简介
多个频率之间的跳频发生在多个系统中的应用中,例如降压转换器和升压转换器链,其中开关时间预期非常短。图 1 展示了典型的接收器架构,其中需要一个或多个本地振荡器 (LO) 来生成不同频率的信号,并将它们与输入的接收信号相混合。
跳频面临的挑战
- 基于集成 VCO 的射频合成器具有多个频段,具体取决于电容组长度。
- 频段的数量取决于 VCO 的宽带频率覆盖范围,包括 VCO 的数量。
- 当频率从 F1 跳转到 F2 时,挑战是在较短的时间内选择对应于 F2 的频带,并且 VCO 的相位噪声不会变大。
- 选择频段后,会发生基于 PLL 带宽的平稳稳定。从 F1 移至 F2 时稳定所需的总时间是锁定时间。
- 跳频过程中的大部分时间都是 VCO 校准,这有助于选择相位噪声不会变大的频段。
- 根据架构的不同,某些用于生成 K 频段频率的射频合成器使用开环乘法器,必须对其进行校准。
锁定时间的组成部分
当频率从 F1 跳至 F2 时,跳频所需的时间定义为锁定时间,其中包含以下事件序列:
- 寄存器写入时间:
- SPI 寄存器写入涉及需要更改的设置,例如 N.F(整数 + 小数)等,以使 PLL 锁定到所需频率。
- VCO/倍频器校准时间:
- 对于所需的频率,必须选择特定的 VCO 频带和振幅设置。根据使用的校准方法类型,VCO 校准时间会有所变化。对于基于调优滤波器的倍频器架构,必须选择该特定频率可能具有最高增益的频带,并且必须为获得理想的相位噪声选择振幅设置。
- 模拟趋稳时间:
- 选择 VCO 频段和振幅后,与预期频率相比存在一些频率增量。PLL 将变容 Vtune 调节至所需电压,以使 Vtune 与预期频率相匹配。PLL 具有一定的带宽并且变容趋稳取决于 PLL 带宽。
LMX2624 中的设计
- VCO 和倍频器的全辅助功能完全消除了 VCO 和倍频器校准时间。
- 不每次都校准 VCO 和倍频器,如果针对特定频率记录一次校准代码,强制一次执行这些代码会使频率切换更快。
- 锁定时间现在包含寄存器写入时间和模拟循环趋稳。
- SPI 可升至 40MHz
LMX2624 中的全辅助功能
- 对于从 F1 到 F2 的频率切换,PLL 反馈分频器、VCO/倍频器校准代码必须通过 SPI 写入。因此,此处涉及寄存器写入等待时间,具体取决于 SPI 速度和写入的寄存器数量。在此寄存器写入时间期间,输出频率可能不稳定,这是不希望出现的情况。
- 为避免这种情况,切换到 F2 所需的寄存器在内部存储在影子寄存器(缓冲倍频器)中,并且仅在写入一个特殊寄存器 (SR) 时应用。
- 这有助于使频率切换非常快,因为在切换该特殊寄存器后,所有校准代码都会一次性传输到相应的块。图 2 显示了使用和不使用全辅助功能时的输出频率情况。
- 模拟 PLL 锁定时间取决于 PLL 带宽。
图 3 显示了在特殊寄存器上触发的 26GHz 时趋稳行为的器件相位噪声图,其中频率从 16GHz 跃迁到 26GHz。FSWP 无法捕获 16GHz 到 26GHz 之间的宽频率跃迁移。因此,应选择窄频段选项,其中跨度限制为 40MHz,以 26GHz 作为频率瞬态捕获中的中心频率。
步顺序骤
- 验证 DBL_BUF_EN = 1 (R16<8>)。为与 VCO、倍频器、PLL、输出多路复用器和通道分频器相关的寄存器启用双缓冲。寄存器映射部分显示了有关寄存器的更多详细信息。
- 校准完成后,必须读回频率 F1 和频率 F2 的 VCO 和 DBLR 相关寄存器值,如下面的 tics-pro 页面 (v1.7.7.7) 所示。在进行寄存器读回时,请确保 MUXOUT (R22<6:0>) 为 1 并且读回 (R1<13>) 为 1。TICS Pro 快照显示了 VCO 校准代码读回的快照。在这种情况下,倍频器未启用,因此倍频器处于断电状态。
- 图 5 显示了在频率切换期间使用的倍频器读回数据。
- VCO_FULL_ASSIST(R5<12>)=1
- 写入 full_assist 寄存器。
- VCO:VCO_SEL、VCO_CAPCTRL、VCODACISET
- 倍频器:DBLR1_PD、DBLR_AMP_CAPCTRL、DBLR_AMP1_DACCTRL、DBLR_AMP2_DACCTRL、DBLR_AMP3_DACCTRL、DBLR_PG_AMP_CAPCTRL、DBLR_PG_AMP_DACCTRL
- 更改 PLL 相关寄存器,以将输出频率更改为所需频率 F1 或 F2。(PLL_N(R9<2:0>/R8)、PLL_NUM(R15/R14)、PLL_DEN(R10/R11)、MASH_ORDER(R5<15:13>)、PFD_DLY(R3<10:5>)。
- 还可以更改输出多路复用器选择以启用通道 B 上的通道分频器(OUTA_MUX(R3<13:12>)、OUTB_MUX(R3<15:14>)、CHDIV(R3<4:0>))
- 将 FCAL_EN=0(R0<2>)、DBLR_FCAL_EN=0(R0<12>)、DBLR_ACAL_EN=0(R0<13>) 写入寄存器 0。这可用作双缓冲的触发条件。
另一个需要考虑的可能增加短锁定时间的因素是 VbiasVCO 引脚上的电容器。为了加快趋稳,推荐使用低至 1uF 的电容器。VCO_FASTCHG_CNT 寄存器 (R7<14:7>) 有助于更快地对此 VbiasVCO 引脚充电。如果 VbiasVCO 引脚中的电容器较低,则相位噪声数值就会略有下降。