ZHCSSC7D February   2023  – October 2025 MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源斜坡
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC 典型频率精度
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
    13. 7.13 典型连接图
    14. 7.14 温度传感器
    15. 7.15 VREF
      1. 7.15.1 电压特性
      2. 7.15.2 电气特性
    16. 7.16 GPAMP
      1. 7.16.1 电气特性
      2. 7.16.2 开关特性
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C 时序图
      2. 7.17.2 I2C 特性
      3. 7.17.3 I2C 滤波器
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI 时序图
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 TRNG
      1. 7.21.1 TRNG 电气特性
      2. 7.21.2 TRNG 开关特性
    22. 7.22 仿真和调试
      1. 7.22.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G310x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 TRNG
    17. 8.17 AES
    18. 8.18 CRC
    19. 8.19 UART
    20. 8.20 I2C
    21. 8.21 SPI
    22. 8.22 CAN-FD
    23. 8.23 WWDT
    24. 8.24 RTC
    25. 8.25 计时器 (TIMx)
    26. 8.26 器件模拟连接
    27. 8.27 输入/输出图
    28. 8.28 串行线调试接口
    29. 8.29 引导加载程序 (BSL)
    30. 8.30 器件出厂常量
    31. 8.31 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.4 热性能信息

热指标(1) 封装 值 单位
RθJA 结至环境热阻 VQFN-32 (RHB) 32.1 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 23.6 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 13.0 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 0.3 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 13.0 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 3.3 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VSSOP-28 (DGS28) 78.9 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 38.6 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 41.3 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 3.4 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 41.0 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VSSOP-20 (DGS20) 91.3 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 29.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 48.3 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 0.7 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 47.9 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。