本节给出一个简化设计示例，用于说明被动均衡电流、超级电容容量和目标压差之间的关系。该示例仅用于一阶估算，实际系统仍需结合均衡电阻误差、MOSFET导通阻抗、PCB温升、ADC采样误差以及超级电容ESR进行验证。

假设系统采用5串超级电容，每串电容参数如下：

C=100F

假设某一串超级电容电压高于最低串：

ΔV=50mV

目标是通过被动均衡将该电压差消除。超级电容需要移除的电荷量为：

ΔQ=C× ΔV

代入参数：

ΔQ=100F×0.05V=5C

若均衡支路的平均均衡电流为：

I_BAL,AVG=20mA

则理想均衡时间为：

代入参数：

即在20 mA平均均衡电流条件下，将100 F超级电容的50 mV压差削减掉，理论上约需要250 s。

如果均衡电流提高至100 mA，则：

该结果说明，对于大容量超级电容系统，均衡时间主要由电容值和平均均衡电流决定。若目标是缩短均衡时间，应优先提高允许的平均均衡电流，同时评估均衡电阻和MOSFET的功耗与热设计。

被动均衡支路的瞬时电流可近似表示为：

若考虑均衡开关并非100%持续导通，可引入有效均衡占空比 η_BAL：

因此，均衡时间可进一步写为：

因此，在超级电容系统中，低电压区间的均衡速度会明显变慢。即使开启了均衡通道，当单体电压较低时，由于均衡电流本身较小，短时间内电压变化可能不明显。这也是测试中常观察到高电压单体变化明显，而低电压单体变化不明显的原因之一。

在实际算法中，该设计示例也说明了两个工程原则：

第一，均衡判断不应基于过短时间内的电压变化。对于100 F级别的超级电容，即使几十毫安均衡电流持续数秒，电压变化也可能只有毫伏级，容易被采样噪声、ESR动态压降和电压恢复效应覆盖。

第二，均衡控制应采用阈值和滞回机制。例如，当某一串相对于最低串的压差大于50 mV时开启均衡，当压差降低到20 mV以下时关闭均衡。这样可以避免由于瞬态电压误差导致均衡通道频繁切换。