ZHCSH38A October   2017  – June 2022 LMT87-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 精度特性
    6. 7.6 电气特性
    7. 7.7 典型特征
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 LMT87-Q1 传递函数
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 安装和导热性
      2. 8.4.2 输出噪声注意事项
      3. 8.4.3 电容负载
      4. 8.4.4 输出电压漂移
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 连接至 ADC
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计流程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 在关断状态下降低功率损耗
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计流程
        3. 9.2.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

8.4.4 输出电压漂移

LMT87-Q1 在温度和电源电压范围内的线性度非常高。由于 NMOS/PMOS 轨至轨缓冲器的固有行为，当电源电压在器件的工作范围内升高时，输出可能会发生轻微漂移。漂移的位置取决于 VDD 和 VOUT 的相对电平。漂移通常在 VDD - VOUT = 1V 时发生。

产生该轻微漂移（数毫伏）的条件是 VDD 或 VOUT 发生大幅变化（约 200mV）。由于漂移发生在 5°C 至 20°C 的宽温变范围内，因此 VOUT 始终具有单调性。精度特性表中的精度规格已包含该可能漂移。