ZHCSKA4C December   2008  – March 2025 TPS737-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出噪声
      2. 6.3.2 内部电流限制
      3. 6.3.3 使能引脚和关断
      4. 6.3.4 反向电流
      5. 6.3.5 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 压降电压
        3. 7.2.2.3 瞬态响应
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 提高 PSRR 和噪声性能
        2. 7.4.1.2 功率耗散
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.2 压降电压

TPS737-Q1 使用一个 NMOS 导通晶体管来实现极低压降。当 (VIN – VOUT) 小于压降电压 (VDO) 时，NMOS 导通晶体管处于线性工作区域。在这种情况下，输入到输出电阻是 NMOS 导通晶体管的 RDS(on)。

对于负载电流的较大阶跃变化，TPS737-Q1 要求一个从 VIN 到 VOUT 的更大压降以避免降低瞬态响应的性能。这个瞬变压降区域的边界大约为 DC 输出的两倍。在这个边界之上的 VIN – VOUT 的值提供了正常瞬态响应。

在瞬态压降区域内运行会增加恢复时间。从一个负载瞬态中恢复所需的时间是负载电流速率变化幅度的函数。该时间还由负载电流的变化率和可用余量（VIN 至 VOUT 压降）决定。在最坏的情况下，TPS737-Q1 可能需要几百微秒才能返回到指定的调节精度。最坏情况由接近直流压降电平的满标度瞬时负载变化 (VIN – VOUT) 决定。