ZHCSW26C September   2000  – January 2026 INA117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
  7. 典型特性
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 共模抑制
      2. 7.1.2 传递函数
      3. 7.1.3 测量电流
      4. 7.1.4 噪声性能
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

电气特性

即 TA = 25°C、VS = ±15V、RL = 10kΩ、VREF = 0V、VCM = VS /2 且 G = 1,所有芯片原产地 (CSO),除非另有说明
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOS 失调电压   RTO(P 封装) CSO:SHE 120 1000 µV
CSO:TID 350 1000
RTO(KU 封装) CSO:SHE 600 2000
CSO:TID 350 2000
失调电压漂移 RTO,TA = –40°C 至 85°C CSO:SHE 8.5 µV/°C
CSO:TID 3
长期漂移 200 µV/mo
PSRR 电源抑制比  RTO,VS = ±5V 至 ±18V 74 90 dB
共模电压 (1) -200 200 V
差分电压 -10 10 V
CMRR 共模电压输出抑制 直流,VCM = –200V 至 200V CSO:SHE 70 80 dB
TA = -40°C 至 85°C 75
CSO:TID 70 100
TA = -40°C 至 85°C 70
交流,VCM = -200V 至 200V CSO:SHE 60Hz 66 80
CSO:TID 500Hz 90
1kHz 90
差分输入阻抗 800 kΩ
共模输入阻抗 CSO:SHE 400 kΩ
CSO:TID 200 kΩ
噪声
eN 电压噪声 RTO,fB = 0.1Hz 至 10Hz 25 µVPP 
RTO,f = 1kHz 550 nV/√Hz
增益
GE 增益误差 ±0.01 ±0.05 %
增益误差漂移 TA = -40°C 至 85°C  ±2 ppm/°C
增益非线性(2) CSO:SHE ±0.0002 ±0.001 FSR 百分比
CSO:TID ±0.0005 ±0.001
输出
输出电压 IO 20mA、–5mA CSO:SHE 10 12 V
IO = ±6.75mA CSO:TID 13.5 13.7
输出阻抗 0.01
CL 负载电容 稳态工作模式 CSO:SHE 1 nF
CSO:TID 10
短路电流 持续达 VS/2 CSO:SHE 49、–13 mA
CSO:TID 16、–25
频率响应
BW 带宽,–3dB CSO:SHE 200 kHz
CSO:TID 500
全功率带宽 VO = 20VPP CSO:SHE 30 kHz
VO = 2VPP CSO:TID 32
SR 压摆率 CSO:SHE 1.7 2.6 V/µs
CSO:TID 1.7 5
tS 趋稳时间 至 0.1%,  VO = 10V 阶跃 6.5 µs
达 0.01% VO = 10V 阶跃 10
VCM = 10V step,VDIFF = 0V 4.5
电源
IQ 静态电流 VIN = 0V CSO:SHE 1.5 ±2 mA
CSO:TID 0.8 ±2
输入共模电压随输出电压的变化而变化;请参阅典型特性
通过晶圆测试确定。