ZHCSK25B June   2020  – July 2022 DRV8436E

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
    1.     器件选项
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 PWM 电机驱动器
      2. 7.3.2 电桥控制
      3. 7.3.3 电流调节
      4. 7.3.4 衰减模式
        1. 7.3.4.1 慢速衰减
        2. 7.3.4.2 混合衰减
        3. 7.3.4.3 快速衰减
        4. 7.3.4.4 智能调优动态衰减
        5. 7.3.4.5 消隐时间
      5. 7.3.5 电荷泵
      6. 7.3.6 线性稳压器
      7. 7.3.7 逻辑和四电平引脚图
        1. 7.3.7.1 nFAULT 引脚
      8. 7.3.8 保护电路
        1. 7.3.8.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.8.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.8.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.8.4 热关断 (OTSD)
        5. 7.3.8.5 36
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 工作模式 (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 功能模式汇总
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 主要应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电流调节
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 设计要求
      2. 8.3.2 详细设计过程
        1. 8.3.2.1 电流调节
        2. 8.3.2.2 步进电机转速
        3. 8.3.2.3 衰减模式
  9. 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 相关链接
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
  12. 12机械、封装和可订购信息

布局指南

应使用一个推荐电容值为 0.01µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 GND。该电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置,并通过较宽的迹线或接地平面与器件 GND 引脚连接。

必须使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路至接地。该组件可以是电解电容器。

必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.022µF、额定电压为 VM 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.22µF、额定电压为 16V 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为0.47µF、额定电压为6.3V的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。

散热焊盘必须连接到系统接地端。