ZHCSRI5E February   2008  – June 2025 AMC1203

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5.   器件比较表
  6. 4 引脚配置和功能
  7. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 时序图
    12. 5.12 典型特性
  8. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 模拟输入
      2. 6.3.2 调制器
      3. 6.3.3 数字输出
    4. 6.4 器件功能模式
  9. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 分流电阻器阻值调整
        2. 7.2.2.2 输入滤波器设计
        3. 7.2.2.3 位流滤波
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  10. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  11. 9 修订历史记录
  12. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 机械数据

7.4 电源相关建议

通常，如图 7-4 所示，器件高侧电源 (AVDD) 是从浮动栅极驱动器电源或隔离式直流/直流转换器生成。一种低成本的解决方案基于推挽驱动器 SN6501 和支持所需隔离电压额定值的变压器。

AMC1203 无需任何特定的上电时序。高侧电源 (AVDD) 通过与低 ESR、1µF 电容器 (C2) 并联的低 ESR、100nF 电容器 (C1) 进行去耦。低侧电源 (DVDD) 同样通过与低 ESR、1µF 电容器 (C4) 并联的低 ESR、100nF 电容器 (C3) 进行去耦。将所有四个电容器（C1、C2、C3 和 C4）尽可能靠近器件放置。图 7-4 展示了 AMC1203 的去耦图。

AMC1203 AMC1203 去耦图 7-4 AMC1203 去耦

在应用中出现的适用直流偏置条件下，确保电容器能够提供足够的有效 电容。在实际条件下，通常仅使用多层陶瓷电容器 (MLCC) 标称电容的一小部分。在选择这些电容器时，应考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线，这大大简化了元件的选型。