ZHCSVL2 June   2024 TDP2044

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 直流电气特性
    6. 5.6 高速电气特性
    7. 5.7 SMBus/I2C 时序特性
    8. 5.8 典型特性
    9. 5.9 典型抖动特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 线性均衡
      2. 6.3.2 平坦增益
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 工作模式
      2. 6.4.2 待机模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 引脚模式
        1. 6.5.1.1 五电平控制输入
      2. 6.5.2 SMBus/I2C 寄存器控制接口
        1. 6.5.2.1 共享寄存器
        2. 6.5.2.2 通道寄存器
      3. 6.5.3 SMBus/I 2 C 主模式配置（EEPROM 自加载）
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 仅 USB Type-C DP 源应用
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.5.2.2 通道寄存器

表 6-10 EQ 增益控制寄存器（通道寄存器基址 + 偏移 = 0x01）
位字段类型复位说明
7eq_stage1_bypass读/写0x0

启用 EQ 1 级 1 旁路：

0：禁用旁路

1：旁路启用

6eq_stage1_3读/写0x0

EQBoost 1 级控制

有关详细信息，请参阅表 6-1

5eq_stage1_2读/写0x0
4eq_stage1_1读/写0x0
3eq_stage1_0读/写0x0
2eq_stage2_2读/写0x0

EQ 升压 2 级控制

有关详细信息，请参阅表 6-1

1eq_stage2_1读/写0x0
0eq_stage2_0读/写0x0
表 6-11 EQ 增益/平坦增益控制寄存器（通道寄存器基数 + 偏移 = 0x03）
位字段类型复位说明
7RESERVEDR0x0保留
6eq_profile_3读/写0x0

EQ 中频升压曲线

有关详细信息，请参阅表 6-1

5eq_profile_2读/写0x0
4eq_profile_1读/写0x0
3eq_profile_0读/写0x0
2flat_gain_2读/写0x1

平坦增益选择：

有关详细信息，请参阅表 6-2

1flat_gain_1读/写0x0
0flat_gain_0读/写0x1
表 6-12 TI 测试模式控制寄存器（通道寄存器基址 + 偏移 = 0x04）
位字段类型复位说明
7-3、1-0RESERVEDR0x0保留
2TI 测试模式读/写0x0

设置 TI 测试模式：

0：测试模式已启用

1：测试模式已禁用。必须设置为“1”才能正常运行。

表 6-13 PD 覆盖寄存器（通道寄存器基址 + 偏移 = 0x05）
位字段类型复位说明
7device_en_override读/写0x0通过 SMBus/I2C 启用断电覆盖

0：手动覆盖被禁用

1：手动覆盖已启用

6-0device_enR/W0x111111转接驱动器各种通道块的手动断电 – 由 device_en_override = 1 控制

111111：通道中的所有块均启用

000000: 通道中的所有块均禁用

表 6-14 偏置寄存器（通道寄存器基址 + 偏移 = 0x06）
位字段类型复位说明
5-3偏置电流读/写0x100控制偏置电流

设置 001 以获得更高性能

7、6、2-0保留读/写0x00000被保留