ZHCSV99D February   1997  – December 2025 XTR105

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 电气特性
    5. 5.5 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 线性化
        1. 6.3.1.1 高电阻 RTD
      2. 6.3.2 电压稳压器
      3. 6.3.3 开路保护
      4. 6.3.4 反向电压保护
      5. 6.3.5 浪涌保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 外部晶体管
      2. 7.1.2 环路电源
      3. 7.1.3 2 线和 3 线 RTD 连接
      4. 7.1.4 射频干扰
      5. 7.1.5 误差分析
    2. 7.2 典型应用
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 器件支持
        1. 8.1.1.1 器件命名规则
      2. 8.1.2 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.1.4 射频干扰

电流环路的长导线长度会产生射频 (RF) 干扰。RF 可由导致误差的 XTR105 的灵敏输入电路整流。这通常表现为不稳定的输出电流，该电流随环路电源或输入接线的位置而变化。

如果 RTD 传感器位于远处，干扰可能会进入输入终端。对于与传感器连接较短的集成发送器组件，干扰更可能来自电流环路连接。

输入端的旁路电容器可减少或消除这种输入干扰。将这些旁路电容器连接至 IRET 端子（请参阅 图 7-4）。虽然 IRET 端子上的直流电压不等于 0V（在环路电源 VPS 处），但该电路点可视为发送器接地。V+ 与 IO 之间连接的 0.01µF 电容器有助于更大限度地降低输出干扰。

XTR105 带线性化的输入旁路技术图 7-4 带线性化的输入旁路技术