1 特性

具有动态可编程驱动强度的双路输出分离驱动器
- ±15A 和 ±5A 驱动电流输出
- 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)
- 3 电阻设置 R1、R2 或 R1||R2
- 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
内部和外部电源欠压和过压保护
驱动器内核温度检测和过热保护
短路保护：
- 75ns 的过流事件响应时间
- DESAT 保护 – 可承受高达 14V 的电压
- 基于分流电阻器的过流保护
- 可配置保护阈值和消隐时间
- 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流
集成 10 位 ADC
- 电源开关温度, 驱动器内核温度, DESAT 引脚电压, VCC2 电压, 相电流, 直流链路电压
- 可编程数字比较器
高级 VCE/VDS 钳位电路
符合功能安全标准
- 专为功能安全应用开发
- 有助于使 ISO 26262 系统设计符合 ASIL D 要求的文档
集成型诊断：
- 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
- 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量
- INP 至晶体管栅极路径完整性
- 内部时钟监测
- 故障警报和警告输出 (nFLT*)
- ISO 通信数据完整性检查
可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
100kV/µs CMTI
安全相关认证：
- 符合 UL1577 标准且长达 1 分钟的 5kV_RMS 隔离（计划）
- 符合 DIN VDE 0884-11 的增强型隔离 7070V_PK：2017-01（计划）
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
- 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B