ZHCSPB1B November   2021  – July 2022 TPS62441-Q1 , TPS62442-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
    1. 8.1 原理图
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 精密使能端 (EN)
      2. 9.3.2 COMP/FSET
      3. 9.3.3 MODE/SYNC
      4. 9.3.4 展频时钟 (SSC)
      5. 9.3.5 欠压锁定 (UVLO)
      6. 9.3.6 电源正常状态输出 (PG)
      7. 9.3.7 热关断
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 脉宽调制 (PWM) 运行
      2. 9.4.2 节能模式运行 (PWM 和 PFM)
      3. 9.4.3 100% 占空比运行
      4. 9.4.4 电流限制和短路保护
      5. 9.4.5 折返电流限制和短路保护
      6. 9.4.6 输出放电
      7. 9.4.7 软启动
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 对输出电压进行编程
      2. 10.1.2 外部元件选型
        1. 10.1.2.1 电感器选型
        2. 10.1.2.2 电容器选型
          1. 10.1.2.2.1 输入电容器
          2. 10.1.2.2.2 输出电容器
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 应用曲线
  12. 11电源相关建议
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 第三方产品免责声明
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 支持资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 静电放电警告
    7. 13.7 术语表
  15. 14机械、封装和可订购信息

7.5 电气特性

在工作结温范围内（TJ = -40°C 至 +150°C）且 VIN = 2.75V 至 6V。VIN = 5V 且 TJ = 25°C 时的典型值（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
IQ 静态电流 EN1 或 EN2 = VIN，空载，器件处于非开关状态，TJ = 25°C，MODE = GND，仅一个转换器使能 27 µA
IQ 静态电流 EN1 或 EN2 = VIN，空载，器件处于非开关状态，MODE = GND，仅一个转换器使能 22 66 µA
IQ 静态电流 EN1 = EN2 = VIN，空载，器件处于非开关状态，TJ = 25°C，MODE = GND，两个转换器使能 38 µA
IQ 静态电流 EN1 = EN2 = VIN，空载，器件处于非开关状态，MODE = GND，两个转换器使能 33 80 µA
ISD 关断电流 EN1 = EN2 = 低电平，TJ = 25°C 2 µA
ISD 关断电流 EN1 = EN2 = GND，TJ = 25°C 时的标称值，TJ = 150°C 时的最大值 1.5 26 µA
VUVLO 欠压锁定阈值 VIN 上升 2.5 2.6 2.75 V
VIN 下降 2.3 2.5 2.6 V
TJSD 热关断阈值 TJ 上升 170 °C
热关断迟滞 TJ 下降 15 °C
控制和接口
VEN,IH EN1、EN2 上的输入阈值电压，上升沿 1.06 1.1 1.15 V
VEN,IL EN1、EN2 上的输入阈值电压，下降沿 0.96 1.0 1.05 V
IEN,LKG 流入 EN1、EN2 的输入泄漏电流 VIH = VIN 或 VIL = GND 450 nA
VIH MODE/SYNC 上的高电平输入阈值电压 1.1 V
VIL MODE/SYNC 上的低电平输入阈值电压 0.3 V
ILKG 流入 MODE/SYNC 的输入漏电流 700 nA
tDelay 启用延迟时间 从 ENx 高电平到器件开始开关的时间；已施加 VIN 110 200 300 µs
tDelay 如果一个转换器已启用，则使能延迟时间 从 ENx 高电平到器件开始开关的时间；已施加 VIN 100 µs
tRamp 输出电压斜坡时间 从器件开始开关到电源正常所需的时间；器件未处于电流限制状态 0.7 1.1 1.5 ms
fSYNC MODE/SYNC 引脚上用于同步的频率范围 2 4 MHz
用于实现逻辑低电平的 COMP/FSET 至 GND 电阻 f = 2.25MHz 时的
内部频率设置		 0 2.5 kΩ
COMP/FSET 上用于实现逻辑高电平的电压 f = 2.25MHz 时的
内部频率设置		 VIN V
VTH_PG UVP 电源正常阈值电压；
直流电平		 上升 (%VFB) 94% 96.5% 99%
VTH_PG UVP 电源正常阈值电压；
直流电平		 下降 (%VFB) 92% 94.5% 97%
VTH_PG OVP 电源正常阈值电压；
直流电平		 上升 (%VFB) 104% 107% 110%
OVP 电源正常阈值电压；
直流电平		 下降 (%VFB) 102% 104.5% 107%
VPG,OL PG 上的低电平输出电压 ISINK_PG = 2mA 0.07 0.3 V
IPG,LKG 流入 PG 的输入漏电流 VPG = 5V 100 nA
tPG PG 抗尖峰脉冲时间 对于电源正常输出上从高电平到低电平的转换 40 µs
输出
VFB1、VFB2 反馈电压 0.6 V
IFB1,LKG、IFB2,LKG 流入 FB 的输入漏电流 VFB = 0.6V 1 80 nA
VFB1、VFB2 反馈电压精度 PWM，VIN ≥ VOUT + 1V -1% 1%
VFB1、VFB2 反馈电压精度 PFM，VIN ≥ VOUT + 1V，VOUT ≥ 1.5V，Co,eff  ≥ 22µF，L = 0.47µH -1% 2.5%
VFB1、VFB2 反馈电压精度 PFM，VIN ≥ VOUT + 1V，1V ≤ VOUT < 1.5V，Co,eff  ≥ 47µF,，L = 0.47µH -1% 2.5%
负载调整率 PWM 0.05 %/A
线路调整 PWM，IOUT = 1A，VIN ≥ VOUT + 1V 0.02 %/V
RDIS 输出放电电阻 50 150 Ω
fSW PWM 开关频率范围 请参阅有关设置开关频率的 FSET 引脚功能。 1.8 2.25 4 MHz
fSW PWM 开关频率 COMP/FSET 连接到 GND 或 VIN 2.025 2.25 2.475 MHz
fSW PWM 开关频率容差 使用 COMP/FSET 到 GND 之间的电阻器 -16% 17%
ton,min 高侧 FET 的最短导通时间 VIN ≥ 3.3V 50 75 ns
ton,min 低侧 FET 的最短导通时间 30 ns
RDS(ON) 高侧 FET 导通电阻 VIN ≥ 5V 55 100 mΩ
低侧 FET 导通电阻 VIN ≥ 5V 25 50 mΩ
高侧 MOSFET 漏电流 VIN = 6V；V(SW) = 0V 1 86 µA
低侧 MOSFET 漏电流 V(SW) = 6V 1 205 µA
ILIMH 高侧 FET 开关电流限制 直流值，适用于 TPS62442；
VIN = 3V 至 6V		 3.8 4.7 5.5 A
ILIMH 高侧 FET 开关电流限制 直流值，适用于 TPS62441；
VIN = 3V 至 6V		 2.1 2.6 3.1 A
ILIMNEG 低侧 FET 负电流限制 直流值 -1.8 A