STD 外），周期跳跃模式，VINA + PWR_VIN + PWR1,2,6_VIN = 5V		0.46
I_{Q_TOTAL}	静态电流（总计）	典型应用：ACTIVE 模式，所有 VIN 引脚组合，DMD、照明和 PWR1,2 启用，PWR3,4,6 禁用		38		mA
内部电源
V_{SUP_5P0V}	内部电源，模拟			5		V
V_{SUP_2P5V}	内部电源，逻辑			2.5		V
DMD — LDO DMD
V_{DRST_VIN}			6	12	20	V
V_{DRST_5P5V}				5.5		V
PGOOD	电源正常指示 DRST_5P5V	上升		80%
PGOOD	电源正常指示 DRST_5P5V	下降		60%
OVP	过压保护 DRST_5P5V			7.2		V
	稳压器压降	25mA、VDRST_VIN = 5.5V 时		56		mV
	稳压器电流限制		300	340	400	mA
DMD — 稳压器
R_DS(ON)	MOSFET 导通电阻	开关 A（从 DRST_5P5V 到 DRST_HS_IND）		920		mΩ
R_DS(ON)	MOSFET 导通电阻	开关 B（从 DRST_LS_IND 到 DRST_PGND）		450		mΩ
V_FW	正向压降	开关 C（从 DRST_LS_IND 到 DRST_VBIAS⁽¹⁾），VDRST_LS_IND = 2V，I_F = 100mA		1.21		V
V_FW	正向压降	开关 D（从 DRST_LS_IND 到 DRST_VOFFSET⁽¹⁾），VDRST_LS_IND = 2V，I_F = 100mA		1.22		V
t_DIS	电源轨放电时间	C_OUT = 1µF			40	µs
t_PG	电源正常超时	未经量产测试		15		ms
I_LIMIT	开关电流限值			610		mA
VOFFSET 稳压器
V_OFFSET	输出电压			10		V
	直流输出电压精度	I_OUT = 10mA	-0.3		0.3	V
	直流负载调整率	I_OUT = 0mA 至 10mA		-10		V/A
	直流线性调整率	I_OUT = 10mA，DRST_VIN = 8V 至 20V		-5		mV/V
V_RIPPLE	输出纹波	I_OUT = 10mA，C_OUT = 1µF		200		mVpp
I_OUT	输出电流		0.1		10	mA
PGOOD	电源正常阈值（标称输出电压的比例）	VOFFSET 上升		86%
PGOOD	电源正常阈值（标称输出电压的比例）	VOFFSET 下降		66%
C	输出电容器	建议值⁽⁵⁾（使用与 VRESET 上输出电容器相同的值）	1			µF
C	输出电容器	VIN = 8V 时 t_DISCHARGE < 40µs			1	µF
VBIAS 稳压器
V_BIAS	输出电压			18		V
	直流输出电压精度	I_OUT = 10mA	-0.3		0.3	V
	直流负载调整率	I_OUT= 0mA 至 10mA		-18		V/A
	直流线性调整率	I_OUT = 10mA，DRST_VIN = 8V 至 20V		-3		mV/V
V_RIPPLE	输出纹波	I_OUT = 10mA，C_OUT = 470nF		200		mVpp
I_OUT	输出电流		0.1		10	mA
PGOOD	电源正常阈值（标称输出电压的比例）	VBIAS 上升		86%
PGOOD	电源正常阈值（标称输出电压的比例）	VBIAS 下降		66%
C	输出电容器	建议值⁽⁵⁾（使用与输出电容器 VOFFSET/VRESET 相同或更小的值）	470			nF
C	输出电容器	VIN = 8V 时 t_DISCHARGE < 40µs			470	nF
VRESET 稳压器
V_RST	输出电压			-14		V
	直流输出电压精度	I_OUT = 10mA	-0.3		0.3	V
	直流负载调整率	I_OUT= 0mA 至 10mA		-4		V/A
	直流线性调整率	I_OUT = 10mA，DRST_VIN = 8V 至 20V		-2		mV/V
V_RIPPLE	输出纹波	I_OUT = 10mA，C_OUT = 1µF		120		mVpp
I_OUT	输出电流		0.1		10	mA
PGOOD	电源正常阈值			90%
C	输出电容器	建议值⁽⁵⁾（使用与 VOFFSET 上输出电容器相同的值）	1			µF
C	输出电容器	VIN = 8V 时 t_DISCHARGE < 40µs			1	µF
DMD — 降压转换器
输出电压
V_{PWR_1_VOUT}	输出电压			0.8		V
V_{PWR_2_VOUT}	输出电压			1.8		V
	直流输出电压精度	I_OUT = 0mA	-3%		3%
MOSFET
R_ON,H	高侧开关电阻	25°C，V_{PWR_1,2_Boost} – V_{PWR1,2_SWITCH} = 5.5V		150		mΩ
R_ON,L	低侧开关电阻	25°C		85		mΩ
负载电流
	允许的负载电流⁽³⁾。				3	A
I_OCL	电流限制⁽²⁾	L_OUT = 3.3μH	3.2	3.6	4.2	A
导通计时器控制
t_ON	导通时间	V_IN = 12V，V_O = 5V		120		ns
