ZHCSHG8G October   1995  – January 2026 INA128 , INA129

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 噪声性能
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输入共模范围
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设置增益
        2. 8.2.2.2 动态性能
        3. 8.2.2.3 失调修整
        4. 8.2.2.4 输入偏置电流返回路径
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 低压运行
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
      2. 9.1.2 开发支持
        1. 9.1.2.1 PSpice® for TI
        2. 9.1.2.2 TINA-TI™ 仿真软件（免费下载）
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.5.1 布局指南

电源旁路电容器的位置应尽可能靠近电源引脚和接地引脚。该旁路电容器的建议值为 0.1μF 至 1μF。在采用高噪声或高阻抗电源的应用中，必要时增加更多去耦电容以提供补偿。这些去耦电容器必须放置在电源和 INA12x 器件之间。

增益电阻器必须靠近引脚 1 及引脚 8 放置。这种放置方式可限制布局环路并更大限度地减少耦合至器件中的任何噪声。