• Menu
  • Product
  • Email
  • PDF
  • Order now

  • TLV906xS 适用于成本敏感型系统的 10MHz、RRIO、CMOS 运算放大器

    • ZHCSGC0M March   2017  – December 2024 TLV9061 , TLV9062 , TLV9064

      PRODMIX  

  • CONTENTS
  • SEARCH
  • TLV906xS 适用于成本敏感型系统的 10MHz、RRIO、CMOS 运算放大器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5.   器件比较表
  6. 4 引脚配置和功能
  7. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息：TLV9061
    5. 5.5  热性能信息：TLV9061S
    6. 5.6  热性能信息：TLV9062
    7. 5.7  热性能信息：TLV9062S
    8. 5.8  热性能信息：TLV9064
    9. 5.9  热性能信息：TLV9064S
    10. 5.10 电气特性
    11. 5.11 典型特性
  8. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 轨到轨输入
      2. 6.3.2 轨到轨输出
      3. 6.3.3 EMI 抑制
      4. 6.3.4 过载恢复
      5. 6.3.5 关断功能
    4. 6.4 器件功能模式
  9. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型的低侧电流检测应用
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 输入和 ESD 保护
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  10. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  11. 9 修订历史记录
  12. 10机械、封装和可订购信息
  13. 重要声明
search No matches found.
  • Full reading width
    • Full reading width
    • Comfortable reading width
    • Expanded reading width
  • Card for each section
  • Card with all content

 

Data Sheet

TLV906xS 适用于成本敏感型系统的 10MHz、RRIO、CMOS 运算放大器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 轨到轨输入和输出
  • 低输入失调电压：±0.3mV
  • 单位增益带宽：10MHz
  • 低宽带噪声：10nV/√Hz
  • 低输入偏置电流：0.5pA
  • 低静态电流：538µA
  • 单位增益稳定
  • 内置 RFI 和 EMI 滤波器
  • 可在电源电压低至 1.8V 的情况下运行
  • 由于具有电阻式开环输出阻抗，因此在较高的电容性负载下更易稳定
  • 关断版本：TLV906xS
  • 工作温度范围：-40°C 至 125°C

2 应用

  • 电动自行车
  • 烟雾探测器
  • HVAC：暖通空调
  • 电机控制：交流感应
  • 冰箱
  • 可穿戴设备
  • 笔记本电脑
  • 洗衣机
  • 传感器信号调节
  • 电源模块
  • 条形码扫描仪
  • 有源滤波器
  • 低侧电流检测

3 说明

TLV9061（单通道）、TLV9062（双通道）和 TLV9064（四通道）是低压、1.8V 至 5.5V、运算放大器，具有轨到轨输入和输出摆幅能力。

这些器件具有高成本效益，适用于需要低压运行、小型封装和高容性负载驱动能力的应用。

虽然 TLV906x 的容性负载驱动能力为 100pF，但电阻式开环输出阻抗便于在更高的容性负载下更轻松地实现稳定。此类运算放大器专为低工作电压（1.8V 至 5.5V）而设计，性能规格类似于 OPAx316 和 TLVx316 器件。

TLV906xS 器件具有关断模式，允许放大器切换至典型电流消耗低于 1µA 的待机模式。

TLV906xS 系列有助于简化系统设计，因为该系列具有稳定的单位增益，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，而且在过驱条件下不会出现相位反转。

除了业内通用封装（如 SOIC、MSOP、SOT-23 和 TSSOP），还针对所有通道类型（单通道、双通道和四通道）提供了微型 封装（如 X2SON 和 X2QFN）。

