ZHCABF4D August 2002 – February 2022 LM2727 , LM2737
6 布局优化
可通过开关转换器设计中使用的多种技术来改进 LM2727 PCB 布局。从 IC 的 HG 和 LG 引脚延伸至高侧和低侧 MOSFET 栅极的迹线应更短、更粗，从而降低其寄生电感和电阻。中频去耦电容器 CINX 应尽可能靠近高侧 MOSFET 的引脚。大容量输入电容器 CIN1 和 CIN2 也应靠近放置，使输入电容器和高侧 MOSFET 之间的环路尽可能短。同样，肖特基二极管 D2 应尽可能靠近低侧 MOSFET 的引脚放置。本地电容器 CIN、CBOOT 和 CC（如果使用）应靠近 LM2727 IC 的引脚。这些技术有助于减小整个 PCB 上的寄生电感。
图 6-1 电路原理图表 6-1 典型应用电路的物料清单
| ID | 器件型号 | 类型 | 尺寸 | 参数 | 数量. | 供应商 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| U1 | LM2727 | 同步控制器 | TSSOP-14 | 1 | NSC | |
| Q1 | Si4884DY | N-MOSFET | SOIC-8 | 13.5mΩ，4.5V，15.3nC | 1 | Vishay（威世） |
| Q2 | Si4884DY | N-MOSFET | SOIC-8 | 13.5mΩ，4.5V，15.3nC | 1 | Vishay（威世） |
| Db | BAT-54 | 肖特基二极管 | SOT-23 | 30V | 1 | ON |
| Lin | P1168.162T | 电感器 | 12 × 12 × 4.5mm | 1.6µH，8.5A，5.4mΩ | 1 | Pulse（普思） |
| L1 | P1168.162T | 电感器 | 12 × 12 × 4.5mm | 1.6µH，8.5A，5.4mΩ | 1 | Pulse（普思） |
| Cin1 | C4532X5R1E106M | 电容器 | 1812 | 10µF，25V，3.3Arms | 2 | TDK |
| Cinx | C3216X7R1E105K | 电容器 | 1206 | 1µF，25V | 1 | TDK |
| Co1 | 6TPB470M | 电容器 | 7.3 × 4.3 × 3.8mm | 470µF，2.5V，55mΩ | 2 | Sanyo（三洋） |
| Cin | C3216X7R1E225K | 电容器 | 1206 | 2.2µF，25V | 1 | TDK |
| Css | VJ1206X123KXX | 电容器 | 1206 | 12nF，25V | 1 | Vishay（威世） |
| Cc1 | VJ1206A3R9KXX | 电容器 | 1206 | 3.9pF，10% | 1 | Vishay（威世） |
| Cc2 | VJ1206A391KXX | 电容器 | 1206 | 390pF，10% | 1 | Vishay（威世） |
| Rin | CRCW1206100J | 电阻器 | 1206 | 10Ω，5% | 1 | Vishay（威世） |
| Rfadj | CRCW12063052F | 电阻器 | 1206 | 30.5kΩ，1% | 1 | Vishay（威世） |
| Rc1 | CRCW12069532F | 电阻器 | 1206 | 95.3kΩ，1% | 1 | Vishay（威世） |
| Rfb1 | CRCW12064871F | 电阻器 | 1206 | 4.87kΩ，1% | 1 | Vishay（威世） |
| Rfb2 | CRCW12062181F | 电阻器 | 1206 | 21.8kΩ，1% | 1 | Vishay（威世） |
| Rcs | CRCW1206272J | 电阻器 | 1206 | 2.7kΩ，5% | 1 | Vishay（威世） |