ZHCSQZ2 November   2025 LM65680

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 相关产品
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 可润湿侧翼
    2. 5.2 针对间隙和 FMEA 进行引脚排列设计
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性描述
      1. 7.3.1  输入电压范围（VIN1、VIN2）
      2. 7.3.2  高压偏置电源子稳压器（VCC、BIAS）
      3. 7.3.3  精度使能和可调节电压 UVLO (EN/UVLO)
      4. 7.3.4  输出电压设定点（FB、BIAS）
      5. 7.3.5  开关频率 (RT)
      6. 7.3.6  模式选择和时钟同步 (MODE/SYNC)
        1. 7.3.6.1 时钟同步
        2. 7.3.6.2 时钟锁定
      7. 7.3.7  设备配置 (CNFG/SYNCOUT)
      8. 7.3.8  双随机展频 (DRSS)
      9. 7.3.9  高侧 MOSFET 和栅极驱动 (BST)
      10. 7.3.10 可配置软启动 (SS)
        1. 7.3.10.1 从压降中恢复
      11. 7.3.11 保护功能
        1. 7.3.11.1 电源正常监视器 (PG)
        2. 7.3.11.2 过流和短路保护
        3. 7.3.11.3 断续模式保护
        4. 7.3.11.4 热关断
      12. 7.3.12 两相单输出运行
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 工作模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 动力总成元件
        1. 8.1.1.1 降压电感器
        2. 8.1.1.2 输出电容器
        3. 8.1.1.3 输入电容器
        4. 8.1.1.4 EMI 滤波器
      2. 8.1.2 误差放大器和补偿
      3. 8.1.3 最高环境温度
        1. 8.1.3.1 降额曲线
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计 1 — 具有宽输入电压范围和高效率的 5V、8A 同步降压稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1  使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
          2. 8.2.1.2.2  选择开关频率
          3. 8.2.1.2.3  降压电感器选择
          4. 8.2.1.2.4  输入电容器选型
          5. 8.2.1.2.5  输出电容器
          6. 8.2.1.2.6  输出电压设定点
          7. 8.2.1.2.7  补偿器件
          8. 8.2.1.2.8  设置输入电压 UVLO
          9. 8.2.1.2.9  减轻 EMI、RDRSS
          10. 8.2.1.2.10 自举电容器，CBST
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2.      设计 2 – 高效率 48V 至 12V 400kHz 同步降压稳压器
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
          1. 8.2.2.2.1 降压电感器选择
          2. 8.2.2.2.2 输入电容器选型
          3. 8.2.2.2.3 输出电容器
          4. 8.2.2.2.4 输出电压设定点
          5. 8.2.2.2.5 补偿器件
          6. 8.2.2.2.6 前馈电容器
          7. 8.2.2.2.7 软启动电容器
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 热设计和布局
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 开发支持
        1. 9.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
        1. 9.2.1.1 低 EMI 设计资源
        2. 9.2.1.2 热设计资源
        3. 9.2.1.3 多相位设计资源
        4. 9.2.1.4 PCB 布局资源
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.11.2 过流和短路保护

LM65680/60/40 通过针对高侧和低侧电源 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧 MOSFET 开关在短消隐时间后接通时，会检测到高侧电流。在每个开关周期，高侧电流会与固定电流设定点的最小值或电压调节环路输出减去斜率补偿后的值进行比较。

当低侧 MOSFET 开关接通时，也会检测和监控流经该 MOSFET 的电流。与高侧 MOSFET 一样，电压控制环路会控制低侧 MOSFET 关断。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在超过电流限值时阻止关断。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。这称为低侧电流限制；有关值，请参阅电气特性。在启用低侧电流限制后，低侧 MOSFET 保持导通状态，而高侧 MOSFET 不会导通。低侧 MOSFET 开关在低侧电流降至限值以下后关断。只要自高侧 MOSFET 器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧 MOSFET 开关就会再次导通。

LM65680 电流限值波形：开关电压 (a)、指示器电流 (b)图 7-10 电流限值波形：开关电压 (a)、指示器电流 (b)

高侧和低侧电流限制运行的最终影响是 IC 在磁滞控制下运行。由于电流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之间，因此除非占空比非常高，否则输出电流接近这两个值的平均值。在电流限制下运行之后将使用磁滞控制，并且电流不会随着输出电压接近零而增加。

如果删除过载状态，器件会像在软启动中一样恢复；请参阅 节 7.3.10.1。请注意，如果输出电压降至预期输出电压的大约 0.4 倍以下，则会触发断续。