ZHCSG01D February   2017  – March 2022 DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 器件比较表
  7. 引脚配置和功能
  8. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 SPI 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 三相智能栅极驱动器
        1. 8.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 8.3.1.1.1 6x PWM 模式(PWM_MODE = 00b 或 MODE 引脚连接至 AGND)
          2. 8.3.1.1.2 3x PWM 模式(PWM_MODE = 01b 或 MODE 引脚 = 47kΩ 至 AGND)
          3. 8.3.1.1.3 1x PWM 模式(PWM_MODE = 10b 或 MODE 引脚 = 高阻态)
          4. 8.3.1.1.4 独立 PWM 模式(PWM_MODE = 11b 或 MODE 引脚连接至 DVDD)
        2. 8.3.1.2 器件接口模式
          1. 8.3.1.2.1 串行外设接口 (SPI)
          2. 8.3.1.2.2 硬件接口
        3. 8.3.1.3 栅极驱动器电压电源
        4. 8.3.1.4 智能栅极驱动架构
          1. 8.3.1.4.1 IDRIVE:MOSFET 压摆率控制
          2. 8.3.1.4.2 TDRIVE:MOSFET 栅极驱动控制
          3. 8.3.1.4.3 传播延迟
          4. 8.3.1.4.4 MOSFET VDS 监视器
          5. 8.3.1.4.5 VDRAIN 感测引脚
      2. 8.3.2 DVDD 线性稳压器
      3. 8.3.3 引脚图
      4. 8.3.4 低侧电流检测放大器(仅限 DRV8323 和 DRV8323R)
        1. 8.3.4.1 双向电流检测操作
        2. 8.3.4.2 单向电流检测操作(仅限 SPI)
        3. 8.3.4.3 自动失调电压校准
        4. 8.3.4.4 MOSFET VDS 感测模式(仅限 SPI)
      5. 8.3.5 降压稳压器
        1. 8.3.5.1 固定频率 PWM 控制
        2. 8.3.5.2 自举电压(CB)
        3. 8.3.5.3 输出电压设置
        4. 8.3.5.4 使能 nSHDN 和 VIN 欠压锁定
        5. 8.3.5.5 电流限值
        6. 8.3.5.6 过压瞬态保护
        7. 8.3.5.7 热关断
      6. 8.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 8.3.6.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 8.3.6.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 8.3.6.3 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
          1. 8.3.6.3.1 VDS 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.6.3.2 VDS 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.6.3.3 VDS 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.6.3.4 VDS 禁用 (OCP_MODE = 11b)
        4. 8.3.6.4 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
          1. 8.3.6.4.1 VSENSE 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.6.4.2 VSENSE 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.6.4.3 VSENSE 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.6.4.4 VSENSE 禁用(OCP_MODE = 11b 或 DIS_SEN = 1b)
        5. 8.3.6.5 栅极驱动器故障 (GDF)
        6. 8.3.6.6 热警告 (OTP)(仅限 SPI)
        7. 8.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 8.4.1.1 睡眠模式
        2. 8.4.1.2 运行模式
        3. 8.4.1.3 故障复位(CLR_FLT 或 ENABLE 复位脉冲)
      2. 8.4.2 降压稳压器功能模式
        1. 8.4.2.1 连续导通模式 (CCM)
        2. 8.4.2.2 Eco-mode 控制方案
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 SPI 通信
        1. 8.5.1.1 SPI
          1. 8.5.1.1.1 SPI 格式
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 状态寄存器
        1. 8.6.1.1 故障状态寄存器 1(地址 = 0x00)
        2. 8.6.1.2 故障状态寄存器 2(地址 = 0x01)
      2. 8.6.2 控制寄存器
        1. 8.6.2.1 驱动器控制寄存器(地址 = 0x02)
        2. 8.6.2.2 栅极驱动 HS 寄存器(地址 = 0x03)
        3. 8.6.2.3 栅极驱动 LS 寄存器(地址 = 0x04)
        4. 8.6.2.4 OCP 控制寄存器(地址 = 0x05)
        5. 8.6.2.5 CSA 控制寄存器(仅限 DRV8323x)(地址 = 0x06)
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 主要应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 外部 MOSFET 支持
            1. 9.2.1.2.1.1 示例
          2. 9.2.1.2.2 IDRIVE 配置
            1. 9.2.1.2.2.1 示例
          3. 9.2.1.2.3 VDS 过流监视器配置
            1. 9.2.1.2.3.1 示例
          4. 9.2.1.2.4 检测放大器双向配置(DRV8323 和 DRV8323R)
            1. 9.2.1.2.4.1 示例
          5. 9.2.1.2.5 降压稳压器配置(DRV8320R 和 DRV8323R)
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 备选应用
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 感测放大器单向配置
            1. 9.2.2.2.1.1 示例
      3. 9.2.3 未使用的引脚和功能
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 发电机模式下的电源注意事项
    2. 10.2 确定大容量电容器的大小
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 降压稳压器布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 器件命名规则
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

栅极驱动 LS 寄存器(地址 = 0x04)

图 8-41 展示了栅极驱动 LS 寄存器,表 8-17 对其进行了说明。

寄存器访问类型:读取/写入

图 8-41 栅极驱动 LS 寄存器
109876543210
CBCTDRIVEIDRIVEP_LSIDRIVEN_LS
R/W-1bR/W-11bR/W-1111bR/W-1111b
表 8-17 栅极驱动 LS 寄存器字段说明
字段类型默认值说明
10CBCR/W1b

逐周期操作。在重试 OCP_MODE 时,对于 VDS_OCP 和 SEN_OCP,会在提供 PWM 输入时自动清除故障

9-8TDRIVER/W11b

00b = 500ns 峰值栅极电流驱动时间

01b = 1000ns 峰值栅极电流驱动时间

10b = 2000ns 峰值栅极电流驱动时间

11b = 4000ns 峰值栅极电流驱动时间

7-4IDRIVEP_LSR/W1111b

0000b = 10mA

0001b = 30mA

0010b = 60mA

0011b = 80mA

0100b = 120mA

0101b = 140mA

0110b = 170mA

0111b = 190mA

1000b = 260mA

1001b = 330mA

1010b = 370mA

1011b = 440mA

1100b = 570mA

1101b = 680mA

1110b = 820mA

1111b = 1000mA

3-0IDRIVEN_LSR/W1111b

0000b = 20mA

0001b = 60mA

0010b = 120mA

0011b = 160mA

0100b = 240mA

0101b = 280mA

0110b = 340mA

0111b = 380mA

1000b = 520mA

1001b = 660mA

1010b = 740mA

1011b = 880mA

1100b = 1140mA

1101b = 1360mA

1110b = 1640mA

1111b = 2000mA