ZHCSKA4C December   2008  – March 2025 TPS737-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出噪声
      2. 6.3.2 内部电流限制
      3. 6.3.3 使能引脚和关断
      4. 6.3.4 反向电流
      5. 6.3.5 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 压降电压
        3. 7.2.2.3 瞬态响应
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 提高 PSRR 和噪声性能
        2. 7.4.1.2 功率耗散
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

3 说明

TPS737-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 n 型场效应晶体管 (NMOS) 作为导通晶体管。该拓扑对输出电容器值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，支持实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现超低压降。

TPS737-Q1 采用先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺。该工艺可实现高精度，同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时，电流消耗低于 20nA，非常适合于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
TPS737-Q1 DRB（VSON，8） 3mm × 3mm
(1) 如需更多信息，请参阅机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。

 

TPS737-Q1 典型应用电路典型应用电路