ZHCSG01D February   2017  – March 2022 DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 SPI 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 三相智能栅极驱动器
        1. 8.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 8.3.1.1.1 6x PWM 模式（PWM_MODE = 00b 或 MODE 引脚连接至 AGND）
          2. 8.3.1.1.2 3x PWM 模式（PWM_MODE = 01b 或 MODE 引脚 = 47kΩ 至 AGND）
          3. 8.3.1.1.3 1x PWM 模式（PWM_MODE = 10b 或 MODE 引脚 = 高阻态）
          4. 8.3.1.1.4 独立 PWM 模式（PWM_MODE = 11b 或 MODE 引脚连接至 DVDD）
        2. 8.3.1.2 器件接口模式
          1. 8.3.1.2.1 串行外设接口 (SPI)
          2. 8.3.1.2.2 硬件接口
        3. 8.3.1.3 栅极驱动器电压电源
        4. 8.3.1.4 智能栅极驱动架构
          1. 8.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFET 压摆率控制
          2. 8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET 栅极驱动控制
          3. 8.3.1.4.3 传播延迟
          4. 8.3.1.4.4 MOSFET VDS 监视器
          5. 8.3.1.4.5 VDRAIN 感测引脚
      2. 8.3.2 DVDD 线性稳压器
      3. 8.3.3 引脚图
      4. 8.3.4 低侧电流检测放大器（仅限 DRV8323 和 DRV8323R）
        1. 8.3.4.1 双向电流检测操作
        2. 8.3.4.2 单向电流检测操作（仅限 SPI）
        3. 8.3.4.3 自动失调电压校准
        4. 8.3.4.4 MOSFET VDS 感测模式（仅限 SPI）
      5. 8.3.5 降压稳压器
        1. 8.3.5.1 固定频率 PWM 控制
        2. 8.3.5.2 自举电压（CB）
        3. 8.3.5.3 输出电压设置
        4. 8.3.5.4 使能 nSHDN 和 VIN 欠压锁定
        5. 8.3.5.5 电流限值
        6. 8.3.5.6 过压瞬态保护
        7. 8.3.5.7 热关断
      6. 8.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 8.3.6.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 8.3.6.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 8.3.6.3 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
          1. 8.3.6.3.1 VDS 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.6.3.2 VDS 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.6.3.3 VDS 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.6.3.4 VDS 禁用 (OCP_MODE = 11b)
        4. 8.3.6.4 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
          1. 8.3.6.4.1 VSENSE 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.6.4.2 VSENSE 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.6.4.3 VSENSE 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.6.4.4 VSENSE 禁用（OCP_MODE = 11b 或 DIS_SEN = 1b）
        5. 8.3.6.5 栅极驱动器故障 (GDF)
        6. 8.3.6.6 热警告 (OTP)（仅限 SPI）
        7. 8.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 8.4.1.1 睡眠模式
        2. 8.4.1.2 运行模式
        3. 8.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 ENABLE 复位脉冲）
      2. 8.4.2 降压稳压器功能模式
        1. 8.4.2.1 连续导通模式 (CCM)
        2. 8.4.2.2 Eco-mode 控制方案
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 SPI 通信
        1. 8.5.1.1 SPI
          1. 8.5.1.1.1 SPI 格式
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 状态寄存器
        1. 8.6.1.1 故障状态寄存器 1（地址 = 0x00）
        2. 8.6.1.2 故障状态寄存器 2（地址 = 0x01）
      2. 8.6.2 控制寄存器
        1. 8.6.2.1 驱动器控制寄存器（地址 = 0x02）
        2. 8.6.2.2 栅极驱动 HS 寄存器（地址 = 0x03）
        3. 8.6.2.3 栅极驱动 LS 寄存器（地址 = 0x04）
        4. 8.6.2.4 OCP 控制寄存器（地址 = 0x05）
        5. 8.6.2.5 CSA 控制寄存器（仅限 DRV8323x）（地址 = 0x06）
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 主要应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 外部 MOSFET 支持
            1. 9.2.1.2.1.1 示例
          2. 9.2.1.2.2 IDRIVE 配置
            1. 9.2.1.2.2.1 示例
          3. 9.2.1.2.3 VDS 过流监视器配置
            1. 9.2.1.2.3.1 示例
          4. 9.2.1.2.4 检测放大器双向配置（DRV8323 和 DRV8323R）
            1. 9.2.1.2.4.1 示例
          5. 9.2.1.2.5 降压稳压器配置（DRV8320R 和 DRV8323R）
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 备选应用
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 感测放大器单向配置
            1. 9.2.2.2.1.1 示例
      3. 9.2.3 未使用的引脚和功能
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 发电机模式下的电源注意事项
    2. 10.2 确定大容量电容器的大小
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 降压稳压器布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 器件命名规则
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

