ZHCSPB4B June   2022  – August 2022 DRV3256-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
    1.     Device Comparison Table
  5. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 Device Support
      1. 5.1.1 Device Nomenclature
    2. 5.2 Documentation Support
      1. 5.2.1 接收文档更新通知
    3. 5.3 支持资源
    4. 5.4 Trademarks
    5. 5.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 5.6 术语表
  6. 6Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 6.1 Package Option Addendum
    2. 6.2 Tape and Reel Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 器件环境温度等级 0:–40°C 至 +150°C
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 符合功能安全标准为目标
    • 专为功能安全应用开发
    • 在发布量产版本时将会提供有助于进行 ISO 26262 系统设计的文档
    • 系统可满足 ASIL D 等级要求
  • 3 个 N 沟道半桥栅极驱动器
    • 2A/2.5A 最大峰值栅极驱动电流
    • 针对 48V 应用进行优化的电源架构
    • 12V/48V 双电源架构
    • 直流链路电源 (DHCP) 的瞬态绝对最大额定值为 95V
    • 可支持 90V MOSFET 工作电压范围的 105V 自举电压
    • 自举电荷泵可支持 100% 占空比
  • 集成 1 个 (DRV3256A-Q1) 或 3 个 (DRV3256-Q1) 电流分流放大器
  • 集成可配置主动短路 (ASC) 功能
    • 低侧 (DRV3256A-Q1) 或低侧和高侧 (DRV3256-Q1/DRV3256B-Q1) ASC 支持
    • 低侧和高侧 ASC 支持
    • 提供器件引脚控制
    • 故障处理能力
  • 具有 CRC 功能的串行外设接口 (SPI)
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 高级保护功能
    • 电池电压监测器
    • MOSFET VDS 过流监测器
    • Rshunt 过流监测器
    • MOSFET VGS 栅极故障监测器
    • 模拟内置自检
    • 内部稳压器和时钟监测器
    • 器件热警告和热关断
    • 故障状态指示器引脚