ZHCSYN8C August   2003  – July 2025 UCC2808A-1Q1 , UCC2808A-2Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 引脚说明
        1. 7.3.1.1 COMP 引脚
        2. 7.3.1.2 OUTA 和 OUTB 引脚
        3. 7.3.1.3 RC 引脚
        4. 7.3.1.4 VDD 引脚
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 VCC
      2. 7.4.2 推挽或半桥功能
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.1.4 VDD 引脚

VDD 引脚是 UCC2808A-xQ1 的电源输入连接。尽管静态 VDD 电流极低，但总电源电流更高。总电源电流取决于 OUTA 和 OUTB 电流以及已编程的振荡器频率。总 VDD 电流是静态 VDD 电流和平均 OUT 电流的总和。在已知工作频率和 MOSFET 栅极电荷 (Qg) 的情况下，平均 OUT 电流可以通过以下公式计算：

方程式 2. IOUT=Qg×F

其中

  • F = 频率

为了防止出现噪声问题，使用尽可能靠近芯片的陶瓷电容器以及电解电容器将 VDD 旁路至 GND。一个 1μF 的去耦电容器就足够了。