t_OFF(MIN)	最短关断时间⁽²⁾	T_A = 25°C，V_FB = 0V		270		ns
启动
	软启动		1	2.5	4	ms
PGOOD
Ratio_OV	过压保护			120%
Ratio_PG	相对电源正常水平	从低电平到高电平		72%
照明 — LDO ILLUM
V_{ILLUM_VIN}			6	12	20	V
V_{ILLUM_5P5V}				5.5		V
PGOOD	电源正常指示 ILLUM_5P5V	上升		80%
PGOOD	电源正常指示 ILLUM_5P5V	下降		60%
OVP	过压保护 ILLUM_5P5V			7.2		V
	稳压器压降	25mA、V_{ILLUM_VIN} = 5.5V 时		53		mV
	稳压器电流限制⁽²⁾		300	340	400	mA
照明 — 驱动器 A、B
V_{ILLUM_A,B_IN}	输入电源电压范围		6	12	20	V
PWM
ƒ_SW	振荡器频率	3V < V_IN < 20V		600		kHz
t_DEAD	输出驱动器死区时间	HDRV 关闭至 LDRV 打开，TRDLY = 0		28		ns
		HDRV 关闭至 LDRV 打开，TRDLY = 1		40
		LDRV 关闭至 HDRV 打开，TRDLY = 0		35
输出驱动器
R_HDHI	高侧驱动器上拉电阻	V_{ILLUM_A,B_BOOT} – V_{ILLUM_A,B_SW} = 5V，I_HDRV = –100mA		4.9		Ω
R_HDLO	高侧驱动器下拉电阻	V_{ILLUM_A,B_BOOT} – V_{ILLUM_A,B_SW} = 5V，I_HDRV = 100mA		3		Ω
R_LDHI	低侧驱动器上拉电阻	I_LDRV = –100mA		3.1		Ω
R_LDLO	低侧驱动器下拉电阻	I_LDRV = 100mA		2.4		Ω
t_HRISE	高侧驱动器上升时间⁽²⁾	C_LOAD = 5nF		23		ns
t_HFALL	高侧驱动器下降时间⁽²⁾	C_LOAD = 5nF		19		ns
t_LRISE	低侧驱动器上升时间⁽²⁾	C_LOAD = 5nF		23		ns
t_LFALL	低侧驱动器下降时间⁽²⁾	C_LOAD = 5nF		17		ns
过流保护
HSD OC	高侧驱动过流阈值	外部开关，V_DS 阈值⁽²⁾		185		mV
自举二极管
V_DFWD	自举二极管正向电压	I_BOOT = 5mA		0.75		V
PGOOD
RatioUV	欠压保护			89%
内部RGB 频闪控制器开关
R_ON	导通电阻	CH1,2,3_SWITCH		30	45	mΩ
I_LEAK	关断状态漏电流	V_DS = 5.0V			0.1	µA
I_MAX	最大电流			6		A
驱动器外部RGB 频闪控制器开关
CHx_GATE_CNTR_HIGH	栅极控制高电平	ILLUM_SW_ILIM_EN[2:0] = 7，寄存器 0x02，I_SINK = 400µA		4.35		V
CHx_GATE_CNTR_HIGH	栅极控制高电平	ILLUM_SW_ILIM_EN[2:0] = 0，寄存器 0x02，I_SINK = 400µA		5.25		V
CHx_GATE_CNTR_LOW	栅极控制低电平	ILLUM_SW_ILIM_EN[2:0] = 7，寄存器 0x02，I_SINK = 400µA		55		mV
CHx_GATE_CNTR_LOW	栅极控制低电平	ILLUM_SW_ILIM_EN[2:0] = 0，寄存器 0x02，I_SINK = 400µA		55		mV
LED 电流控制
V_{LED_ANODE}	LED 阳极电压⁽²⁾	相对于 V_{ILLUM_A,B_VIN} 的比率（占空比限制）	0.85x
V_{LED_ANODE}	LED 阳极电压⁽²⁾				6.3	V
I_LED	LED 电流	V_{ILLUM_A,B_VIN} ≥ 8V。有关设置，请参阅寄存器 SWx_IDAC[9:0]。	1		16	A
	直流电流偏移，CH1,2,3_SWITCH	R_LIM = 12.5mΩ	-150	0	150	mA
	瞬态 LED 电流限制范围（可编程）	比 I_LED 高 20%。最小设置， R_LIM = 12.5mΩ		11%
	瞬态 LED 电流限制范围（可编程）	比 I_LED 高 20%。最大设置， R_LIM = 12.5mΩ。最大电流百分比		133%
t_RISE	电流上升时间	I_LED 从 5% 到 95%，I_LED = 600mA，瞬态电流限制禁用⁽²⁾			50	µs
降压转换器 — LDO_BUCK
V_{PWR_VIN}	输入电压范围，PWR1,2,6_VIN		6	12	20	V
V_{PWR_5P5V}	PWR_5P5V			5.5		V
PGOOD	电源正常指示 PWR_5P5V	上升		80%
PGOOD	电源正常指示 PWR_5P5V	下降		60%
OVP	过压保护 PWR_5P5V			7.2		V
	稳压器压降	25mA、V_{PWR_VIN} = 5.5V 时		41		mV
	稳压器电流限制⁽²⁾		300	340	400	mA
降压转换器 — 通用降压转换器⁽⁸⁾
输出电压
V_{PWR6_VOUT}	输出电压（通用 Buck2）	8 位可编程	1		5	V