6 引脚配置和功能

DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8320H RTV 封装32 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-1 DRV8320H RTV 封装32 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8320S RTV 封装32 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-2 DRV8320S RTV 封装32 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
表 6-1 引脚功能 - 32 引脚 DRV8320 器件
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
DRV8320H DRV8320S
AGND 23 23 PWR 器件模拟接地。连接到系统地。AGND 必须从外部连接至 PGND。
CPH 1 1 PWR 电荷泵开关节点。在 CPH 和 CPL 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、47nF、额定电压为 VM 的陶瓷电容器。例如，在 24V 系统中，电容器的额定电压应为 50V（2 倍裕度）。
CPL 32 32 PWR
DVDD 24 24 PWR 3.3V 内部稳压器输出。在 DVDD 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、6.3V 的陶瓷电容器。该稳压器可从外部拉取高达 30mA 的电流。
ENABLE 22 22 I 栅极驱动器使能。当该引脚为逻辑低电平时，器件进入低功耗睡眠模式。可以使用一个 8µs 至 40µs 的脉冲来复位故障条件，而不进入睡眠模式。
GHA 5 5 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHB 12 12 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHC 13 13 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLA 7 7 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLB 10 10 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLC 15 15 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
IDRIVE 19 — I 栅极驱动输出电流设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
INHA 25 25 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHB 27 27 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHC 29 29 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INLA 26 26 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLB 28 28 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLC 30 30 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
模式 18 — I PWM 输入模式设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。
NC 21 — NC 无内部连接。该引脚可以悬空或连接到系统接地端。
nFAULT 17 17 OD 故障指示灯输出。该开漏引脚在发生故障期间被拉至逻辑低电平，并且需要使用一个外部上拉电阻器。
nSCS — 21 I 串行芯片选择。此引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信。
PGND 31 31 PWR 器件电源地。也用作低侧 MOSFET 的栅极驱动受电路径。连接到系统地。PGND 必须从外部连接至 AGND。
SCLK — 20 I 串行时钟输入。串行数据会移出并在此引脚上的相应上升沿和下降沿被捕捉。
SDI — 19 I 串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据。
SDO — 18 OD 串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。该开漏引脚需要一个外部上拉电阻。
SHA 6 6 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHB 11 11 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHC 14 14

I/O

 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SLA 8 8 I 低侧源极输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入。
SLB 9 9 I 低侧源极输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入。
SLC 16 16 I 低侧源极输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入。
VCP 2 2 PWR 电荷泵输出。在 VCP 和 VM 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。
VDRAIN 4 4 I 高侧 MOSFET 漏极输入。连接到高侧 MOSFET 漏极的公共点。该引脚是 VDS 监视器的输入。
VDS 20 — I VDS 监测跳闸点设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
VM 3 3 PWR 栅极驱动器电源输入。连接到电机电源和 VDRAIN。在 VM 和 PGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压为 VM、容值大于或等于 10uF 的陶瓷局部电容器。
散热焊盘

