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    • ZHCACB5 March   2023 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1305 , MSPM0L1306 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346

       

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APPLICATION BRIEF

5V 接口

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

说明

该示例演示了如何使用 MSPM0 器件上的漏极开路 IO (ODIO)与高达 5V 的信号进行连接。通过使用外部上拉电阻器,开漏 IO 允许在高于 MSPM0 VDD 电源电压的电压电平下跨多个电压域进行通信。

图 1 显示了该示例中使用的外设的功能方框图。

GUID-20230224-SS0I-CLXW-H5DX-ZKFSMDLQSDBW-low.svg图 1 子系统功能方框图

所需外设

该应用最多可以使用两个开漏 IO。

表 1
子块功能 外设使用 说明
IO 2 个 GPIO 引脚 PA0 和 PA1,只能使用 5V 容限开漏 IO

兼容器件

根据表 1 中的要求,该示例与表 2 中的器件兼容。相应的 EVM 可用于原型设计。

表 2
兼容器件 EVM
MSPM0Lxxx LP-MSPM0L1306
MSPM0Gxxx LP-MSPM0G3507

设计步骤

  1. 连接相应的跳线。
  2. 确定应用所需的上拉电阻。
    1. 所需的上拉强度取决于应用的时序要求和连接的电容。要获得更大的电容,您需要具有更强(即低电阻)的上拉。关于确定确切的上拉电阻的讨论超出了本文档的范围,但可以在 I2C 总线上拉电阻器计算应用手册中找到。
  3. 在 SysConfig 中通过软件配置在这些引脚上使用的外设(例如 UART、I2C 或计时器)。
  4. 根据使用的外设编写应用程序代码。

设计注意事项

  1. 上拉电阻器:需要使用一个上拉电阻器为 ODIO 上的 I2C 和 UART 功能输出高电平。
  2. 驱动强度控制:这不适用于 ODIO 类型。

附加资源

  • 下载 MSPM0 SDK
  • 了解有关 SysConfig 的更多信息
  • MSPM0L LaunchPad
  • MSPM0G LaunchPad

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