ZHCSVU9B April   2024  – June 2025 TMCS1126-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 典型特性
      1. 6.10.1 绝缘特性曲线
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 精度参数
      1. 7.1.1 灵敏度误差
      2. 7.1.2 偏移量误差和偏移量误差漂移
      3. 7.1.3 非线性误差
      4. 7.1.4 电源抑制比
      5. 7.1.5 共模抑制比
      6. 7.1.6 外部磁场误差
    2. 7.2 瞬态响应参数
      1. 7.2.1 CMTI，共模瞬态抗扰度
    3. 7.3 安全工作区
      1. 7.3.1 持续直流或正弦交流电流
      2. 7.3.2 重复脉冲电流 SOA
      3. 7.3.3 单粒子电流能力
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电流输入
      2. 8.3.2 输入隔离
      3. 8.3.3 环境磁场抑制
      4. 8.3.4 高精度信号链
        1. 8.3.4.1 温度稳定性
        2. 8.3.4.2 寿命和环境稳定性
      5. 8.3.5 内部基准电压
      6. 8.3.6 电流检测可测量范围
      7. 8.3.7 过流检测
        1. 8.3.7.1 设置用户可配置过流阈值
          1. 8.3.7.1.1 使用电源电压设置过流阈值
          2. 8.3.7.1.2 使用内部基准电压设置过流阈值
          3. 8.3.7.1.3 设置过流阈值示例
        2. 8.3.7.2 过流输出响应
        3. 8.3.7.3 过流检测 MASK 时间
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电行为
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 总误差计算示例
        1. 9.1.1.1 室温误差计算
        2. 9.1.1.2 整个温度范围内的误差计算
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 器件支持
      1. 10.2.1 开发支持
    3. 10.3 文档支持
      1. 10.3.1 相关文档
    4. 10.4 接收文档更新通知
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.9 电气特性

TA = 25°C，TMCS1126Axx-Q1 上的 VS = 5V，TMCS1126Bxx-Q1 和 TMCS1126Cxx-Q1 上的 VS = 3.3V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
RIN 输入导体电阻 IN+ 至 IN- 0.7 mΩ
RIN 输入导体电阻温度漂移 TA= -40ºC 至 125ºC 2.1 μΩ/°C
IIN,MAX 最大连续输入电流(1) TA = 25ºC 80 ARMS
TA = 125ºC 44
输出
S 灵敏度 TMCS1126x6x-Q1 15 mV/A
TMCS1126xDx-Q1 20
TMCS1126x1x-Q1 25
TMCS1126xCx-Q1 26.4
TMCS1126x7x-Q1 30
TMCS1126x9x-Q1 33
TMCS1126xBx-Q1 39.6
TMCS1126x8x-Q1 40
TMCS1126x2x-Q1 50
TMCS1126xAx-Q1 66
TMCS1126x3x-Q1 75
TMCS1126x4x-Q1 100
TMCS1126xEx-Q1 132
TMCS1126x5x-Q1 150
eS 灵敏度误差：A 级 TMCS1126xxA-Q1，0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±0.1 ±0.4 %
灵敏度误差：B 级 TMCS1126xxB-Q1，0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±0.3 ±1
Sdrift,therm 灵敏度热漂移：A 级 TMCS1126xxA-Q1，0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V，TA = −40°C 至 125°C ±20 ±50 ppm/°C
灵敏度热漂移：B 级 TMCS1126xxB-Q1，0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V，TA = −40°C 至 125°C ±40 ±100
Sdrift, life 灵敏度寿命漂移(2) 0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±0.2 ±0.5 %
eNL 非线性误差：A 级 TMCS1126xxA-Q1，VOUT = 0.1V 至 VS – 0.1V ±0.1 %
非线性误差：B 级 TMCS1126xxB-Q1，VOUT = 0.1V 至 VS – 0.1V ±0.2
VOUT,0A 零电流输出电压 TMCS1126Axx-Q1，IIN = 0A 2.5 V
TMCS1126Bxx-Q1，IIN = 0A 1.65
TMCS1126Cxx-Q1，IIN = 0A 0.33
VOE 输出电压偏移量误差：A 级 TMCS1126x6A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.1 ±0.8 mV
