ZHCSDF5 December 2014 CSD85301Q2
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 低导通电阻
- 两个独立的 MOSFET
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动器而优化
- 雪崩级
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
- 电池保护
3 说明
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件，它具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。 此外，该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
俯视图和电路图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 4.2 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 1.0 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 1.8V | 65 | mΩ |
| VGS = 2.5V | 33 | mΩ | ||
| VGS = 3.8V | 25 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V | 23 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.9 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD85301Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD85301Q2T | 7 英寸卷带 | 250 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
最大绝对额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 20 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±10 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 5.0 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(1) | 26 | A |
| PD | 功率耗散(2) | 2.3 | W |
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 8.7A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
3.8 | mJ |
- 最大 RθJA = 185°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
- RθJA = 55°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |