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  • TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP 1.5A 超低噪声、高 PSRR 耐辐射加固型低压降 (LDO) 线性稳压器

    • ZHCSRP0F February   2023  – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

      PRODUCTION DATA  

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  • TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP 1.5A 超低噪声、高 PSRR 耐辐射加固型低压降 (LDO) 线性稳压器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 质量合格检验
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  辅助电源
      2. 8.3.2  输出电压配置
      3. 8.3.3  使用电压源的输出电压配置
      4. 8.3.4  启用
      5. 8.3.5  软启动和降噪
      6. 8.3.6  可配置电源正常
      7. 8.3.7  电流限值
      8. 8.3.8  稳定性
        1. 8.3.8.1 输出电容
        2. 8.3.8.2 补偿
      9. 8.3.9  均流
      10. 8.3.10 PSRR
      11. 8.3.11 噪声
      12. 8.3.12 热关断
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用 1：使用 EN 设置导通阈值
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 辅助电源
          2. 9.2.1.2.2 输出电压配置
          3. 9.2.1.2.3 输出电压精度
          4. 9.2.1.2.4 启用阈值
          5. 9.2.1.2.5 软启动和降噪
          6. 9.2.1.2.6 可配置电源正常
          7. 9.2.1.2.7 电流限值
          8. 9.2.1.2.8 输出电容器和铁氧体磁珠
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 应用 2：并行运行
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 均流
        3. 9.2.2.3 应用结果
    3. 9.3 已测试的电容器
    4. 9.4 TID 效应
    5. 9.5 电源相关建议
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
  14. 重要声明
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Data Sheet

TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP 1.5A 超低噪声、高 PSRR 耐辐射加固型低压降 (LDO) 线性稳压器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

1 特性

  • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 为 100krad(Si) 或 50krad(Si)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子瞬变 (SET) 对于 LET 的额定值高达 75MeV-cm2/mg
  • 超低噪声 (10Hz – 100kHz)：
    • 1.71µVRMS（典型值）
  • 高电源抑制比，PSRR（典型值）：
    • 1kHz 时为 109dB
    • 100kHz 时为 71dB
    • 在 1MHz 时为 66dB
  • 输入电压范围：0.85 V 至 7 V
  • 2.2V 至 14V 的辅助电源，可更大限度降低功率耗散
  • 输出电压低至 0.4 V
  • 高达 1.5A 输出电流
  • 在线路和负载范围内出色的输出精度：
    • 整个温度范围内 -1.3% 至 +1.2%
    • 25°C 时为 –0.7% 至 +0.9%
  • 低压降：1.5A 时为 215mV（典型值）
  • 可编程软启动控制 (SS_SET)
  • 开漏电源正常状态 (PG) 指示器
  • 可配置电源正常阈值 (FB_PG)
  • 带有外部补偿 STAB 引脚的外露控制环路
  • 具有可配置行为的内部电流限制
  • 电流共享，支持高达 2.9A 的运行电流
  • 军用级温度范围（–55°C 至 125°C）

2 应用

  • 卫星电力系统 (EPS)
  • 适用于高速和高精度电路的电源
    • 数据转换器：ADC 和 DAC（模数转换器和数模转换器）
    • VCO（压控振荡器）
    • PLL（锁相环）
    • SerDes（串行器和解串器）
    • 图像传感器
  • 为 FPGA（现场可编程门阵列）和 DSP（数字信号处理器）提供精确电源
  • 用于空间受限区域的耐辐射超洁净模拟电源

3 说明

TPS7H1111 是一款超低噪声、高 PSRR、低压降线性稳压器 (LDO)，针对为航天环境中的射频 (RF) 器件供电进行了优化。它能够在 0.85V 至 7V 输入范围内提供高达 1.5A 的电流，并由 2.2V 至 14V 的辅助电源供电。

该器件具有高性能，可抑制电源产生的相位噪声和时钟抖动，因此它非常适合为高性能 ADC、DAC、VCO、PLL、串行器/解串器和卫星中的其他射频元件供电。对于需要低电压运行的数字负载（如 FPGA 和 DSP），超高的精度和出色的瞬态性能可确保实现出色的系统性能。

QML 型号 5962R21203 提供了标准微电路图 (SMD)。-SEP 型号 V62/23602 提供了供应商项目图 (VID)。

器件信息
器件型号(1) 等级 封装(2)
5962R2120301VXC QMLV-RHA 14 引脚陶瓷8.03mm × 9.12mm质量 = 1.23g
TPS7H1111HBL/EM 工程样片
5962R2120302PYE QMLP-RHA 28 引脚塑料4.40mm x 9.70mm 质量 = 198mg
TPS7H1111MPWPTSEP 9 月
(1) 有关更多信息，请查看器件选项表。
(2) 尺寸和质量值为标称值。
GUID-20200813-CA0I-GGF2-WFJK-ZQD546X6HSGX-low.png典型应用电路

