ZHCSG01D February   2017  – March 2022 DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 SPI 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 三相智能栅极驱动器
        1. 8.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 8.3.1.1.1 6x PWM 模式（PWM_MODE = 00b 或 MODE 引脚连接至 AGND）
          2. 8.3.1.1.2 3x PWM 模式（PWM_MODE = 01b 或 MODE 引脚 = 47kΩ 至 AGND）
          3. 8.3.1.1.3 1x PWM 模式（PWM_MODE = 10b 或 MODE 引脚 = 高阻态）
          4. 8.3.1.1.4 独立 PWM 模式（PWM_MODE = 11b 或 MODE 引脚连接至 DVDD）
        2. 8.3.1.2 器件接口模式
          1. 8.3.1.2.1 串行外设接口 (SPI)
          2. 8.3.1.2.2 硬件接口
        3. 8.3.1.3 栅极驱动器电压电源
        4. 8.3.1.4 智能栅极驱动架构
          1. 8.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFET 压摆率控制
          2. 8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET 栅极驱动控制
          3. 8.3.1.4.3 传播延迟
          4. 8.3.1.4.4 MOSFET VDS 监视器
          5. 8.3.1.4.5 VDRAIN 感测引脚
      2. 8.3.2 DVDD 线性稳压器
      3. 8.3.3 引脚图
      4. 8.3.4 低侧电流检测放大器（仅限 DRV8323 和 DRV8323R）
        1. 8.3.4.1 双向电流检测操作
        2. 8.3.4.2 单向电流检测操作（仅限 SPI）
        3. 8.3.4.3 自动失调电压校准
        4. 8.3.4.4 MOSFET VDS 感测模式（仅限 SPI）
      5. 8.3.5 降压稳压器
        1. 8.3.5.1 固定频率 PWM 控制
        2. 8.3.5.2 自举电压（CB）
        3. 8.3.5.3 输出电压设置
        4. 8.3.5.4 使能 nSHDN 和 VIN 欠压锁定
        5. 8.3.5.5 电流限值
        6. 8.3.5.6 过压瞬态保护
        7. 8.3.5.7 热关断
      6. 8.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 8.3.6.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 8.3.6.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 8.3.6.3 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
          1. 8.3.6.3.1 VDS 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.6.3.2 VDS 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.6.3.3 VDS 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.6.3.4 VDS 禁用 (OCP_MODE = 11b)
        4. 8.3.6.4 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
          1. 8.3.6.4.1 VSENSE 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.6.4.2 VSENSE 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.6.4.3 VSENSE 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.6.4.4 VSENSE 禁用（OCP_MODE = 11b 或 DIS_SEN = 1b）
        5. 8.3.6.5 栅极驱动器故障 (GDF)
        6. 8.3.6.6 热警告 (OTP)（仅限 SPI）
        7. 8.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 8.4.1.1 睡眠模式
        2. 8.4.1.2 运行模式
        3. 8.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 ENABLE 复位脉冲）
      2. 8.4.2 降压稳压器功能模式
        1. 8.4.2.1 连续导通模式 (CCM)
        2. 8.4.2.2 Eco-mode 控制方案
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 SPI 通信
        1. 8.5.1.1 SPI
          1. 8.5.1.1.1 SPI 格式
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 状态寄存器
        1. 8.6.1.1 故障状态寄存器 1（地址 = 0x00）
        2. 8.6.1.2 故障状态寄存器 2（地址 = 0x01）
      2. 8.6.2 控制寄存器
        1. 8.6.2.1 驱动器控制寄存器（地址 = 0x02）
        2. 8.6.2.2 栅极驱动 HS 寄存器（地址 = 0x03）
        3. 8.6.2.3 栅极驱动 LS 寄存器（地址 = 0x04）
        4. 8.6.2.4 OCP 控制寄存器（地址 = 0x05）
        5. 8.6.2.5 CSA 控制寄存器（仅限 DRV8323x）（地址 = 0x06）
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 主要应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 外部 MOSFET 支持
            1. 9.2.1.2.1.1 示例
          2. 9.2.1.2.2 IDRIVE 配置
            1. 9.2.1.2.2.1 示例
          3. 9.2.1.2.3 VDS 过流监视器配置
            1. 9.2.1.2.3.1 示例
          4. 9.2.1.2.4 检测放大器双向配置（DRV8323 和 DRV8323R）
            1. 9.2.1.2.4.1 示例
          5. 9.2.1.2.5 降压稳压器配置（DRV8320R 和 DRV8323R）
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 备选应用
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 感测放大器单向配置
            1. 9.2.2.2.1.1 示例
      3. 9.2.3 未使用的引脚和功能
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 发电机模式下的电源注意事项
    2. 10.2 确定大容量电容器的大小
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 降压稳压器布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 器件命名规则
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息
8.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFET 压摆率控制

IDRIVE 元件实现了可调节的栅极驱动电流来控制 MOSFET VDS 压摆率。MOSFET VDS 压摆率是优化以下各项的关键因素：辐射发射、能量、二极管恢复尖峰的持续时间、导致击穿的 dV/dt 栅极导通以及与外部半桥中寄生效应相关的开关电压瞬态。IDRIVE 元件的工作原理是，MOSFET VDS 压摆率主要取决于 MOSFET QGD 或米勒充电区域中提供的栅极电荷（或栅极电流）的速率。通过让栅极驱动器调节栅极电流，该栅极驱动器可以有效地控制外部功率 MOSFET 的压摆率。

IDRIVE 元件可让 DRV832x 系列器件通过 SPI 器件上的寄存器设置或硬件接口器件上的 IDRIVE 引脚在栅极驱动电流之间动态切换。SPI 器件提供 16 种 IDRIVE 设置，范围为 10mA 至 1A 拉电流和 20mA 至 2A 灌电流。硬件接口器件提供 7 种在相同范围内的 IDRIVE 设置。栅极驱动电流设置值在 tDRIVE 持续时间内开启和关闭外部功率 MOSFET 期间传送到栅极。在 MOSFET 开启或关闭后，栅极驱动器切换至较小的保持 IHOLD 电流，以提高栅极驱动器的效率。有关 IDRIVE 设置的其他详细信息，请参阅节 8.6（适用于 SPI 器件）和节 8.3.3（适用于硬件接口器件）。