ZHCSMR0B May   2020  – May 2022 DRV8932

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电桥控制
      2. 7.3.2 电流调节
      3. 7.3.3 衰减模式
        1. 7.3.3.1 消隐时间
      4. 7.3.4 电荷泵
      5. 7.3.5 线性稳压器
      6. 7.3.6 逻辑和四电平引脚图
        1. 7.3.6.1 nFAULT 引脚
      7. 7.3.7 保护电路
        1. 7.3.7.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.7.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.7.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.7.4 热关断 (OTSD)
        5. 7.3.7.5 故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 工作模式 (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 7.4.4 功能模式汇总
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电流调节
        2. 8.2.2.2 功率损耗和热量计算
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
  12. 12机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源电压（VM、DVDD）
IVMVM 工作电源电流nSLEEP = 1，无负载56.5mA
IVMQVM 睡眠模式电源电流nSLEEP = 024μA
tSLEEP休眠时间nSLEEP = 0 至睡眠模式120μs
tRESETnSLEEP 复位脉冲nSLEEP 低电平至清除故障2040μs
tWAKE唤醒时间nSLEEP = 1 至输出转换0.81.2ms
tON开通时间VM > UVLO 至输出转换0.81.2ms
VDVDD内部稳压器电压无外部负载，6V < VVM < 33V4.555.5V
VVM = 4.5V 4.2 4.35 V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VVCPVCP 工作电压6V < VVM < 33VVVM + 5V
f(VCP)电荷泵开关频率VVM > UVLO；nSLEEP = 1360kHz
逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、nSLEEP）
VIL输入逻辑低电平电压00.6V
VIH输入逻辑高电平电压1.55.5V
VHYS输入逻辑迟滞150mV
IIL输入逻辑低电平电流VIN = 0V-11μA
IIH输入逻辑高电平电流VIN = 5V100μA
四电平输入 (TOFF)
VI1输入逻辑低电平电压连接至 GND00.6V
VI2330kΩ ± 5% 至 GND11.251.4V
VI3输入高阻抗电压高阻抗（>500kΩ 至 GND）1.822.2V
VI4输入逻辑高电平电压连接至 DVDD2.75.5V
IO输出上拉电流10μA
控制输出 (nFAULT)
VOL输出逻辑低电平电压IO = 5mA0.5V
IOH输出逻辑高电平泄漏电流-11μA
电机驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
RDS(ONH)高侧 FET 导通电阻TJ = 25°C、IO = -1A450550mΩ
TJ = 125°C、IO = -1A700850mΩ
TJ = 150°C、IO = -1A780950mΩ
RDS(ONL)低侧 FET 导通电阻TJ = 25°C、IO = 1A450550mΩ
TJ = 125°C、IO = 1A700850mΩ
TJ = 150°C、IO = 1A780950mΩ
电流调节 (VREF)
KV跨阻增益VREF = 3.3V2.092.22.31V/A
IVREF VREF 泄漏电流 VREF = 3.3V 8.25 μA
tOFFPWM 关断时间TOFF = 07μs
TOFF = 116
TOFF = 高阻态24
TOFF = 330kΩ 至 GND32
ΔITRIP 电流跳变精度 IO = 1.5A，10% 至 20% 电流设置 -15 15 %
IO = 1.5A，20% 至 67% 电流设置 -10 10
IO = 1.5A，68% 至 100% 电流设置 -5 5
保护电路
VUVLOVM UVLO 锁定VM 下降，UVLO 下降4.14.254.35V
VM 上升，UVLO 上升4.24.354.45
VUVLO,HYS欠压迟滞上升至下降阈值100mV
VCPUV电荷泵欠压VCP 下降VVM + 2V
IOCP过流保护流经任何 FET 的电流2.5A
tOCP过流抗尖峰时间1.8μs
TOTSD热关断内核温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD热关断迟滞内核温度 TJ20°C