4 器件选项表

通用器件型号 辐射等级(1) 等级(2) 封装 可订购器件型号
TPS7H1111-SP TID 为 100krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg		 QMLV-RHA 14 引脚 CFP HBL 5962R2120301VXC
QMLP-RHA 28 引脚 HTSSOP PWP 5962R2120302PYE
无 工程模型(3) 14 引脚 CFP HBL TPS7H1111HBL/EM
TPS7H1111-SEP TID 为 50krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 43MeV-cm2/mg		 增强型航天塑料 28 引脚 HTSSOP PWP TPS7H1111MPWPTSEP
SN0014HBL 不适用 机械“虚拟”封装（无芯片） 14 引脚 CFP HBL SN0014HBL
(1) TID 是总电离剂量，DSEE 是破坏性单粒子效应。每个产品的关联 TID 报告和 SEE 报告中提供了额外信息。
(2) 有关器件等级的其他信息，请查看 SLYB235。
(3) 这些器件仅适用于工程评估。它们按照不合规流程进行处理（例如，未进行老化处理，仅在 25°C 下进行测试）。这些器件不适用于鉴定、量产、辐射测试或飞行。器件在温度范围以外或超过使用寿命时的性能不受保证。

5 引脚配置和功能

HBL 封装 PWP 封装
14 引脚 CFP 28 引脚 HTSSOP
（俯视图） （俯视图）
GUID-20220809-SS0I-SBNV-K0KX-PPDCQFGZ0RDF-low.svg GUID-20220809-SS0I-SSKM-SLPG-1KB8JQK6W7XQ-low.svg
表 5-1 引脚功能
引脚 I/O(1) 说明
名称 HBL (14) 编号 PWP (28) 编号
BIAS 1 3 I 辅助电源。为了支持最大输出电流，如果余量电压低于 1.6V (Vheadroom = Vin – Vout < 1.6V)，则需要单独的辅助电源。将单独的辅助电源设置为至少比 VOUT 高 1.6V 的电压，以支持最大输出电流。12V 辅助电源可满足这些条件（通常 5V 电源也足够了）。VBIAS 和 VIN 之间没有时序要求。 为了限制 BIAS 上的噪声，除非 VBIAS 是超洁净电源，否则建议使用 RC 滤波器（通常为 10Ω 和 4.7μF）。如果未使用单独的辅助电源，则将 BIAS 连接至 VIN（还建议通过 RC 滤波器将 VIN 电源轨连接至 BIAS 引脚）。
EN 2 4 I 使能。将此引脚驱动为逻辑高电平可启用器件；将引脚驱动为逻辑低电平可禁用器件。如果不需要启用功能，则将此引脚连接至 IN。请勿将该引脚悬空。
IN 3、4 6、7、8 I 输入电源。建议在此引脚附近使用一个输入电容器（标称值为 10μF）。
CLM 5 9 I 限流模式。将 CLM 连接至 VIN 以实现砖墙式电流限制模式（当达到电流限制时，调节 VOUT 以保持恒定的输出电流，直至消除故障）。将 CLM 连接至 GND 以实现关断电流限制模式（当达到电流限制时，VOUT 停止调节，直至切换 EN）。启用器件时，请勿更改此引脚的值，也不要将此引脚悬空。
GND 6 10、11 — 地。
PG 7 12 O 电源正常指示。这是一个开漏引脚。使用上拉电阻器将此引脚上拉至 VOUT 或期望的逻辑电平。如果未使用 PG，建议将其下拉至地，但也可以将其保持悬空状态。
REF 8 18 I/O 基准引脚。REF 输出标称 1.2V 电压。在 REF 至 GND 之间放置一个高精度 12.0kΩ 外部电阻器，以设置内部 100μA 电流源。
SS_SET 9 19 I/O 软启动和电压设置引脚。使用外部电容器（标称值为 4.7μF 的陶瓷电容器）在启动期间降低输出电压斜升速率，同时滤除内部器件噪声。低于 4.7μF 的电容器值会导致出现略高的输出噪声。有一个内部快速启动电路可实现合理的软启动时间。此外，连接在 SS_SET 至 GND 之间的电阻器可设置输出电压。在标称运行期间，此引脚上输出 100μA，而 SS_SET 至 GND 之间的电阻器用于设置输出电压。
STAB 10 20 I/O 稳定性引脚。这是来自内部 OTA（运算跨导放大器）误差放大器的输出，有助于测量或优化控制环路。使用 4.7nF 和 5kΩ 的串联电容器 (CCOMP) 和电阻器 (RCOMP) 来补偿器件。有关不同的补偿选项，请查看节 8.3.8.2。建议使用能够承受 VBIAS 或 7.5V 中较低者的 C0G (NP0) 型电容器（例如，额定电压为 25V 的电容器）。
OUT 11、12 21、22、23 O 输出功率引脚。稳定输出电压。建议使用单个 220µF 或两个 100µF 的钽或钽聚合物电容器。有关更多信息，请参阅节 8.3.8.1。
OUTS 13 25 I 输出检测引脚。此引脚用于检测输出电压以进行调节。将 OUTS 连接至期望稳压点（遥感）处的 OUT 引脚。
FB_PG 14 26 I 反馈和电源正常引脚。FB_PG 引脚用于设置可配置的电源正常阈值。通过电阻分压器将输出电压馈送到此引脚来实现此功能（典型阈值为 300mV）。达到阈值时，PG 被置为有效。 此外，当达到此引脚上的阈值时，启动结束，并且禁用内部快速启动电路。如果此引脚直接连接至 OUT，则快速启动操作会停止，并且在 VOUT 达到 300mV（典型值）后 PG 会置为有效。
NC 1、2、5、13、14、15、16、17、24、27、28 — 无连接。这个引脚不是内部连接。建议将这些引脚连接至 GND 以防止电荷积聚；但是，这些引脚也可以保持断开或连接至 GND 和 VBIAS 之间的任何电压。
散热焊盘 — 陶瓷封装散热焊盘在内部通过导电路径连接到芯片的背面，并连接到 GND 引脚。建议将该金属散热焊盘连接到一个较大的接地层上，以便实现有效散热。塑料封装散热焊盘通过导电路径连接到芯片的背面，但它未在内部接地。将散热焊盘连接到一个较大的接地层上以实现有效散热，并提供芯片背面至 GND 的连接以确保正常运行。
金属盖 Lid 不适用 — 盖子从内部通过密封圈连接到散热焊盘和 GND。
(1) I = 输入；O = 输出；I/O = 输入或输出；— = 其他

