ZHCABF6B April   2006  – February 2022 LM2745 , LM2748

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2其他封装
  4. 3典型应用电路
  5. 4性能特性(输出纹波电压和开关节点电压)
  6. 5PCB 布局图
  7. 6修订历史记录

其他封装

D1 可使用与低侧 MOSFET 并联的肖特基二极管。由于正向压降比在防击穿期间导通的低侧 MOSFET 体二极管低,此元件可提高效率。请选择能够在最大负载电流下将正向压降保持在 0.4V 至 0.6V 的肖特基二极管(请查阅 I-V 曲线)。此外,请选择在最大输入电压基础上具有足够裕量的反向击穿电压。

C13 可使用与低侧 MOSFET 源极和高侧 MOSFET 漏极直接连接的多层陶瓷电容器 (MLCC),以提供低电源阻抗。例如,元件 C13 与铝电解输入滤波电容器组合使用,放置在标识符 C12 和 C14 处。如果在标识符 C12 和 C14 处使用了 MLCC,则元件 C13 不是必需的。