图 3-12 展示了一种集成式设计的方框图，该设计用于从正极方向对直流母线电容器进行预充电。最初，KL1 闭合，Q7 和 Q3 激活以为电感器 L1 充电。随后，Q7 停用，导致电感器电流流经 Q3、HV_BAT、KL1、C_DC_link 和 Q4。此过程将 C_DC_link 预充电至电池电压。此后，Q1 和 Q2 激活，以在 HV_BAT 和 C_DC_link 之间建立并联连接。

需要加热电池时，Q1 和 Q2 停用，同时 Q3 和 Q7 激活以为 L1 充电。接下来，Q7 停用且 Q4 激活，导致直流母线电容器上的电压超过 HV_BAT。在 L1 中的电流反转方向后，直流母线电容器放电至 HV_BAT。随后，Q4 停用且 Q7 激活，导致 HV_BAT 上的电压超过直流母线电容器的电压。在 L1 中发生另一次电流反转后，下一个周期开始。该控制方法有助于在 HV_BAT 和直流母线电容器之间发生能量振荡，从而加热 HV_BAT。

图 3-13 展示了一种集成式设计的方框图，该设计用于从负极方向对直流母线电容器进行预充电。最初，KL1 激活，Q5 和 Q8 激活以为电感器 L1 充电。随后，Q8 停用，导致电感器电流流经 Q6、C_DC_link、KL1、HV_BAT 和 Q5。此过程将 C_DC_link 预充电至电池电压。此后，Q1 和 Q2 激活，以在 HV_BAT 和 C_DC_link 之间建立并联连接。

该集成式设计代表了一种系统级方案。为了实现直流母线电容器预充电和 HV_BAT 加热，微控制器不可或缺。此外，还需要各种隔离式或非隔离式驱动器。对于背对背 FET Q1/Q2，可以替换双向 GaN LMG3660-Q1。表 3-3列举了此集成式设计中使用的主要 TI 元件，包括微控制器、驱动器和传感器。