ZHCSTR8A June 2025 – December 2025 TPSI2260-Q1
PRODUCTION DATA
组件放置：
用于初级侧 VDD 电源的去耦电容器必须尽可能靠近器件引脚放置。
EMI 注意事项：
TPSI2260-Q1 采用具有 2MHz 功率传输频率的展频调制 (SSM) 来提高其 EMI 能力。在大多数应用中，无需考虑额外的系统设计注意事项即可满足 CISPR 25 5 类标准性能要求。
如果次级侧需要 CISPR25 5 类，建议使用分裂限流电阻器配置以获得最佳 EMI 性能，如 TPSI2260-Q1 布局示例所示。
ESD 注意事项：
无需其他元件即可通过 IEC 61000-4-2 标准的最高 6kV 接触测试。
如果需要大于 6kV 的接触冲击，分阻配置会将 ESD 性能提高到大于 8kV 的接触。或者，可以在初级侧和次级侧之间添加 ESD 电容器，以提高非分裂电阻架构中的 ESD 性能。
高电压注意事项：
应根据系统要求，保持 TPSI2260-Q1 从初级侧到次级侧的爬电距离和从 S1 引脚到 S2 引脚的爬电距离。系统设计人员很可能会避免在封装主体下方或 S1、SM 和 S2 引脚之间进行任何顶层 PCB 布线。