ZHCSOX7A July   2024  – November 2024 TRF1108

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 交流耦合配置
      2. 6.3.2 直流耦合配置
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 断电模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 散热注意事项
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 射频 DAC 缓冲器放大器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 单电源供电
      2. 7.3.2 双电源运行
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.3.2 双电源运行

TRF1108 针对直流耦合应用支持双电源运行。遵循节 7.3.1中有关 VDD 到 VSS 去耦的建议。对于 VSS 到射频接地去耦，请在器件附近的多个位置使用 0201 尺寸的 100nF 去耦电容器。在有可用空间的位置使用 0402 尺寸 2.2μF 大容量去耦电容器。另请参阅节 7.4。