TMCS1126xDA-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126x1A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126xCA-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126x7A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126x9A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126xBA-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.3 ±1.5
TMCS1126x8A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.3 ±1.5
TMCS1126x2A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.3 ±1.5
TMCS1126xAA-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.4 ±2
TMCS1126x3A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.4 ±2
TMCS1126x4A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.5 ±2.5
TMCS1126xEA-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.6 ±3
TMCS1126x5A-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.6 ±3
VOE 输出电压偏移量误差：B 级 TMCS1126x6B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.4 ±1.5 mV
TMCS1126xDB-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126x1B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126xCB-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126x7B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126x9B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126xBB-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.8 ±2.5
TMCS1126x8B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.8 ±2.5
TMCS1126x2B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±0.8 ±2.5
TMCS1126xAB-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±1 ±3
TMCS1126x3B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±1 ±3
TMCS1126x4B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±1.5 ±4.5
TMCS1126xEB-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±2 ±6
TMCS1126x5B-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A ±2 ±6
VOE, drift, therm 输出电压失调热漂移 TMCS1126x6x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±10 ±30 µV/°C
TMCS1126xDx-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±10 ±30
TMCS1126x1x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±10 ±30
TMCS1126xCx-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±15 ±40
TMCS1126x7x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±15 ±40
TMCS1126x9x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±15 ±40
TMCS1126xBx-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±15 ±40
TMCS1126x8x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±15 ±40
TMCS1126x2x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±15 ±40
TMCS1126xAx-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±20 ±50
TMCS1126x3x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±20 ±70
TMCS1126x4x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±30 ±80
