ZHCSUL8B December   2023  – September 2025 DRV8334

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚功能 48 引脚 DRV8334 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 DRV8334 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 带 SPI 启用控制的 3x PWM 模式
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM 模式
          5. 6.3.1.1.5 SPI 栅极驱动模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 GVDD 电荷泵/LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP 涓流电荷泵
          4. 6.3.1.2.4 栅极驱动器输出
          5. 6.3.1.2.5 无源和半有源下拉电阻器
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          7. 6.3.1.2.7 传播延迟
          8. 6.3.1.2.8 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.2.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.2.2 双向电流检测操作
      3. 6.3.3 栅极驱动器关断
        1. 6.3.3.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.3.2 栅极驱动器关断时序
      4. 6.3.4 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.4.1  PVDD 电源欠压警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 电源过压故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 过压故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 过压故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 监测保护
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 相位比较器
        16. 6.3.4.16 热关断 (OTSD)
        17. 6.3.4.17 热警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI 看门狗计时器
        20. 6.3.4.20 相位诊断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 运行模式
      2. 6.4.2 器件上电序列
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI 格式
      3. 6.5.3 SPI 格式图
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 状态寄存器
    2. 7.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 8.2.1.1 外部组件
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

5.3 建议运行条件

在工作温度范围内（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VVM 电源电压 PVDD
完整器件功能。仅当来自较高 PVDD 时，在 PVDD = 4.5V 下运行。用于启动的最小 PVDD = 4.85V		 4.5 36 V
VVM 用于逻辑运行的电源电压 PVDD、逻辑和 SPI 在电池从用于启动的最小 PVDD 跌落后仍正常工作（在电池瞬时电压跌落期间，但器件功能此前完全正常） 4.0 60 V
VVDRAIN 高侧 MOSFET 漏极电压 VDRAIN，全功能 4.5 60 V
VVDRAIN 高侧 MOSFET 漏极电压 VDRAIN，有限功能（VDS 监视器）。  GVDD、TCP/VCP、BST 和栅极驱动器正常工作。 0 60 V
VBST 以 SHx 为基准的自举引脚电压 nSLEEP =高电平、PWM 开关、栅极驱动器正常工作(1) 3.9 20 V
IVCP VCP 外部负载 VCP，PVDD < 8V 3 mA
IVCP VCP 外部负载 VCP、PVDD > 8V 5 mA
VIN 逻辑输入电压 DRVOFF、INHx、INLx 0 5.5 V
VIN 逻辑输入电压 nSLEEP， 0 60 V
VIN 逻辑输入电压 SCLK、SDI、nSCS 0 5.5 V
VOD 开漏上拉电压 nFAULT 5.5 V
IOD 开漏输出上拉电阻器  nFAULT 5 KΩ
IOD 开漏输出电流 SDO、PHC、DC 条件 -1 mA
IGS 总平均栅极驱动电流（低侧和高侧相结合） IGHxIGLx 50 mA
VVREF 电流检测放大器基准电压 VREF 3 5.5 V
VSL SLx 直流电压 SLx 引脚，直流条件 -2 2 V
VCM_CSA 电流感测输入共模电压 SP、SN -2 2 V
TA 工作环境温度 -40 125 °C
TJ 工作结温 -40 150 °C
(1) 用户需要参考过压/欠压检测阈值 VBST_OV/VBST_UV 以及外部 MOSFET 的要求来核查 VBST。