6 规格

6.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
输入电压  IN –0.3 7.5 V
BIAS  -0.3 16
EN、PG、FB_PG、OUTS、CLM –0.3 7.5
输出电压 OUT -0.3 7.5 V
SS_SET、REF、STAB –0.3 7.5
输入电流 PG -0.001 0.01 A
输出电流 OUT -2 2.25 A
结温 TJ -55 150 °C
贮存温度 Tstg –65 150 °C
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。

6.2 ESD 等级

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001，所有引脚(1) ±2000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准，所有引脚(2) ±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

6.3 建议运行条件

在工作温度范围 TJ = -55°C 至 125°C 内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
输入电压 IN 0.85 7 V
BIAS(1) VIN VOUT + 1.6V
2.2 14
PG 0 7
EN 0 7
FB_PG 0 6
CLM 0 VIN
输出电压 OUT(2) VIN – VDO V
0.4 5.5
SS_SET(2) VIN – VDO
0.4 5.5
输入电流 PG 0 0.002 A
输出电流 OUT 0 1.5 A
输出大容量电容(3) COUT 132 200 308 µF
ESR 7 40 mΩ
ESL 0.8 2.4 nH
基准配置 RREF 11 12 13 kΩ
EN 切换时间(4) tEN_LOW 20 µs
结温 TJ –55 125 °C
(1) BIAS 有两个最小值 VIN 和 2.2V。BIAS 必须设置为大于或等于这两个值中的较大者。BIAS 最大值始终为 14V。要充分发挥性能，请设置 VBIAS ≥ VOUT + 1.6V。有关更多详细信息，请参阅辅助电源 部分。
(2) OUT 和 SS_SET 有两个最大值 (VIN – VDO) 和 5.5V。OUT 和 SS_SET 必须设置为小于或等于这两个值中的较小者。OUT 和 SS_SET 最小值始终为 0.4V。
(3) 这些是大容量电容的默认可接受输出电容、等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL) 值。可能也可以接受其他值，例如使用 STAB 引脚通过外部补偿修改控制环路。通常使用钽或钽聚合物电容器来满足这些要求。不需要额外的陶瓷去耦电容器，但可接受在负载点附近使用具有低 ESL 的单个 0.1μF 陶瓷电容器。

由于 TPS7H1111 LDO 在宽带宽范围内提供高 PSRR 和低噪声，因此无需额外的较大陶瓷电容器。因此，TPS7H1111 不支持较大的陶瓷电容器。有关更多信息，请参阅输出电容 部分。
(4) tEN_LOW 是为检测复位而将器件再次驱动为高电平之前必须将 EN 引脚驱动为低电平的时间。这通常仅在尝试退出关断电流限制模式时适用。 

6.4 热性能信息

热指标(1) TPS7H1111-SP TPS7H1111-SEP TPS7H1111-SP 单位
CFP HBL PWP (HTSSOP) PWP (HTSSOP)
14 引脚 28 引脚 28 引脚
RθJA 结至环境热阻 25.1 24.7 24.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 6.3 15.6 15.8 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 9.3 6.6 6.4 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 1.4 0.2 0.2 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 9.1 6.6 6.4 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 0.5 1.0 0.7 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。