	直流输出电压精度	I_OUT = 0mA	-3.5%		3.5%
MOSFET
R_ON,H	高侧开关电阻	25°C，V_{PWR6_Boost} – V_{PWR6_SWITCH} = 5.5V		150		mΩ
R_ON,L	低侧开关电阻⁽²⁾	25°C		85		mΩ
负载电流
	允许的负载电流 PWR6⁽³⁾。			2		A
I_OCL	电流限制⁽²⁾⁽³⁾	L_OUT = 3.3μH	3.2	3.6	4.2	A
导通计时器控制
t_ON	导通时间	V_IN = 12V，V_O = 5V		120		ns
t_OFF(MIN)	最短关断时间⁽²⁾	T_A = 25°C，V_FB = 0V		270	310	ns
启动
	软启动		1	2.5	4	ms
PGOOD
Ratio_OV	过压保护			120%
Ratio_PG	相对电源正常水平	从低电平到高电平		72%
辅助 LDO
V_{PWR3,4_VIN}	输入电压范围	LDO1 (PWR4)、LDO2 (PWR3)	3.3	12	20	V
PGOOD	电源正常 PWR3,4_VOUT	PWR3,4_VOUT 上升		80%
		PWR3,4_VOUT 下降		60%
OVP	过压保护 PWR3,4_VOUT			7		V
	直流输出电压精度 PWR3,4_VOUT	I_OUT = 0mA	-3%		3%
	稳压器电流限制⁽²⁾		300	340	400	mA
t_ON	导通时间	达到 V_OUT 的 80% = PWR3 和 PWR4，C= 1µF		40		µs
LDO2 (PWR3)
V_{PWR3_VOUT}	输出电压 PWR3_VOUT			2.5		V
	负载电流能力			200		mA
	直流负载调整率 PWR3_VOUT	V_OUT = 2.5V，I_OUT = 5mA 至 200mA		-70		mV/A
	直流线性调整率 PWR3_VOUT	V_OUT = 2.5V，I_OUT = 5mA，PWR3_VIN = 3.3V 至 20V		30		µV/V
LDO1 (PWR4)
V_{PWR4_VOUT}	输出电压 PWR4_VOUT			3.3		V
	负载电流能力			200		mA
	直流负载调整率 PWR4_VOUT	V_OUT = 3.3V，I_OUT = 5mA 至 200mA		-70		mV/A
	直流线性调整率 PWR4_VOUT	V_OUT= 3.3V，I_OUT= 5mA，PWR4_VIN= 4V 至 20V		30		µV/V
	稳压器压降	25mA、V_OUT= 3.3V、V_{PWR4_VIN}= 3.3V 时		48		mV
测量系统
LABB
τ_RC	稳定时间	达到最终值的 1%⁽²⁾。		4.6	6.6	µs
τ_RC	稳定时间	达到最终值的 0.1%⁽²⁾。		7	10	µs
V_{ACMPR_IN_LABB}	输入电压范围 ACMPR_IN_LABB		0		1.5	V
	采样窗口 ACMPR_IN_LABB	每 7µs 可编程一次	7		28	µs
数字控制 — 逻辑电平和时序特性
V_{SPI_VIN}	SPI 电源电压范围	SPI_VIN	1.7		3.6	V
V_OL	输出低电平	RESET_Z、ACMPR_OUT、CLK_OUT。I_O = 0.3mA 灌电流	0		0.3	V
		SPI_DOUT。I_O = 5mA 灌电流	0		0.3 × V_{SPI_VIN}
		INT_Z。I_O = 1.5mA 灌电流	0		0.3 × V_{SPI_VIN}
V_OH	输出高电平	RESET_Z、ACMPR_OUT、CLK_OUT。I_O = 0.3mA 拉电流	1.3		2.5	V
V_OH	输出高电平	SPI_DOUT。I_O = 5mA 拉电流	0.7 × V_{SPI_VIN}		V_{SPI_VIN}	V
V_IL	输入低电平	PROJ_ON、CH_SEL0、CH_SEL1	0		0.4	V
V_IL	输入低电平	SPI_CSZ、SPI_CLK、SPI_DIN	0		0.3 × V_{SPI_VIN}	V
V_IH	输入高电平	PROJ_ON、CH_SEL0、CH_SEL1	1.2			V
V_IH	输入高电平	SPI_CSZ、SPI_CLK、SPI_DIN	0.7 × V_{SPI_VIN}		V_{SPI_VIN}	V
I_BIAS	输入偏置电流	V_IO = 3.3V，任意数字输入引脚			0.1	µA
SPI_CLK	SPI 时钟频率⁽⁴⁾	正常 SPI 模式，DIG_SPI_FAST_SEL = 0，ƒ_OSC = 9MHz	0		36	MHz
SPI_CLK	SPI 时钟频率⁽⁴⁾	快速 SPI 模式，DIG_SPI_FAST_SEL = 1，V_{SPI_VIN} > 2.3V，ƒ_OSC = 9MHz	20		40	MHz
t_DEGLITCH	抗尖峰脉冲时间	CH_SEL0、CH_SEL1⁽²⁾		300		ns
内部振荡器
ƒ_OSC	振荡器频率			9		MHz
	频率精度	T_A= 0°C 至 70°C	-5%		5%
热关断
T_WARN	热警告（HOT 阈值）			120		°C
T_WARN	迟滞			10		°C
T_SHTDWN	热关断（TSD 阈值）			150		°C
T_SHTDWN	迟滞			15		°C