PAD

PAD

 PWR 必须接地
(1) PWR = 电源，I = 输入，O = 输出，NC = 无连接，OD = 开漏输出
DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8320RH RHA 封装40 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-3 DRV8320RH RHA 封装40 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8320RS RHA 封装40 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-4 DRV8320RS RHA 封装40 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
表 6-2 引脚功能 - 40 引脚 DRV8320R 器件
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
DRV8320RH DRV8320RS
AGND 26 26 PWR 器件模拟接地。连接到系统地。AGND 必须从外部连接至 BGND 和 PGND。
BGND 34 34 PWR 降压稳压器接地。连接到系统地。BGND 必须从外部连接至 AGND 和 PGND。
CB 35 35 PWR 降压稳压器自举输入。在 CB 和 SW 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、16V 电容器。
CPH 3 3 PWR 电荷泵开关节点。在 CPH 和 CPL 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、47nF、额定电压为 VM 的陶瓷电容器。例如，在 24V 系统中，电容器的额定电压应为 50V（2 倍裕度）。
CPL 2 2 PWR
DVDD 27 27 PWR 3.3V 内部稳压器输出。在 DVDD 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、6.3V 的陶瓷电容器。该稳压器可从外部拉取高达 30mA 的电流。
ENABLE 25 25 I 栅极驱动器使能。当该引脚为逻辑低电平时，器件进入低功耗睡眠模式。可以使用一个 8µs 至 40µs 的低电平脉冲来复位故障条件，而不进入睡眠模式。
FB 40 40 I 降压反馈输入。从降压电感后输出到此引脚的电阻分压器可设置降压输出电压。
GHA 7 7 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHB 14 14 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHC 15 15 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLA 9 9 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLB 12 12 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLC 17 17 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GND 19 19 PWR 器件接地。连接到系统地。
IDRIVE 22 — I 栅极驱动输出电流设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
INHA 28 28 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHB 30 30 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHC 32 32 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INLA 29 29 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLB 31 31 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLC 33 33 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
模式 21 — I PWM 输入模式设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。
NC 24 — NC 无内部连接。该引脚可以悬空或连接到系统接地端。
NC 37 37 NC 无内部连接。该引脚可以悬空或连接到系统接地端。
nFAULT 20 20 OD 故障指示灯输出。该开漏引脚在发生故障期间被拉至逻辑低电平，并且需要使用一个外部上拉电阻器。
nSCS — 24 I 串行芯片选择。此引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信。
nSHDN 39 39 I 降压关断输入。使能和禁用输入（可耐受高电压）。内部上拉电流源。拉至低于 1.25V 以禁用。悬空以使能。使用两个电阻分压器建立输入欠压锁定。
PGND 1 1 PWR 器件电源地。也用作低侧 MOSFET 的栅极驱动受电路径。连接到系统地。PGND 必须从外部连接至 AGND 和 BGND。
SCLK — 23 I 串行时钟输入。串行数据会移出并在此引脚上的相应上升沿和下降沿被捕捉。
SDI — 22 I 串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据。
SDO — 21 OD 串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。该开漏引脚需要一个外部上拉电阻。
SHA 8 8 I/O

高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHB 13 13 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHC 16 16 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SLA 10 10 I 低侧源极输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入。
SLB 11 11 I 低侧源极输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入。
SLC 18 18 I 低侧源极输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入。
SW 36 36 O 降压开关节点。将该引脚连接到电感器、二极管和 CB 自举电容器。
VCP 4 4 PWR 电荷泵输出。在 VCP 和 VM 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。
VDRAIN 6 6 I 高侧 MOSFET 漏极输入。连接到高侧 MOSFET 漏极的公共点。该引脚是 VDS 监视器的输入。
VDS 23 — I VDS 监测跳闸点设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
VIN 38 38 PWR 降压稳压器电源输入。在 VIN 和 BGND 引脚之间放置一个 X5R 或 X7R、额定电压为 VM 的陶瓷电容器。
VM 5 5 PWR 栅极驱动器电源输入。连接到电机电源和 VDRAIN。在 VM 和 PGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压为 VM、容值大于或等于 10uF 的陶瓷局部电容器。
散热焊盘

PAD

PAD

 PWR 必须接地
(1) PWR = 电源，I = 输入，O = 输出，NC = 无连接，OD = 开漏输出
DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8323H RTA 封装40 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-5 DRV8323H RTA 封装40 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8323S RTA 封装40 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-6 DRV8323S RTA 封装40 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
表 6-3 引脚功能 - 40 引脚 DRV8323 器件
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
DRV8323H DRV8323S
AGND 32 32 PWR 器件模拟接地。连接到系统地。AGND 必须从外部连接至 PGND。
CAL 31 31 I 放大器校准输入。设置逻辑高电平以在内部短接放大器输入并执行自动失调电压校准。
CPH 2 2 PWR 电荷泵开关节点。在 CPH 和 CPL 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、47nF、额定电压为 VM 的陶瓷电容器。例如，在 24V 系统中，电容器的额定电压应为 50V（2 倍裕度）。
CPL 1 1 PWR
DVDD 33 33 PWR 3.3V 内部稳压器输出。在 DVDD 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、6.3V 的陶瓷电容器。该稳压器可从外部拉取高达 30mA 的电流。
ENABLE 30 30 I 栅极驱动器使能。当该引脚为逻辑低电平时，器件进入低功耗睡眠模式。可以使用一个 8µs 至 40µs 的低电平脉冲来复位故障条件，而不进入睡眠模式。
增益 29 — I 放大器增益设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。
GHA 6 6 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHB 15 15 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHC 16 16 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLA 8 8 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLB 13 13 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLC 18 18 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
IDRIVE 27 — I 栅极驱动输出电流设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
INHA 34 34 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHB 36 36 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHC 38 38 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INLA 35 35 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLB 37 37 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLC 39 39 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
模式 26 — I PWM 输入模式设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。
nFAULT 25 25 OD 故障指示灯输出。该开漏引脚在发生故障期间被拉至逻辑低电平，并且需要使用一个外部上拉电阻器。
nSCS — 29 I 串行芯片选择。此引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信。
PGND 40 40 PWR 器件电源地。也用作低侧 MOSFET 的栅极驱动受电路径。连接到系统地。PGND 必须从外部连接至 AGND。
SCLK — 28 I 串行时钟输入。串行数据会移出并在此引脚上的相应上升沿和下降沿被捕捉。
SDI — 27 I 串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据。
SDO — 26 OD 串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。该开漏引脚需要一个外部上拉电阻。
SHA 7 7 I/O