6.5 电气特性

在 0.85V ≤ VIN ≤ 7V、VBIAS ≥ VOUT + 1.6V（VIN ≤ VBIAS ≤ 14V 且 VBIAS ≥ 2.2V）、VOUT(target) ≤ VIN – 1.6V、IOUT = 1mA、COUT = 220µF(1)、RREF = 12.0kΩ，以及工作温度范围（TA = –55°C 至 125°C）内（典型值为 TA = 25°C）测得，除非另有说明；如果 QML RHA 和 SEP 器件存在子组编号，则包括 TA = 25°C 时的 RLAT(2)
参数 测试条件 子组(3) 最小值 典型值 最大值 单位
电源和电流
VDO 压降电压，
VBIAS ≥ VOUT + 1.6V		 0.85V ≤ VIN ≤ 7V，
VOUT = 98.5% × VOUT(NOM)		 IOUT = 0.1 A 1、2、3 17 40 mV
IOUT = 0.5A 1、2、3 75 150
IOUT = 1A 1、2、3 110 280
IOUT = 1.5A 1、2、3 215 430
VDO 压降电压，VBIAS = VIN 2.2V ≤ VIN ≤ 7V，
VOUT = 98.5% × VOUT(NOM)		 IOUT = 0.1 A 1、2、3 785 1100 mV
IOUT = 0.5A 1、2、3 908 1150
IOUT = 1A 1、2、3 1063 1250
IOUT = 1.5A 1、2、3 1168 1400
ILIM 输出电流限制 2.5V ≤ VIN ≤ 7V
VOUT = 0.5V，
VCLM = VIN		 TA = -55°C 3 1.8 1.95 2.1 A
TA = 25°C 1 1.75 1.85 2
TA = 125°C 2 1.7 1.8 1.95
ICLM(LKG) CLM 输入漏电流 VCLM = 7V 1、2、3 5 150 nA
IQ_IN 静态电流 VEN = 7V，IOUT = 0A
1、2、3

 19 27 mA
IQ_BIAS 无输出负载时的偏置电流 VEN = 7V，IOUT = 0A
1、2、3

 16 25
IIN_GND IIN – IOUT，满输出负载 VEN = 7V，IOUT = 1.5A
1、2、3

 20 27 mA
IBIAS 满输出负载时的偏置电流 VEN = 7V，IOUT = 1.5A
1、2、3

 17 25
ISHDN 关断电流 VEN = 0V，IOUT = 0A，VOUT = 0V
1、2、3

 20 350 µA
ISHDN_BIAS 关断偏置电流 VEN = 0V，IOUT = 0A，VOUT = 0V
1、2、3

 550 1000
精度
VACC 输出电压精度
 1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A，
2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V(4)，
PD ≤ 4W(5)		 –55°C ≤ TA ≤ 125°C 1、2、3 -1.3% 1.2%
TA = -55°C 3 -1.3% 0.5%
TA = 25°C 1 -0.7% 0.9%
TA = 25°C，承受 TID 后(6) 1 -0.7% 1.1%
TA = 125°C 2 -0.7% 1.2%
ISET 设置 VOUT 的 SS_SET 引脚电流
 –55°C ≤ TA ≤ 125°C
1、2、3