器件信息
器件型号(3) 封装(1) 本体尺寸（标称值）(4)
TLV9061 DBV（SOT-23，5） 2.90mm × 1.60mm
DCK（SC70，5） 2.00mm × 1.25mm
DRL（SOT-553，5）(2) 1.60mm × 1.20mm
DPW（X2SON，5） 0.80mm × 0.80mm
TLV9061S DBV（SOT-23，6） 2.90mm × 1.60mm
DRY（USON，6） 1.45mm × 1.00mm
TLV9062 D（SOIC，8） 4.90mm × 3.90mm
PW（TSSOP，8） 3.00mm × 4.40mm
DGK（VSSOP，8） 3.00mm × 3.00mm
DDF（SOT-23，8） 2.90mm × 1.60mm
DSG（WSON，8） 2.00mm × 2.00mm
TLV9062S DGS（VSSOP，10） 3.00mm × 3.00mm
RUG（X2QFN，10） 2.00mm × 1.50mm
YCK（DSBGA，9） 1.00mm x 1.00mm
TLV9064 D（SOIC，14） 8.65mm × 3.90mm
PW（TSSOP，14） 5.00mm × 4.40mm
RTE（WQFN，16） 3.00mm × 3.00mm
RUC（X2QFN，14） 2.00mm × 2.00mm
TLV9064S RTE（WQFN，16） 3.00mm × 3.00mm
(1) 有关所有可用封装，请参阅节 10。
(2) 封装仅为预发布状态。
(3) 请参阅器件比较。
(4) 本体尺寸（长 × 宽）为标称值，不包括引脚。
TLV9061 TLV9062 TLV9064 单极低通滤波器单极低通滤波器
TLV9061 TLV9062 TLV9064 小信号过冲与负载电容间的关系小信号过冲与负载电容间的关系

摘要

器件 通道数量
 封装引线
SOIC
D		 USON
DRY		 SOT-23
DBV		 SC-70
DCK		 VSSOP
DGK		 VSSOP
DGS		 DSBGA
YCK		 X2SON
DPW		 SOT-553
DRL		 WSON
DSG		 TSSOP
PW		 SOT-23
DDF		 WQFN
RTE		 X2QFN
RUC		 X2QFN
RUG
TLV9061 1 8 — 5 5 — — — 5 5 — — — — — —
TLV9061S — 6 6 — — — — — — — — — — — —
TLV9062 2 8 — — — 8 10 — — — 8 8 8 — — —
TLV9062S — — — — — 10 9 — — — — — — — 10
TLV9064 4 14 — — — — — — — — — 14 — 16 14 —
TLV9064S — — — — — — — — — — — — 16 — —

