ZHCSU85A December 1999 – December 2025 INA148
PRODUCTION DATA
测试条件:TA = +25°C,VS = ±15V,RL = 10kΩ 接公共端,VREF = 0V,且适用于所有芯片产地 (CSO),除非另有说明



图 5-9 电压噪声 (RTI) 0.1Hz 至 10Hz
图 5-13 大信号阶跃响应与温度间的关系
图 5-17 大信号阶跃响应(RL = 10kΩ,CL = 10pF)
图 5-25 失调电压产生分布
图 5-27 偏移电压漂移产生分布
图 5-29 增益漂移生产分配
图 5-8 输入电压噪声频谱密度
图 5-10 静态电流与温度间的关系


图 5-24 失调电压产生分布
图 5-26 偏移电压漂移产生分布
图 5-28 增益漂移生产分配