 98.8 99.9 101 µA
TA = -55°C 3 98.8 99.4 100.3
TA = 25°C 1 99.0 100 100.9
TA = 125°C 2 99.2 100.2 101
VOS 输出失调电压
(VOUT - VSS_SET)
 –55°C ≤ TA ≤ 125°C 1、2、3 -2 0.78 mV
TA = -55°C 3 -1.33 -0.2 0.78
TA = 25°C 1 -1.45 -0.25 0.76
TA = 25°C，承受 TID 后(6) 1 -1.45 1.5
TA = 125°C 2 -2 -0.5 0.7
VOUTtempco VOUT 温度系数 将 TA 从 -55°C 更改为 125°C 0.004% VOUT/
°C
将 TA 从 -55°C 更改为 -40°C 0.011%
将 TA 从 -40°C 更改为 0°C 0.007%
将 TA 从 0°C 更改为 25°C 0.005%
将 TA 从 25°C 更改为 85°C 0.003%
将 TA 从 85°C 更改为 125°C 0.001%
VREF 基准电压，陶瓷封装 1、2、3 1.191 1.206 1.220 V
VREF 基准电压，塑料封装 1、2、3 1.190 1.206 1.221
ΔVOUT/ΔVIN 线路调节，请参阅图 7-1 0.85V ≤ VIN ≤ 7V，IOUT = 1mA，VBIAS = 5V，VOUT = 0.4V 1、2、3 3 200 µV/V
ΔVOUT/ΔIOUT 负载调节，请参阅图 7-2 1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A，VBIAS = 5V，VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V 1、2、3 500 1000 µV/A
电流共享误差百分比 Rballast = 5mΩ，
TA = 25°C		 IOUT(TOTAL) = 1.2A ±1%
IOUT(TOTAL) = 2.9A ±0.1%
IOUTS(LKG) OUTS 漏电流 1、2、3 20 200 nA
ENABLE
VEN(rising) 使能上升阈值（导通） 1、2、3 0.58 0.60 0.62 V
VEN(falling) 使能下降阈值（关断） 1、2、3 0.48 0.50 0.52
tEN(delay) EN 传播延迟 EN 高电平至 VOUT = 10mV 9，10，11 90 500 µs
IEN(LKG) 使能输入漏电流 VEN = 7 V 1、2、3 3 150 nA
TSD(enter) 热关断进入 160 °C
TSD(exit) 热关断退出 130
电源正常
VFB_PG(rising) 电源正常状态上升阈值 1、2、3
 290 306 313 mV
VFB_PG(HYS) 电源正常状态迟滞 1、2、3 7 14 19
IFB_PG(LKG) FB_PG 输入漏电流 VFB_PG = 6V 1、2、3 9 150 nA
VPG(OL) 电源正常状态输出低电平 IPG(SINK) = 2mA 1、2、3 113 200 mV
VIN(MIN_PG) 有效 PG (VPG < 0.5V) 的最小 VIN 或 VBIAS IPG(sink) = 0.6mA 1、2、3
 0.6 0.8 V
IPG(LKG) 电源正常状态泄漏 VPG = 7V，VFB_PG > VFB_PG(rising threshold) 1、2、3
 0.1 2 µA
软启动
ISS_SET(start) 启动期间的 SS_SET 引脚电流 1、2、3
 1.68 2.1 2.52 mA
tSS 软启动时间 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，
IOUT = 1A，
RFB_PG(top) = 44.2kΩ，
RFB_PG(bot) = 10kΩ		 CSS = 2.2µF 1.7 ms
CSS = 4.7µF 3.7
CSS = 10µF 7.8
噪声和 PSRR
PSRR 电源抑制比 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，CSS = 4.7µF，
CBIAS = 4.7µF，
RBIAS = 10Ω		 fripple = 100Hz 109 dB
fripple = 1kHz 109
fripple = 10kHz 90
fripple = 100kHz 71
fripple = 1MHz 66
fripple = 10MHz 30
PSRRBIAS 电源抑制比，
VBIAS 至 VOUT		 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，CSS = 4.7µF，
CBIAS = 4.7µF，
RBIAS = 10Ω		 fripple = 100Hz 102 dB
fripple = 1kHz 105
fripple = 10kHz 87
fripple = 100kHz 97
fripple = 1MHz 118
fripple = 10MHz 68
VN 输出噪声均方根电压
（带宽为 10Hz 至 100kHz）		 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A CSS = 2.2µF 1.73 µVRMS
CSS = 4.7µF 1.71
CSS = 10µF 1.69
eN 输出噪声电压密度 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，
IOUT = 1A，CSS = 4.7µF		 f = 10Hz 97 nV/√Hz
f = 100Hz 11.2
f = 1kHz 5.4
f = 10kHz 5.6
f = 100kHz 4.9
f = 1MHz 1.6
f = 10MHz 1.7
稳定性
PM 相位裕度 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，IOUT = 1.0A，
COUT = 2x100µF(7)		 98°
GM 增益裕度 19 dB
(1) 使用了一个 220µF 钽电容器
(2) 有关 QML RHA 器件的额外信息，请参阅 5962R21203 SMD，有关 SEP 器件的额外信息，请参阅 V62/23602 VID。
(3) 子组仅适用于器件的 QML 版本；有关子组定义，请参阅节 6.6。
(4) 此外，VBIAS ≥ VIN 且 VBIAS ≥ VOUT + 1.6V。
(5) PD 是内部功耗。当 PD 超过 4W 时，电流会降低以避免局部过热（由于测试仪限制)。
(6) 对于 QMLV 和 QMLP 器件，TID = 100krad(Si)；对于 SEP 器件，TID = 50krad(Si)。
(7) 有关更多信息，请参阅节 9.3。 

6.6 质量合格检验

MIL-STD-883，方法 5005 - 组 A

子组 说明 温度 (°C)
1 静态测试 25
2 静态测试 125
3 静态测试 -55
4 动态测试 25
5 动态测试 125
6 动态测试 -55
7 功能测试 25
8A 功能测试 125
8B 功能测试 -55
9 开关测试 25
10 开关测试 125
11 开关测试 -55

6.7 典型特性

VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS = 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在 10Hz 至 100kHz 带宽下报告积分噪声。