4 引脚配置和功能

TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9061 DBV 或 DRL 封装，5 引脚 SOT-23 或 SOT-553（顶视图）图 4-1 TLV9061 DBV 或 DRL 封装，5 引脚 SOT-23 或 SOT-553（顶视图）
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9061 DPW 封装，5 引脚 X2SON（顶视图）图 4-3 TLV9061 DPW 封装，5 引脚 X2SON（顶视图）
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9061 DCK 封装，5 引脚 SC70（顶视图）图 4-2 TLV9061 DCK 封装，5 引脚 SC70（顶视图）
表 4-1 引脚功能：TLV9061
引脚 类型(1) 说明
名称 SOT-23、
SOT-553		 SC70 X2SON
IN– 4 3 2 I 反相输入
IN+ 3 1 4 I 同相输入
OUT 1 4 1 O 输出
V– 2 2 3 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 5 5 5 I 正（高）电源
(1) I = 输入，O = 输出
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9061S DBV 封装，6 引脚 SOT-23（顶视图）图 4-4 TLV9061S DBV 封装，6 引脚 SOT-23（顶视图）
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9061S DRY 封装，6 引脚 USON（顶视图）图 4-5 TLV9061S DRY 封装，6 引脚 USON（顶视图）
表 4-2 引脚功能：TLV9061S
引脚 类型(1) 说明
名称 SOT-23 USON
IN– 4 3 I 反相输入
IN+ 3 1 I 同相输入
OUT 1 4 O 输出
SHDN 5 5 I 关断：低电平 = 禁用放大器，高电平 = 启用放大器。有关更多信息，请参阅关断功能。
V– 2 2 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 6 6 I 正（高）电源
(1) I = 输入，O = 输出
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9062 D，DGK、PW、DDF 封装8 引脚 SOIC、VSSOP、TSSOP、SOT-23 顶视图图 4-6 TLV9062 D，DGK、PW、DDF 封装8 引脚 SOIC、VSSOP、TSSOP、SOT-23 顶视图
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9062 DSG 封装，8 引脚 WSON（带有外露散热焊盘）（顶视图）
A. 将散热焊盘连接至 V–
图 4-7 TLV9062 DSG 封装，8 引脚 WSON（带有外露散热焊盘）（顶视图）
表 4-3 引脚功能：TLV9062
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
IN1– 2 I 反相输入，通道 1
IN1+ 3 I 同相输入，通道 1
IN2– 6 I 反相输入，通道 2
IN2+ 5 I 同相输入，通道 2
OUT1 1 O 输出，通道 1
OUT2 7 O 输出，通道 2
V– 4 — 负（最低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 8 — 正（最高）电源
(1) I = 输入，O = 输出
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9062S DGS 封装，10 引脚 VSSOP（顶视图）图 4-8 TLV9062S DGS 封装，10 引脚 VSSOP（顶视图）
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9062S RUG 封装，10 引脚 X2QFN（顶视图）图 4-9 TLV9062S RUG 封装，10 引脚 X2QFN（顶视图）
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9062S YCK 封装9 引脚 DSBGA (WCSP)底视图图 4-10 TLV9062S YCK 封装
9 引脚 DSBGA (WCSP)
底视图
表 4-4 引脚功能：TLV9062S
引脚 I/O 说明
名称 VSSOP X2QFN DSBGA (WCSP)
IN1– 2 9 B1 I 反相输入，通道 1
IN1+ 3 10 A1 I 同相输入，通道 1
IN2– 8 5 B3 I 反相输入，通道 2
IN2+ 7 4 A3 I 同相输入，通道 2
OUT1 1 8 C1 O 输出，通道 1
OUT2 9 6 C3 O 输出，通道 2
SHDN1 5 2 — I 关断：低 = 禁用放大器，高 = 启用放大器，通道 1。有关更多信息，请参阅关断功能。
SHDN2 6 3 — I 关断：低 = 禁用放大器，高 = 启用放大器，通道 1。有关更多信息，请参阅关断功能。
SHDN — — B2 关断：低 = 禁用两个放大器，高 = 启用两个放大器
V– 4 1 A2 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 10 7 C2 I 正（高）电源
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9064 RUC 封装，14 引脚 X2QFN（顶视图）图 4-11 TLV9064 RUC 封装，14 引脚 X2QFN（顶视图）
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9064 D 或 PW 封装；14 引脚 SOIC 或 TSSOP（顶视图）图 4-13 TLV9064 D 或 PW 封装；14 引脚 SOIC 或 TSSOP（顶视图）
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9064 RTE 封装，16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）（顶视图）
A. 将散热焊盘连接至 V–
图 4-12 TLV9064 RTE 封装，16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）（顶视图）
表 4-5 引脚功能：TLV9064
引脚 类型(1) 说明
名称 SOIC、
TSSOP		 WQFN X2QFN
IN1– 2 16 1 I 反相输入，通道 1
IN1+ 3 1 2 I 同相输入，通道 1
IN2– 6 4 5 I 反相输入，通道 2
IN2+ 5 3 4 I 同相输入，通道 2
IN3– 9 9 8 I 反相输入，通道 3
IN3+ 10 10 9 I 同相输入，通道 3
IN4– 13 13 12 I 反相输入，通道 4
IN4+ 12 12 11 I 同相输入，通道 4
NC — 6、7 — — 无内部连接
OUT1 1 15 14 O 输出，通道 1
OUT2 7 5 6 O 输出，通道 2
OUT3 8 8 7 O 输出，通道 3
OUT4 14 14 13 O 输出，通道 4
V– 11 11 10 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 4 2 3 I 正（高）电源
(1) I = 输入，O = 输出
TLV9061 TLV9062 TLV9064 TLV9064S RTE 封装，16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）（顶视图）
A. 将散热焊盘连接至 V–
图 4-14 TLV9064S RTE 封装，16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）（顶视图）
表 4-6 引脚功能：TLV9064S
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
IN1– 16 I 反相输入，通道 1
IN1+ 1 I 同相输入，通道 1
IN2– 4 I 反相输入，通道 2
IN2+ 3 I 同相输入，通道 2
IN3– 9 I 反相输入，通道 3
IN3+ 10 I 同相输入，通道 3
IN4– 13 I 反相输入，通道 4
IN4+ 12 I 同相输入，通道 4
OUT1 15 O 输出，通道 1
OUT2 5 O 输出，通道 2
OUT3 8 O 输出，通道 3
OUT4 14 O 输出，通道 4
SHDN12 6 I 关断：低电平 = 禁用放大器，高电平 = 启用放大器。通道 1。有关更多信息，请参阅关断功能。
SHDN34 7 I 关断：低电平 = 禁用放大器，高电平 = 启用放大器。通道 1。有关更多信息，请参阅关断功能。
V– 11 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 2 I 正（高）电源
(1) I = 输入，O = 输出

