ZHCSDF5A December   2014  – May 2024 CSD85301Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 支持资源
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静电放电警告
    5. 5.5 术语表
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Package Dimensions
    2. 7.2 PCB Land Pattern
    3. 7.3 Recommended Stencil Opening
    4. 7.4 Q2 Tape and Reel Information

3 说明

CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 沟道器件，具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。这两个 FET 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。此外，该器件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。两个 FET 的漏源导通电阻均不高，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。

CSD85301Q2 顶视图和电路图顶视图和电路图
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 20 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 4.2 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 1.0 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 1.8V 65 mΩ
VGS = 2.5V 33 mΩ
VGS = 3.8V 25 mΩ
VGS = 4.5V 23 mΩ
VGS(th) 阈值电压 0.9 V
订购信息
器件(1) 介质 数量 封装 运输
CSD85301Q2 7 英寸卷带 3000 SON 2mm x 2mm
塑料封装		 卷带包装
CSD85301Q2T 7 英寸卷带 250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 20 V
VGS 栅源电压 ±10 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 5.0 A
IDM 脉冲漏极电流(1) 26 A
PD 功率耗散(2) 2.3 W
TJ、
Tstg		 工作结温和
贮存温度范围		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 8.7A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 3.8 mJ
(1) 最大 RθJA = 185°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
(2) RθJA = 55°C/W，这是将 1 平方英寸、2oz 的铜焊盘安装在 0.06 英寸厚的 FR4 PCB 上时测得的典型值。
CSD85301Q2 RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD85301Q2 栅极电荷栅极电荷