(1) 包含整流二极管

(2) 未经生产测试

(3) 应注意不要超过最大功率耗散。请参阅热特性。

(4) 最大值与振荡器频率 f_OSC 呈线性关系。

(5) 请注意，该电容器在相关电压（即 V_OFFSET、V_BIAS 或 V_RESET）下具有指定的电容

(6) VIN 必须高于 UVLO 电压设置，包括考虑到 VIN 上的交流噪声后，才能确保 DLPA3085 完全运行。虽然支持的 VIN 最小电压为 6.0V，但 TI 建议不要将 UVLO 设置为低于 6.21V，以便实现故障快速断电。6.21V 提供了比 6.0V 略高的裕度，以防因 VIN 电源突然断开而导致 VIN 电压快速下降。如果在微镜停止且 VOFS、VRST 和 VBIAS 电源正确关闭之前未能将 VIN 保持在 6.0V 以上，可能会导致 DMD 永久损坏。由于 6.21V 比 6.0V 高 0.21V，因此当 UVLO 跳闸时，DLPA3085 和 DLPC84xx 有时间停止 DMD 微镜并快速关闭电源 VOFS、VRST 和 VBIAS。无论使用哪种 UVLO 设置，如果 VIN 的电源突然移除，则投影仪内部的 VIN 应包含足够的大容量电容，以在 UVLO 跳闸后至少 100μs 内将 VIN 保持在 6.0V 以上。

(7) UVLO 不应用于正常断电操作，它的作用是提供断电保护。

(8) 当前支持通用 buck2 (PWR6)。

5.6 SPI 时序参数

SPI_VIN = 3.6V ±5%，T_A = 0°C 至 70°C，C_L = 10pF（除非另有说明）。

		最小值	标称值	最大值	单位
f_CLK	串行时钟频率	0		40	MHz
t_CLKL	脉冲宽度低电平，SPI_CLK，50% 电平	10			ns
t_CLKH	脉冲宽度高电平，SPI_CLK，50% 电平	10			ns
t_t	转换时间，20% 至 80% 电平，所有信号	0.2		4	ns
t_CSCR	SPI_SS_Z 下降至 SPI_CLK 上升，50% 电平	8			ns
t_CFCS	SPI_CLK 下降至 SPI_CSZ 上升，50% 电平			1	ns
t_CDS	SPI_MOSI 数据建立时间，50% 电平	7			ns
t_CDH	SPI_MOSI 数据保持时间，50% 电平	6			ns
t_iS	SPI_MISO 数据建立时间，50% 电平	10			ns
t_iH	SPI_MISO 数据保持时间，50% 电平	0			ns
t_CFDO	SPI_CLK 下降至 SPI_MISO 数据有效，50% 电平		13		ns
t_CSZ	SPI_CSZ 上升至 SPI_MISO 高阻态		6		ns