ZHCSPX9E September   2005  – January 2026 XTR117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 反向电压保护
      2. 7.3.2 过压浪涌保护
      3. 7.3.3 VSON 封装
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 外部晶体管
      2. 8.1.2 最小输出电流
      3. 8.1.3 偏移输入
      4. 8.1.4 射频干扰
      5. 8.1.5 最大输出电流
      6. 8.1.6 电路稳定性
    2. 8.2 典型应用
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

9.1.1 器件命名规则

表 9-1 器件命名规则
器件型号 定义

XTR117AIDGKR

XTR117AIDRBR

 芯片采用 CSO 制造：SHE 或 CSO：TID。

XTR117AIDGKT

XTR117AIDRBT

 芯片采用 CSO 制造：SHE。