ZHCSWK2 June 2024 TLV9304-Q1
PRODMIX
6.3.7 电过应力
设计人员常常会问到有关运算放大器承受电气过应力 (EOS) 的能力的问题。这些问题侧重于器件输入，同时也会涉及电源引脚甚至输出引脚。这些不同引脚功能的每一个功能具有由独特的半导体制造工艺和连接到引脚的特定电路确定的电气过载限值。此外，这些电路均内置内部静电放电 (ESD) 保护功能，可在产品组装之前和组装过程中保护电路不受意外 ESD 事件的影响。
充分了解 ESD 基本电路及其与电气过载事件的关联性会有所帮助。图 6-9 展示了 TLV930x-Q1 中包含的 ESD 电路（用虚线区域指示）。ESD 保护电路涉及从输入和输出引脚连接并路由回内部供电线路的数个导流二极管，其中二极管在吸收器件或电源 ESD 单元（运算放大器的内在部分）处相接。该保护电路在电路正常工作时处于未运行状态。
图 6-9 与典型电路应用相关的等效内部 ESD 电路ESD 事件持续时间非常短，电压非常高（例如，1kV，100ns），而 EOS 事件持续时间长，电压较低（例如，50V，100ms）。ESD 二极管设计用于电路外 ESD 保护（即在器件被焊接到 PCB 上之前的组装、测试和贮存阶段）。在 ESD 事件中，ESD 信号通过 ESD 导流二极管传递给吸收电路（列为 ESD 电源电路）。ESD 吸收电路将电源钳制在一个安全的水平。
尽管这种行为对于电路外保护来说是必要的，但如果在电路内激活，则会导致过流和损坏。设计人员可以使用瞬态电压抑制器 (TVS) 来防止在电路内 ESD 事件过程中因打开 ESD 吸收电路而导致器件损坏。
确保使用适当的限流电阻器和 TVS 二极管来使用器件 ESD 二极管并保护器件免受 EOS 事件的影响。