GUID-20211210-SS0I-RXCV-ZHQR-D5WHWPP9ZK83-low.svg
VBIAS = 5V
图 6-1 PSRR 与频率间的关系（常见配置）
GUID-20211210-SS0I-XP20-SXMD-VGDWTCBDHQCL-low.svg
VIN = VOUT + VDO VOUT = 1.8V VBIAS = VOUT + 1.6V
图 6-3 不同压降下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20211210-SS0I-J5LC-MK2X-7LJCMTC6569L-low.svg
VIN = VOUT + 0.8V VBIAS = VIN + 1.6V
图 6-5 不同输出电压下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20220808-SS0I-9W62-LWMR-LPD7JBC37FMX-low.svg
有关所用的电容器器件型号，请参阅表 9-4。
图 6-7 不同输出电容下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20211210-SS0I-WNLF-BQFF-4KWBZKRDBSLJ-low.svg图 6-9 不同辅助电源下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20221208-SS0I-HGPT-RJTF-TQTBXDDGFJBN-low.svg
RBIAS = 0Ω CBIAS = 0µF
图 6-11 VIN = VBIAS 时 PSRR 与频率间的关系
GUID-20220808-SS0I-Z5K1-BBDC-VPXZG0RKQBHC-low.svg
RBIAS = 10Ω
图 6-13 使用 RC 时在不同偏置电压下 PSRRBIAS 与频率间的关系
GUID-20211210-SS0I-LMZQ-SW91-9KF5SRZPPJ4P-low.svg图 6-15 不同 CSS 下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
GUID-20220808-SS0I-MLWF-5CMJ-SBQK1VPLQHCG-low.svg
有关所用的电容器器件型号，请参阅表 9-4。
图 6-17 不同输出电容下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
GUID-20220802-SS0I-VR9X-CSX4-DNVT8QSBDHMF-low.svg
VOUT = VIN – 0.8V
图 6-19 不同输入电压下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
GUID-20211213-SS0I-T9V4-ZJ6F-MLVPF990DTVJ-low.svg
VBIAS = 12V
图 6-2 PSRR 与频率间的关系（常见配置）
GUID-20211210-SS0I-X2HL-B5P8-8SLZGQNC0PVS-low.svg图 6-4 不同输出电流下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20211210-SS0I-RBXV-XZQT-RGM985TJ5CD1-low.svg
VOUT = VIN – 0.8V VBIAS = VOUT + 1.6V
图 6-6 不同输入电压下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20211210-SS0I-XKBD-BXR7-FHV6MFH1L5HZ-low.svg图 6-8 不同软启动电容下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20211210-SS0I-DXVJ-N3W6-JXCBV4FVDDRL-low.svg
IOUT = 500mA
图 6-10 不同温度下 PSRR 与频率间的关系
GUID-20220808-SS0I-HRBG-NBW3-HGS9WFJSNZBX-low.svg
RBIAS = 0Ω
图 6-12 不使用 RC 时在不同偏置电压下 PSRRBIAS 与频率间的关系
GUID-20221130-SS0I-D589-KR0M-5KLZSB461MPV-low.svg
IOUT = 500mA
图 6-14 不同温度下 PSRRBIAS 与频率间的关系
GUID-20211210-SS0I-W5N9-NCGS-64TFVTSZKNFB-low.svg图 6-16 不同输出电流下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
GUID-20220808-SS0I-7SLG-HWH0-QNKR5TNZ240F-low.svg
VIN = VOUT + 0.8V
图 6-18 不同输出电压下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
GUID-20220809-SS0I-RH9B-RD05-VW1W6XWFL91T-low.svg
COUT = 2 × 100μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
IOUT = 0A：相位裕度 = 83°，增益裕度 = 29dB
IOUT = 1.5A：相位裕度 = 99°，增益裕度 = 19dB
图 6-20 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20220809-SS0I-6GNL-BKST-BPZDKCHS36LQ-low.svg
COUT = 2 × 100μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
IOUT = 0A：相位裕度 = 61°，增益裕度 = 27dB
IOUT = 1.5A：相位裕度 = 99°，增益裕度 = 12dB
图 6-22 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20220809-SS0I-SC5L-FVDD-53TCTFRS47HZ-low.svg
COUT = 1 × 220μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
