4 总结

在为功率晶体管选择驱动器时，一定要确保提供适当的栅极驱动电压，以充分增强功率开关，并更大限度地减少功率损耗。HV 系统中颇受欢迎的功率晶体管选择是 Si MOSFET、SiC MOSFET 和 IGBT。通常 IGBT 和 SiC MOSFET 需要比 Si MOSFET 更高的栅极驱动电压才能充分增强器件。虽然一个 TPSI3050 器件可以为 Si MOSFET 提供足够的栅极驱动电压，但两个 TPSI3050 器件可以提供不同的栅极驱动电压选项，以优化 IGBT 和 SiC MOSFET 的功耗。