TMCS1126xEx-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±40 ±100
TMCS1126x5x-Q1，VOUT,0A − VREF，IIN = 0A，TA = −40°C 至 125°C ±40 ±100
IOS, drift, life 偏移寿命漂移(2) 以输入为基准，(VOUT,0A − VREF) / S，IIN = 0A ±8 ±16 mA
PSRR 电源抑制比：A 级 TMCS1126xxA-Q1，以输入为基准，VS = 3V 至 5.5V，TA = –40ºC 至 125ºC ±10 ±45 mA/V
电源抑制比：B 级 TMCS1126xxB-Q1，以输入为基准，VS = 3V 至 5.5V，TA = –40ºC 至 125ºC ±40 ±80
CMTI 共模瞬态抗扰度(3) VCM = 1000V，ΔVOUT < 200mV，1µs 150 kV/µs
CMRR 共模抑制比 以输入为基准，直流至 60Hz 5 µA/V
CMFR 共模场抑制 均匀外部磁场，以输入为基准，直流至 1kHz 10 mA/mT
输入噪声密度 以输入为基准，全带宽 150 μA/√Hz
CL,MAX 最大电容负载 VOUT 至 GND 4.7 nF
短路输出电流 VOUT 接地短路，对 VS 短路 50 mA
摆幅 VS 相对于 VS 电源轨的摆幅 RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40ºC 至 125ºC VS - 0.02 VS - 0.05 V
摆幅 GND 到 GND 的摆幅 5 10 mV
带宽和响应
BW 模拟带宽 - 3dB 增益 550 kHz
SR 压摆率(4) 达到最终值的 10% 和 90% 之间的输出变化率，如图 7-2 所示，输入阶跃为 100ns 6 V/µs
tr 响应时间(4) 输入和输出达到最终值的 90% 之间的时间，如图 7-2 所示，输入阶跃为 100ns，输出转换为 1V 250 ns
tpd 传播延迟(4) 输入和输出达到最终值的 10% 之间的时间，如图 7-2 所示，输入阶跃为 100ns，输出转换为 1V 60 ns
电流过载恢复时间 300 ns
集成基准
VREF 基准输出电压：A 级 TMCS1126AxA-Q1 2.496 2.5 2.504 V
TMCS1126BxA-Q1 1.647 1.65 1.653
TMCS1126CxA-Q1 0.329 0.33 0.331
基准输出热漂移：A 级 TMCS1126AxA-Q1 20 50 µV/°C
TMCS1126BxA-Q1 15 33
TMCS1126CxA-Q1 3 7
基准输出寿命漂移：A 级 TMCS1126AxA-Q1 ±1.3 ±2.5 mV
TMCS1126BxA-Q1 ±0.9 ±1.7
TMCS1126CxA-Q1 ±0.3 ±0.5
VREF 基准输出电压：B 级 TMCS1126AxB-Q1 2.49 2.5 2.51 V
TMCS1126BxB-Q1 1.64 1.65 1.66
TMCS1126CxB-Q1 0.32 0.33 0.34
基准输出热漂移：B 级 TMCS1126AxA-Q1 40 100 µV/°C
TMCS1126BxA-Q1 25 65
TMCS1126CxA-Q1 5 15
基准输出寿命漂移：B 级 TMCS1126AxB-Q1 ±3 ±5 mV
TMCS1126BxB-Q1 ±2 ±3.5
TMCS1126CxB-Q1 ±0.6 ±1
基准输出电压 PSRR VS = 3V 至 5.5V 80 150 µV/V
最大基准输出容性负载 20 nF
基准输出电压负载调节 VREF 负载 = -5mA、0mA、5mA 0.25 mV/mA
过流检测
VOC 过流检测阈值电压 VOC = S x IOC/2.5 0.3 VS V
ROC 过流输入阻抗 120 kΩ
过流迟滞 TMCS1126x6x-Q1 8.4 A
TMCS1126xDx-Q1 8.4
TMCS1126x1x-Q1 4.5
TMCS1126xCx-Q1 4.5
TMCS1126x7x-Q1 3.6
TMCS1126x9x-Q1 3.4
TMCS1126xBx-Q1 4.7
TMCS1126x8x-Q1 4.7
TMCS1126x2x-Q1 3.5
TMCS1126xAx-Q1 2.5
TMCS1126x3x-Q1 2.2
TMCS1126x4x-Q1 1.4
TMCS1126xEx-Q1 2.7
TMCS1126x5x-Q1 2.7
IOC 误差 TA = -40°C 至 125°C ±2 ±10 %
过流检测响应时间 IIN 步进 = 120% 的 IOC 100 250 ns
tMASK 过流检测 MASK 时间(5) TMCS1126xx1 和 TMCS1126xx2，IIN 步进 = 120% 的 IOC 1.25 µs
OC,OL OC 引脚下拉电压 IOL = 3mA。TA = -40°C 至 125°C GND 0.07 0.2 V
电源
VS 电源电压 TA = –40ºC 至 125ºC 3.0 5.5 V
IQ 静态电流 TA = 25ºC 11 14 mA
TA = –40ºC 至 125ºC 14.5 mA
上电时间 从 VS > 3V 到有效输出的时间 34 ms
(1) 受结温热限制，请参阅绝对最大额定值。当器件安装在 TMCS1126xEVM 上时适用。更多详细信息，请参阅安全工作区部分。
(2) 基于三批 AEC-Q100 认证应力测试结果的寿命和环境漂移规格。典型值是来自最坏情况应力测试条件的总体平均值 +1σ。最大值是测试器件总体平均值 ±6σ。在所有应力条件下，通过 AEC-Q100 认证测试的器件均保持在最大限制范围内。有关更多详细信息，请参阅寿命和环境稳定性。
(3) 有关共模瞬态响应的详细信息，请参阅共模瞬态抗扰度 部分。
(4) 有关器件的瞬态响应的详细信息，请参阅瞬态响应 部分。
(5) 有关 MASK 的过电流响应时间的详细信息，请参阅过电流检测 MASK 时间 部分。