IOUT = 0A：相位裕度 = 71°，增益裕度 = 30dB
IOUT = 1.5A：相位裕度 = 91°，增益裕度 = 14dB
图 6-24 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20220809-SS0I-3N7W-HTSB-BSJ7LKF5MLHX-low.svg
COUT = 1 × 220μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
IOUT = 0A：相位裕度 = 72°，增益裕度 = 19dB
IOUT = 1.5A：相位裕度 = 66°，增益裕度 = 8dB
图 6-26 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20230111-SS0I-ZGQK-8RGF-JZJPM1WKZXJW-low.svg
图 6-28 压降电压与温度间的关系
GUID-20230111-SS0I-48HD-BC4L-G7WC0FKDG1BZ-low.svg图 6-30 不使用单独的 VBIAS 时压降电压与温度间的关系
GUID-20230111-SS0I-MDKJ-2VKS-T5DWQDFTW516-low.svg
IOUT = 0A
图 6-32 静态电流与温度间的关系
GUID-20230111-SS0I-MKDV-V3WW-PD8XC8GSHDS2-low.svg
IOUT = 1.5A
图 6-34 接地电流与温度间的关系
GUID-20230111-SS0I-LX3V-XV3Q-VRTCQNBVLNPL-low.svg
VEN = 0V
图 6-36 关断电流与温度间的关系
GUID-20230120-SS0I-BBG8-VLM5-91LQHWC93MZF-low.svg图 6-38 SET 引脚电流与温度间的关系
GUID-20230105-SS0I-DWNC-LMTQ-H6ZLGZHLPMVL-low.svg图 6-40 失调电压与电流间的关系
GUID-20230120-SS0I-CC45-W3ZZ-STZ6ZBPXCX4H-low.svg
VEN = 7V VIN = 7V VBIAS = 14V
图 6-42 使能漏电流与温度间的关系
GUID-20230120-SS0I-TDPD-4JP5-NMQMFQFV810R-low.svg
VIN = 0.85V VBIAS = 2.2V IOUT = 1mA
IPG = 2mA
图 6-44 PG 引脚输出低电平与温度间的关系
GUID-20230120-SS0I-9HSK-NDPG-VWLTXLZ8RK81-low.svg
IOUT = 0mA
图 6-46 启动期间的 SS_SET 引脚电流与温度间的关系
GUID-20221220-SS0I-BGBG-SW7C-JVPBBGFCX0SH-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，IOUT = 1mA
图 6-48 TA = 25°C 时的输出失调电压分布
GUID-20230103-SS0I-SVSQ-GN8X-DL7VPRGRCMJ7-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，IOUT = 1mA
图 6-50 TA = –55°C 时的 ISET 电流分布
GUID-20230103-SS0I-XXTR-2SRR-NSCSZHNRWKQK-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，IOUT = 1mA
图 6-52 TA = 125°C 时的 ISET 电流分布
GUID-20230103-SS0I-LTS6-MFJ9-GL3VRMXK0JRT-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，PD ≤ 4W
图 6-54 TA = 25°C 时的输出电压精度分布
GUID-20230124-SS0I-NCQL-C1MV-CZNQ8S5FTDVD-low.svg
压摆率 = 10.1A/µs
图 6-56 负载阶跃：1mA 至 1.5A
GUID-20230105-SS0I-Z8PS-6MDQ-B1QDKPSNRQ3W-low.svg
压摆率 = 0.9A/µs
图 6-58 负载阶跃：1mA 至 1.5A
GUID-20230124-SS0I-C67J-CTGN-TW01DX5TD1KS-low.svg
压摆率 = 8.5A/µs IOUT 仅仅是步进变化的电流，未显示并联的 0.5A 负载
图 6-60 负载阶跃：0.5A 至 1.5A
GUID-20230124-SS0I-HXDB-LNG8-KM75JXJFMBJ4-low.svg
压摆率：20.2V/ms VOUT = 0.4V
图 6-62 线路阶跃：1.8V 至 5V，其中 IOUT = 1.5A
GUID-20230124-SS0I-0JD0-CW3F-2F5H1KCWX7QK-low.svg
压摆率 = 84.0V/ms VOUT = 0.4V
图 6-64 线路阶跃：1.8V 至 5V，其中 IOUT = 1mA
GUID-20230111-SS0I-PB3P-K2TX-QMHNHP577MZW-low.svg图 6-66 启动波形
GUID-20221202-SS0I-WJ8N-ZHTJ-RCS1VXCXPL5X-low.svg
COUT = 2 × 100μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
相位裕度 = 98°，增益裕度 = 19dB
图 6-21 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20221202-SS0I-GZC9-G9FQ-T0TBXKBHD8MB-low.svg
COUT = 2 × 100μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
相位裕度 = 98°，增益裕度 = 13dB
图 6-23 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20221202-SS0I-RLMX-N8VX-SQMX9LDSRN1H-low.svg
COUT = 1 × 220μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
