NESA014 march   2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1 , TPSF12C3 , TPSF12C3-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   註冊商標
  4. 簡介
  5. EMI 頻率範圍
  6. 適合高功率電網應用的被動 EMI 濾波器
  7. 主動 EMI 濾波器
  8. 廣泛的 AEF 電路
  9. CM 主動濾波器電路選擇
  10. 電容放大的概念
  11. 實際 AEF 實作情況
  12. 實際結果
    1. 10.1 低壓測試
    2. 10.2 高壓測試
  13. 10摘要
  14. 11參考

低壓測試

圖 9-1 顯示使用 TPSF12C1-Q1 主動濾波器 IC 所實現之具有 CM 雜訊衰減的單相 AEF 電路的電路圖。此設計包含穩壓器端與電網端 Y 電容器。LISN 提供 EMI 接收器的適當介面,用於 150 kHz 至 30 MHz 的 EMI 量測。

GUID-20230314-SS0I-V4NH-2LCQ-BPWCZRW85C7Z-low.svg圖 9-1 低電壓測試設定電路圖

圖 9-1 所示,從函數產生器導出的方波訊號,代表方便的 CM 雜訊激發來源,而 1-nF 電容器模擬切換穩壓器的真實 CM 雜訊來源阻抗。調整來源電壓的振幅和轉換時間,這會設定適當的雜訊振幅,以及在 LISN 測到的頻譜包絡。

這種附帶訊號注入的簡單低壓測試,有助於在連接到高壓工作環境中的切換穩壓器之前,在 EMI 室中促進濾波器的安全和便利的性能表徵。

圖 9-2 顯示濾波器電路板的實作方式。圖 9-6 使用準峰值 (QP) 與平均 (AV) 雜訊偵測器,在停用並啟用 AEF 時呈現 EMI 結果。如 圖 9-6 所示,AEF 在低頻率範圍 (100 kHz 至 3 MHz) 下提供最高 30 dB 的 CM 雜訊衰減,讓濾波器能夠透過兩個 2-mH 奈米晶扼流器,實現與具兩個 12-mH 扼流器的被動式濾波器設計相等的 CM 衰減性能。

GUID-20230314-SS0I-6KXQ-CT1D-C1FJPJX7CTCL-low.svg圖 9-2 採用 AEF 的單相濾波器實作
GUID-20230314-SS0I-T8RW-RRT8-RKLDFDDXGHXV-low.svg圖 9-3 AEF 停用與起用下的 EN 55032 B 類 EMI 結果