NESA014 march   2023

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   註冊商標
  4. 1 簡介
  5. 2 EMI 頻率範圍
  6. 3 適合高功率電網應用的被動 EMI 濾波器
  7. 4 主動 EMI 濾波器
  8. 5 廣泛的 AEF 電路
  9. 6 CM 主動濾波器電路選擇
  10. 7 電容放大的概念
  11. 8 實際 AEF 實作情況
  12. 9 實際結果
    1. 10.1 低壓測試
    2. 10.2 高壓測試
  13. 10摘要
  14. 11參考

電容放大的概念

CM 雜訊變少的 AEF 電路可放大 CM 扼流器的表觀電感,或相關頻率範圍 Y 電容器的表觀電容。爲 CM 衰減配置的 VSCI AEF 使用放大器級作爲注入電容器 CINJ 的電容倍增器。就是這個主動電容的高值支援 CM 扼流器的低值以達到衰減目標。

請見 圖 6-1,方程式 1 顯示注入電容有效地以 GAEF 倍增,這是從電源線到放大器輸出的 CM 電壓增益:

方程式 1. v C I N J = 1 - G AEF ( f ) v AEF
i C I N J = C INJ d v C I N J d t = 1 - G AEF ( f )   C INJ d v AEF d t
⇒ C INJ,active ( f ) = 1 - G AEF ( f )   C INJ

圖 7-1 顯示啓用及停用 FB-VSCI AEF 電路時的注入網路阻抗的模擬圖。高於 2 kHz (特別是高於 100 kHz) 的低阻抗是由 4.7-nF 注入電容器的主動電路及其相關阻尼網路所造成的電容放大。

GUID-20230223-SS0I-G2QQ-NNR5-ZFGFNKMTMMMD-low.png圖 7-1 注入支路 ZINJ 的範例:啟用 AEF 與傳統 Y 電容器的比較,顯示透過主動回饋動作在更高頻率下增強的等效電容