Data Sheet
CSD18504Q5A 40V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
2 应用
- 直流/直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电池电机控制
3 说明
这款 5.3mΩ、SON 5mm × 6mm、40V NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 7.7 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 2.4 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 7.5 | mΩ |
| VGS = 10V | 5.3 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.9 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18504Q5A | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm × 6mm 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD18504Q5AT | 250 | 7 英寸卷带 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 50 | A |
| 持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 | 75 | ||
| 持续漏极电流(1) | 15 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 275 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 77 | ||
| TJ、 Tstg | 工作结温和 贮存温度范围 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 43A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 92 | mJ |
(1) RθJA = 40°C/W，这是在 1 平方英寸的情况下，2 盎司铜焊盘安装在
0.06 英寸厚的 FR4 PCB 上时测得的典型值。
0.06 英寸厚的 FR4 PCB 上时测得的典型值。
(2) 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比
≤ 1%
≤ 1%
 RDS(on) 与 VGS 之间的关系 |
 栅极电荷 |
4 Specifications
4.1 Electrical Characteristics
(TA = 25°C unless otherwise stated)
| PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STATIC CHARACTERISTICS | |||||||
| BVDSS | Drain-to-Source Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | |||
| IDSS | Drain-to-Source Leakage Current | VGS = 0V, VDS = 32V | 1 | μA | |||
| IGSS | Gate-to-Source Leakage Current | VDS = 0V, VGS = 20V | 100 | nA | |||
| VGS(th) | Gate-to-Source Threshold Voltage | VDS = VGS, ID = 250μA | 1.5 | 1.9 | 2.4 | V | |
| RDS(on) | Drain-to-Source On-Resistance | VGS = 4.5V, ID = 17A | 7.5 | 9.8 | mΩ | ||
| VGS = 10V, ID = 17A | 5.3 | 6.6 | mΩ | ||||
| gfs | Transconductance | VDS = 20V, ID = 17A | 71 | S | |||
| DYNAMIC CHARACTERISTICS | |||||||
| Ciss | Input Capacitance | VGS = 0V, VDS = 20V, ƒ = 1MHz | 1380 | 1656 | pF | ||
| Coss | Output Capacitance | 310 | 372 | pF | |||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 8 | 9.6 | pF | |||
| RG | Series Gate Resistance | 1.4 | 2.8 | Ω | |||
| Qg | Gate Charge Total (4.5V) | VDS = 20V, ID = 17A | 7.7 | 9.2 | nC | ||
| Qg | Gate Charge Total (10V) | 16 | 19 | ||||
| Qgd | Gate Charge Gate-to-Drain | 2.4 | nC | ||||
| Qgs | Gate Charge Gate-to-Source | 3.2 | nC | ||||
| Qg(th) | Gate Charge at Vth | 2.2 | nC | ||||
| Qoss | Output Charge | VDS = 20V, VGS = 0V | 21 | nC | |||
| td(on) | Turn On Delay Time | VDS =
20V, VGS = 10V, IDS = 17A, RG = 0Ω | 3.2 | ns | |||
| tr | Rise Time | 6.8 | ns | ||||
| td(off) | Turn Off Delay Time | 12 | ns | ||||
| tf | Fall Time | 2 | ns | ||||
| DIODE CHARACTERISTICS | |||||||
| VSD | Diode Forward Voltage | ISD = 17A, VGS = 0V | 0.8 | 1 | V | ||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | VDS=
20V, IF = 17A, di/dt = 300A/μs | 39 | nC | |||
| trr | Reverse Recovery Time | 28 | ns | ||||
