ZHCSTR6B September 1999 – December 2025 INA146
PRODUCTION DATA
测试条件:TA = 25°C,VS = ±15V,G = 0.1,RL = 10kΩ(接地),VREF = VS / 2,所有芯片源位置 (CSO),除非另有说明
图 5-1 失调电压产生分布
图 5-3 偏移电压漂移产生分布
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图 5-9 输入电压噪声密度
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图 5-15 增益和相位与频率间的关系运算放大器 A1 和 A2
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图 5-21 微小信号阶跃响应(G = 0.1,CL = 1000pF)
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图 5-2 失调电压产生分布
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图 5-16 稳定时间与负载电容间的关系| CSO:TID |

图 5-22 微小信号阶跃响应(G = 1,CL = 1000pF)| CSO:TID |