ZHCST26E May   1999  – December 2024 LM6172

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性 ±15V
    6. 5.6 电气特性 ±5V
    7. 5.7 典型特性：D（SOIC，8）封装
    8. 5.8 典型特性：P（PDIP，8）封装
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 压摆率
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 电路运行
      2. 7.1.2 缩短稳定时间
      3. 7.1.3 驱动容性负载
      4. 7.1.4 对输入电容进行补偿
      5. 7.1.5 端接
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用电路
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 电源旁路
      2. 7.3.2 功率耗散
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 印刷电路板和高速运算放大器
        2. 7.4.1.2 使用探头
        3. 7.4.1.3 元件选择和反馈电阻器
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.4 热性能信息

热指标(1) LM6172 单位
D (SOIC) P (PDIP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 172 108 ℃/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 62.4 52.4 ℃/W
RθJB 结至电路板热阻 55.7 51.9 ℃/W
ΨJT 结至顶部特征参数 16.5 6.8 ℃/W
ΨJB 结至电路板特征参数 55.1 51.1 ℃/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 不适用 ℃/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用报告。