ZHCSE13K December   2007  – April 2024 TXS0108E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性：TA = –40°C 至 85°C
    6. 5.6  时序要求：VCCA = 1.5V ± 0.1V
    7. 5.7  时序要求：VCCA = 1.8V ± 0.15V
    8. 5.8  时序要求：VCCA = 2.5V ± 0.2V
    9. 5.9  时序要求：VCCA = 3.3V ± 0.3V
    10. 5.10 开关特性：VCCA = 1.5V ± 0.1V
    11. 5.11 开关特性：VCCA = 1.8V ± 0.15V
    12. 5.12 开关特性：VCCA = 2.5V ± 0.2V
    13. 5.13 开关特性：VCCA = 3.3V ± 0.3V
    14. 5.14 工作特性：VCCA = 1.5V 至 1.5V，VCCB = 3.3V 至 3.3V
    15. 5.15 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 负载电路
    2. 6.2 电压波形
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 架构
      2. 7.3.2 输入驱动器要求
      3. 7.3.3 输出负载注意事项
      4. 7.3.4 启用和禁用
      5. 7.3.5 I/O 线路上的上拉或下拉电阻
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1.      相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.1 架构

图 7-1 显示了此应用在推挽和开漏模式下所需的半缓冲架构设计。该应用使用边沿速率加速器电路（适用于高到低和低到高边沿）、高导通电阻 N 沟道导通栅极晶体管（约为 300Ω 至 500Ω）以及上拉电阻器（用来提供直流偏置和驱动能力）来满足这些要求。该设计不需要方向控制信号来控制从 A 到 B 或从 B 到 A 的数据流方向。最终的实现支持低速开漏操作和高速推挽操作。

TXS0108E TXS0108E 单元的架构图 7-1 TXS0108E 单元的架构

从 A 端口向 B 端口传输数据时，在上升沿期间，单稳态电路 (OS3) 会在短时间内开启 PMOS 晶体管 (P2)，从而缩短从低电平到高电平的转换时间。类似地，从 A 向 B 传输数据时，在下降沿期间，单稳态电路 (OS4) 会在短时间内开启 N 沟道 MOSFET 晶体管 (N2)，从而加快高电平至低电平转换。B 端口边沿速率加速器由单稳态电路 OS3 和 OS4、晶体管 P2 和 N2 组成，用于根据在 A 端口上检测到的高电平或低电平快速强制 B 端口进行相应的转换。

从 B 端口向 A 端口传输数据时，在上升沿期间，单稳态电路 (OS1) 会在短时间内开启 PMOS 晶体管 (P1)，从而缩短低电平至高电平的转换时间。类似地，从 B 向 A 传输数据时，在下降沿期间，单稳态电路 (OS2) 会在短时间内开启 NMOS 晶体管 (N1)，从而加快高电平至低电平转换。A 端口边沿速率加速器由单稳态电路 OS1 和 OS2、晶体管 P1 和 N1 元件以及边沿速率加速器组成，用于根据在 B 端口上检测到的高电平或低电平快速强制 A 端口进行相应的转换。