高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHB 14 14 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHC 17 17 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SNA 10 10 I 电流检测放大器输入。连接到电流采样电阻的低侧。如果未使用 CSA，则连接到 PGND。
SNB 11 11 I 电流检测放大器输入。连接到电流采样电阻的低侧。如果未使用 CSA，则连接到 PGND。
SNC 20 20 I 电流检测放大器输入。连接到电流采样电阻的低侧。如果未使用 CSA，则连接到 PGND。
SOA 23 23 O 电流检测放大器输出。如果未使用 CSA，则将此引脚保持断开状态。
SOB 22 22 O 电流检测放大器输出。如果未使用 CSA，则将此引脚保持断开状态。
SOC 21 21 O 电流检测放大器输出。如果未使用 CSA，则将此引脚保持断开状态。
SPA 9 9 I 低侧分流放大器输入。此外，VDS 还监测低侧 MOSFET 的负输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。如果未使用 CSA，则连接到 SNA。
SPB 12 12 I 低侧分流放大器输入。此外，VDS 还监测低侧 MOSFET 的负输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。如果未使用 CSA，则连接到 SNB。
SPC 19 19 I 低侧分流放大器输入。此外，VDS 还监测低侧 MOSFET 的负输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。如果未使用 CSA，则连接到 SNC。
VCP 3 3 PWR 电荷泵输出。在 VCP 和 VM 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。
VDRAIN 5 5 I 高侧 MOSFET 漏极输入。连接到高侧 MOSFET 漏极的公共点。该引脚是 VDS 监视器的输入。
VDS 28 — I VDS 监测跳闸点设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
VM 4 4 PWR 栅极驱动器电源输入。连接到电机电源和 VDRAIN。在 VM 和 PGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压为 VM、容值大于或等于 10uF 的陶瓷局部电容器。
VREF 24 24 PWR 电流检测放大器电源输入和基准。在 VREF 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、6.3V 的陶瓷电容器。
散热焊盘

