2 출력 전압 회전율 제어

이 방법으로 게이트 GND 사이에 커패시터(C)를 배치하면 게이트의 회전율과 출력 전압 사이에 돌입 전류가 제한됩니다. 출력 전압 회전율 제어를 사용한 회로 구성은 그림 3에 나와 있습니다.

방정식 1 및 방정식 2에서는 다음과 같이 시작 시 돌입 전류와 전원 손실을 계산합니다.

MOSFET이 포화 영역에서 작동하기 때문에 돌입 전류는 시작 시 안전 작동 영역(SOA) 내에 전력 손실을 유지할 수 있을 만큼 충분히 낮아야 합니다. MOSFET은 전력 손실이 감소하여 더 긴 기간 동안 확산될 때 더 많은 에너지(1/2 C_OUTV_IN²)를 처리할 수 있습니다. 따라서 더 높은 정전식 부하를 지원하기 위해 돌입 간격이 더 길어질 수 있어야 합니다.

이 방법은 느린 충전 요구 사항(예: 5mF 및 50ms)에 적합하지만, 설계에는 항상 C_OUT, FET SOA, 충전 시간 및 작동 온도 간의 절충이 포함되어야 합니다. 예를 들어, 5mF~12V의 충전은 TI의 고압측 스위칭 컨트롤러인 TPS1211-Q1을 게이트 드라이버로 사용하면 1.5A의 돌입 전류 제한으로 40ms를 차지합니다. 참조[1] 에서는 이 방법을 사용하여 시작하는 동안 FET SOA를 확인하는 절차를 반복하지만 참조[2]는 특정 MOSFET의 SOA 마진을 추정하기 위한 온라인 툴입니다.