相位裕度 = 98°，增益裕度 = 14dB
图 6-25 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20221202-SS0I-DK4X-DDJJ-Z5CN8DPSSSMN-low.svg
COUT = 1 × 220μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封装差异的信息，请参阅表 9-4。
相位裕度 = 94°，增益裕度 = 9dB
图 6-27 增益和相位与频率间的关系（波特图）
GUID-20230202-SS0I-GHQV-F7RL-WVPMKPCFFRPP-low.svg
VIN = 5V VBIAS = VIN + 1.6V
图 6-29 压降电压与电流间的关系
GUID-20230202-SS0I-RZDC-4DMZ-9S8JVJQQVXJB-low.svg
图 6-31 不使用单独的 VBIAS 时压降电压与电流间的关系
GUID-20230111-SS0I-RZSD-QXWW-T4KZGKFB2B5C-low.svg
IOUT = 0A
图 6-33 偏置电流与温度间的关系
GUID-20230111-SS0I-NLF1-0R4W-NRGQ1W392Q1C-low.svg
IOUT = 1.5A
图 6-35 偏置电流与温度间的关系
GUID-20230111-SS0I-PBGM-XQ79-G9JGCB6JS80Z-low.svg
VEN = 0V
图 6-37 偏置关断电流与温度间的关系
GUID-20230111-SS0I-XHZC-PVRN-XZF2BSQSFLFH-low.svg
IOUT = 1mA
图 6-39 失调电压与温度间的关系
GUID-20230105-SS0I-JCQX-PZKK-Q5RFFWTC8LKG-low.svg图 6-41 输出电压与温度间的关系
GUID-20230120-SS0I-QJV3-8V0C-SGZ5FPCCNQPH-low.svg
VFB_PG = 6V VIN = 7V VBIAS = 14V
IOUT = 1mA
图 6-43 FB_PG 引脚漏电流与温度间的关系
GUID-20230120-SS0I-9PQZ-LBR5-GMXVHZTN56HP-low.svg
VIN = 7V VBIAS = 14V IOUT = 1mA
VPG = 7V
图 6-45 PG 引脚漏电流与温度间的关系
GUID-20221220-SS0I-6RRS-1SSM-SXBWLPLCDFBP-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，IOUT = 1mA
图 6-47 TA = –55°C 时的输出失调电压分布
GUID-20221220-SS0I-N3C7-4ZRG-ZZDHNFJND2T0-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，IOUT = 1mA
图 6-49 TA = 125°C 时的输出失调电压分布
GUID-20230103-SS0I-1H93-RGGZ-J5T5MVG5J8KX-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，IOUT = 1mA
图 6-51 TA = 25°C 时的 ISET 电流分布
GUID-20230103-SS0I-G2PF-HS0N-4FGWBCFKRZHC-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，PD ≤ 4W
图 6-53 TA = –55°C 时的输出电压精度分布
GUID-20230103-SS0I-G6Z8-V6QM-7RTZ3N2M8VFG-low.svg
0.85V ≤ VIN ≤ 7V，1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A，2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V，PD ≤ 4W
图 6-55 TA = 125°C 时的输出电压精度分布
GUID-20230124-SS0I-7F3B-1C37-9PMZKFSLL8T6-low.svg
压摆率 = 13.1A/µs
图 6-57 负载阶跃：1.5A 至 1mA
GUID-20230105-SS0I-SQ4R-Z4WX-J1LGS1CF1KB5-low.svg
压摆率 = 1.0A/µs
图 6-59 负载阶跃：1.5A 至 1mA
GUID-20230124-SS0I-FQS7-BNRV-KJSSNBNV4LQ2-low.svg
压摆率 = 8.1A/µs IOUT 仅仅是步进变化的电流，未显示并联的 0.5A 负载
图 6-61 负载阶跃：1.5A 至 0.5A
GUID-20230124-SS0I-TTDL-RV7D-MBLRQN0GRGZD-low.svg
压摆率 = 144.8V/ms VOUT = 0.4V
图 6-63 线路阶跃：5V 至 1.8V，其中 IOUT = 1.5A
GUID-20230124-SS0I-0J4J-JDP6-FRGKN9B3SJHD-low.svg
压摆率 = 85.1V/ms VOUT = 0.4V
图 6-65 线路阶跃：5V 至 1.8V，其中 IOUT = 1mA

7 参数测量信息

GUID-20200813-CA0I-SH51-XGJT-M8V5TN2GRSKK-low.png
A. ΔVOUT / ΔVIN = 3µV/V（典型值）。这表示如果 VIN 发生 1V 的变化 (ΔVIN = 1V)，则 VOUT 会发生 3µV 的变化 (ΔVOUT = 3µV)。线路调节是一个直流参数；因此，仅在瞬变消失后或 VIN 压摆率较慢时此波形才被视为有效。
图 7-1 线路调节
GUID-20200813-CA0I-M2NC-FRVX-VQG53FXBGBHZ-low.png
A. ΔVOUT / ΔIOUT = 500µV/A（典型值）。这表示如果 IOUT 发生 1A 变化 (ΔIOUT = 1A)，则 VOUT 会发生 500µV 的变化 (ΔVOUT = 500µV)。负载调节是一个直流参数；因此，仅在瞬变消失后或 IOUT 压摆率较慢时此波形才被视为有效。
图 7-2 负载调节

8 详细说明

 
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