2 含可选 RCP 电路的反向充电保护

图 2-1 展示了反向充电保护电路的一种典型实现。放电 FET (DFET) 的栅极由栅极和源极之间的高阻值电阻拉至源极，以确保在栅极驱动开路时将其关断。在图 1-1 所示的 BQ27Z746 EVM 原理图中，该电阻值为 10MΩ。10MΩ 电阻可确保在 FET 驱动器断开连接时放电 FET 关断。RCP FET 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，添加在放电 FET 的 RGS (10kΩ) 之间并且栅极接地作为 RCP 电路。要使用简单的接地栅极电路，RCP FET 必须具有低栅极导通阈值。如果需要使用更标准的器件，例如以 2N7002 作为参考原理图，则需要使用高阻值电阻将栅极偏置至 3.3V。

图 2-1 反向充电保护电路

当 PACK+ 被拉至低于 VSS 时，RCP FET 的源极被拉至其栅极以下，从而使 FET 导通。一旦 RCP FET 导通，它就会将放电 FET 的栅极拉至其源极，使其保持关断状态，从而阻止电流流动。图 2-2 显示了带有可选 RCP 电路时正确发生 RCP 后的波形。由于 PACK+ 上存在负电压，放电 FET 会检测到电池电压和充电器电压之和。因此，它必须能够承受电池电压加上考虑到合适 VDS 电压的反向充电器电压。大多数情况下，这将至少是最大电池电压的两倍。布置在放电 FET 上的任何元件都需要具有类似的额定值。当电池和反向电压处于 RCP FET 的绝对最大 VGS 限制范围内时，该电路便会工作。

图 2-2 带有可选 RCP 电路的负 PACK+