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在工作环境温度范围内（除非另外注明）(1)
最小值最大值单位
电源电压 [(V+) – (V–)]06V
信号输入引脚电压(2)共模(V–) – 0.5(V+) + 0.5V
差分(V+) – (V–) + 0.2V
电流(2)-1010mA
输出短路(3)持续mA
温度额定温度，TA-40125°C
结温，TJ150
贮存温度，Tstg-65150
(1) 应力超出绝对最大额定值 下面列出的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为应力等级，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。对于摆幅能超过电源轨 0.5V 的输入信号，应将其电流限制在 10mA 或者更低。
(3) 接地短路，每个封装对应一个放大器。

5.2 ESD 等级

值单位
TLV9061 封装
V(ESD)静电放电人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)±2500V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2)±1500
所有其他封装
V(ESD)静电放电人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)±4000V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2)±1500
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

5.3 建议运行条件

在工作环境温度范围内测得（除非另有说明）
最小值最大值单位
VS电源电压 (VS = [V+] – [V–])1.85.5V
VI输入电压范围(V–) – 0.1(V+) + 0.1V
VO输出电压范围V–V+V
VSHDN_IH关断引脚上的高电平输入电压（放大器为启用状态）1.1V+V
VSHDN_IL关断引脚上的低电平输入电压（放大器为禁用状态）V–0.2V
TA额定温度-40125°C

5.4 热性能信息：TLV9061

热性能指标(1)TLV9061单位
DBV (SOT-23)DCK (SC70)DPW (X2SON)
5 引脚5 引脚5 引脚
RθJA结至环境热阻221.7263.3467°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻144.775.5211.6°C/W
RθJB结至电路板热阻49.751332.2°C/W
ψJT结至顶部特征参数26.1129.3°C/W
ψJB结至电路板特征参数4950.3330.6°C/W
RθJC(bot)结至外壳（底部）热阻不适用不适用125°C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

5.5 热性能信息：TLV9061S

热性能指标(1)TLV9061S单位
DBV (SOT-23)DRY (USON)
6 引脚6 引脚
RθJA结至环境热阻216.5待定°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻155.1待定°C/W
RθJB结至电路板热阻96.2待定°C/W
ψJT结至顶部特征参数80.3待定°C/W
ψJB结至电路板特征参数95.9待定°C/W
RθJC(bot)结至外壳（底部）热阻不适用不适用°C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

5.6 热性能信息：TLV9062

热性能指标(1)TLV9062单位
D (SOIC)DGK (VSSOP)DSG (WSON)PW (TSSOP)DDF (SOT-23)
8 引脚8 引脚8 引脚8 引脚8 引脚
RθJA结至环境热阻157.6201.294.4205.1184.4°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻104.685.7116.593.7112.8°C/W
RθJB结至电路板热阻99.7122.961.3135.799.9°C/W
ψJT结至顶部特征参数55.621.21325.018.7°C/W
ψJB结至电路板特征参数99.2121.461.7134.099.3°C/W
RθJC(bot)结至外壳（底部）热阻不适用不适用34.4不适用不适用°C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

5.7 热性能信息：TLV9062S

热指标(1) TLV9002S 单位
YCK (DSBGA) RUG (X2QFN) DGS (VSSOP)
9 引脚 10 引脚 10 引脚
RθJA 结至环境热阻 129.8 197.2 170.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 0.9 93.3 84.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 37.5 123.8 113.5 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 0.5 3.7 16.4 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 37.1 120.2 112.3 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 不适用 不适用 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。

5.8 热性能信息：TLV9064

热性能指标(1)TLV9064单位
PW (TSSOP)D (SOIC)RTE (WQFN)RUC (X2QFN)
14 引脚14 引脚16 引脚14 引脚
RθJA结至环境热阻135.8106.965.1205.5°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻646467.972.5°C/W
RθJB结至电路板热阻796340.4150.2°C/W
ψJT结至顶部特征参数15.725.95.53.0°C/W
ψJB结至电路板特征参数78.462.740.2149.6°C/W
RθJC(bot)结至外壳（底部）热阻不适用不适用23.8不适用°C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

 
Texas Instruments

© Copyright 1995-2025 Texas Instruments Incorporated. All rights reserved.
Submit documentation feedback | IMPORTANT NOTICE | Trademarks | Privacy policy | Cookie policy | Terms of use | Terms of sale