PAD

PAD

 PWR 必须接地
(1) PWR = 电源，I = 输入，O = 输出，NC = 无连接，OD = 开漏输出
DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8323RH RGZ 封装48 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-7 DRV8323RH RGZ 封装48 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R DRV8323RS RGZ 封装48 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 6-8 DRV8323RS RGZ 封装48 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
表 6-4 引脚功能 - 48 引脚 DRV8323R 器件
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
DRV8323RH DRV8323RS
AGND 35 35 PWR 器件模拟接地。连接到系统地。AGND 必须从外部连接至 BGND 和 PGND。
BGND 43 43 PWR 降压稳压器接地。连接到系统地。BGND 必须从外部连接至 AGND 和 PGND。
CAL 34 34 I 放大器校准输入。设置逻辑高电平以在内部短接放大器输入并执行自动失调电压校准。
CB 44 44 PWR 降压稳压器自举输入。在 CB 和 SW 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、16V 电容器。
CPH 4 4 PWR 电荷泵开关节点。在 CPH 和 CPL 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、47nF、额定电压为 VM 的陶瓷电容器。例如，在 24V 系统中，电容器的额定电压应为 50V（2 倍裕度）。
CPL 3 3 PWR
DGND 27 27 PWR 器件接地。连接到系统地。
DVDD 36 36 PWR 3.3V 内部稳压器输出。在 DVDD 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、6.3V 的陶瓷电容器。该稳压器可从外部拉取高达 30mA 的电流。
ENABLE 33 33 I 栅极驱动器使能。当该引脚为逻辑低电平时，器件进入低功耗睡眠模式。可以使用一个 8µs 至 40µs 的低电平脉冲来复位故障条件，而不进入睡眠模式。
FB 1 1 I 降压反馈输入。从降压电感后输出到此引脚的电阻分压器可设置降压输出电压。
增益 32 — I 放大器增益设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。
GHA 8 8 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHB 17 17 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHC 18 18 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLA 10 10 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLB 15 15 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLC 20 20 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
IDRIVE 30 — I 栅极驱动输出电流设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
INHA 37 37 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHB 39 39 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHC 41 41 I 高侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INLA 38 38 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLB 40 40 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLC 42 42 I 低侧栅极驱动器控制输入。使用 6x PWM 模式时，该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
模式 29 — I PWM 输入模式设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。
NC 46 46 NC 无内部连接。该引脚可以悬空或连接到系统接地端。
nFAULT 28 28 OD 故障指示灯输出。该开漏引脚在发生故障期间被拉至逻辑低电平，并且需要使用一个外部上拉电阻器。
nSCS — 32 I 串行芯片选择。此引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信。
nSHDN 48 48 I 降压关断输入。使能和禁用输入（可耐受高电压）。内部上拉电流源。拉至低于 1.25V 以禁用。悬空以使能。使用两个电阻分压器建立输入欠压锁定。
PGND 2 2 PWR 器件电源地。也用作低侧 MOSFET 的栅极驱动受电路径。连接到系统地。PGND 必须从外部连接至 AGND 和 BGND。
SCLK — 31 I 串行时钟输入。串行数据会移出并在此引脚上的相应上升沿和下降沿被捕捉。
SDI — 30 I 串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据。
SDO — 29 OD 串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。该开漏引脚需要一个外部上拉电阻。
SHA 9 9 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHB 16 16 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHC 19 19 I/O 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SNA 12 12 I 电流检测放大器输入。连接到电流采样电阻的低侧。如果未使用 CSA，则连接到 PGND。
SNB 13 13 I 电流检测放大器输入。连接到电流采样电阻的低侧。如果未使用 CSA，则连接到 PGND。
SNC 22 22 I 电流检测放大器输入。连接到电流采样电阻的低侧。如果未使用 CSA，则连接到 PGND。
SOA 25 25 O 电流检测放大器输出。如果未使用 CSA，则将此引脚保持断开状态。
SOB 24 24 O 电流检测放大器输出。如果未使用 CSA，则将此引脚保持断开状态。
SOC 23 23 O 电流检测放大器输出。如果未使用 CSA，则将此引脚保持断开状态。
SPA 11 11 I 低侧分流放大器输入。此外，VDS 还监测低侧 MOSFET 的负输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。如果未使用 CSA，则连接到 SNA。
SPB 14 14 I 低侧分流放大器输入。此外，VDS 还监测低侧 MOSFET 的负输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。如果未使用 CSA，则连接到 SNB。
SPC 21 21 I 低侧分流放大器输入。此外，VDS 还监测低侧 MOSFET 的负输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。如果未使用 CSA，则连接到 SNC。
SW 45 45 O 降压开关节点。将该引脚连接到电感器、二极管和 CB 自举电容器。
VCP 5 5 PWR 电荷泵输出。在 VCP 和 VM 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。
VDRAIN 7 7 I 高侧 MOSFET 漏极输入。连接到高侧 MOSFET 漏极的公共点。该引脚是 VDS 监视器的输入。
VDS 31 — I VDS 监测跳闸点设置。该引脚是由外部电阻器设置的 7 电平输入引脚。
VIN 47 47 PWR 降压稳压器电源输入。在 VIN 和 BGND 引脚之间放置一个 X5R 或 X7R、额定电压为 VM 的陶瓷电容器。
VM 6 6 PWR 栅极驱动器电源输入。连接到电机电源和 VDRAIN。在 VM 和 PGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压为 VM、容值大于或等于 10uF 的陶瓷局部电容器。
VREF 26 26 PWR 电流检测放大器电源输入和基准。在 VREF 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、6.3V 的陶瓷电容器。
散热焊盘

PAD

PAD

 PWR 必须接地
(1) PWR = 电源，I = 输入，O = 输出，NC = 无连接，OD = 开漏输出